產品名稱：互感器綜合測試儀 電流互感器現場測試儀 全自動互感器試驗台

ES3數字式接地電阻儀（多功能型）可使用3線法測量接地電阻，並且量程為全自動換檔，具有USB接口，可以與電腦相連，接地電阻量程可測量到.1Ω～3Ω，電壓可以測量到～1V，抗磁場能力強，小巧等特點。以下為ES3數字式接地電阻儀（多功能型）測量變壓器的接地電阻現場應用。接地電阻精密測量法要測量的變壓器接地電阻精密測量接地電阻采用三線連接，輔助接地棒、測試線都連接好後，切換功能測量電阻R模式，按鍵按“TEST”鍵開始測量，測量中LED指示燈閃爍，LCD倒計數顯示，測量完成後指示燈滅，LCD顯示測量值。
HN10A互感器特性綜合測試儀互感器綜合測試儀 電流互感器現場測試儀 全自動互感器試驗台

功能簡介：

測試互感器：PT、CT（保護類、計量類）、伏安特性（勵磁特性）曲線、自動給出點值、自動給出5%和10%的誤差曲線、變比測量、比差測量、相位（角差）測量、極性判斷、一次通流測試、交流耐壓測試、二次負荷測試、二次繞組測試、鐵心退磁等設計的多功能現場試驗儀器。

技術參數：

1、工作電源：AC220V±10% 、50Hz

2、設備輸出：0～2500Vrms， 5Arms（20A峰值）

3、大電流輸出：0～1000A

4、二次繞組電阻測量範圍：0.1～50Ω

5、二次繞組電阻測量準度：≤0.5%、分辨力0.01

6、二次實際負荷測量範圍：5～300VA

7、二次實際負荷測量準度：≤0.5%±0.1VA工程師了解燃燒設備是否正常運行非常重要，比如清楚地知道煙氣中氧氣和碳氧化物的含量，煙氣溫度過高或者過低，進/出水管溫度，燃氣壓力等等諸多工況，這就需要檢測並用檢測值來。這就不得不使用到供熱檢測需求的煙氣儀器，而煙氣儀的正確使用就顯得非常關鍵。氣路由於所有的氣體濃度值計算基礎均與采樣流量的穩定性有關聯，如果氣路有堵塞則會引起計算誤差。檢查方法一：查看氣泵流速是否在額定值的合理偏差範圍；氣路如果漏氣，則進入傳感器的氣體為空氣和廢氣的混合物，測量值會偏低或者接近空氣中的濃度值。

軟件使用說明 

11.1 將配套光盤放入計算機光驅中，解壓“軟件”至C盤根目錄。

11.2，安裝“wic_x86_chs.exe”文件，其次，安裝“dotNetFx40_Full_x86_x64.exe”軟件，默認安裝地址即可。

11.3安裝完畢後，打開“伏安特性”文件夾，選擇打開“VATeXing.exe”操作軟件，如圖38即為上位機操作軟件。

11.4在“VATeXing.exe”操作軟件中，下方選擇互感器種類“CT”或“PT”，應用語言“中文”或“英文”。

11.5如需生成報告格式文件，必須載入試驗結果數據，具體操作方法如下：

a）、將存儲試驗數據的U盤連接至計算機。

b）、在圖38中選擇打開“選擇文件”，出現圖39操作窗口，在圖39中可根據需要載入所需文件。

c）、試驗結果數據說明：以“A”為開頭的數據為勵磁特性結果數據，以“B”為開頭的數據為變比極性結果數據，以“C”為開頭的數據為負荷結果數據，以“D”為開頭的數據為直阻結果數據。以“E”為開頭的數據為角差比差結果數據，以“T”為開頭的數據為暫態結果數據。

11.6 載入數據結束後，選擇“確定”出現圖40界麵，在此界麵右上方設置相應參數後，選擇“生成誤差曲線”則完成所有試驗結果的載入。

11.7 載入完成後，可根據需要選擇“保存”或打印結果數據。

11.8  選擇“保存”選項，則以WORD的形式顯示結果如圖41。

11.9  如需繼續加載試驗結果數據，請先上次載入的數據。

HN12A變頻式互感器綜合儀（CT/PT儀）

功能簡介：

1 勵磁特性試驗

2 變比試驗

3 相位和極性試驗

4 CT一次電流及負荷時的比差、角差測量

5 CT二次繞組電阻測量

6 CT二次回路負荷測量

7 CT暫態特性測試與

8 CT升流試驗

9 測量校核型號的CT、PT，包括保護CT、計量CT、TP級暫態CT、勵磁飽和電壓達到40KV的CT、變壓器套管CT、各電壓級PT等.

10 點電壓/電流、10%(5%)誤差曲線、準確限值係數、儀表保安係數、二次時間常數、剩磁係數、準確級、飽和和不飽和電感等CT、PT參數的測量.

自動給出點電壓/電流、 10％誤差曲線、 5％誤差曲線、準確限值係數（ALF）、 儀表保安係數（FS）、 二次時間常數(Ts)、剩磁係數(Kr)、準確級、飽和和不飽和電感等參數。

技術參數：

輸出電壓：0~180V (RMS)
■ 輸出電流：0~12A，峰值36A
■ 電壓測量：準確度 ±0.1%
■ CT變比測量範圍：1~30000
■ PT變比測量範圍：1~30000互感器綜合測試儀 電流互感器現場測試儀 全自動互感器試驗台LED日光燈電源發熱到一定程度會導致燒壞，關於這個問題，也見到過有人在行業論壇發過貼討論過。本文將從芯片發熱、功率管發熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方麵討論LED日光燈電源發熱燒壞MOS管技術。芯片發熱本次內容主要針對內置電源調製器的高壓驅動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上麵，芯片的功耗為0.6W，當然會引起芯片的發熱。驅動芯片的電流來自於驅動功率MOS管的消耗，簡單的計算公式為I=cvf（考慮充電的電阻效益，實際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導通時的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低v和f.如果v和f不能改變，那麼請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。