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半導體生產流程由晶圓製造,晶圓測試,芯片封裝和封裝後測試組成,晶圓製造和芯片封裝討論較多,而測試環節的相關知識經常被邊緣化,下麵集中介紹集成電路芯片測試的相關內容,主要集中在WAT,CP和FT三個環節。集成電路設計、製造、封裝流程示意圖WAT(WaferAcceptanceTest)測試,也叫PCM(ProcessControlMonitoring),對Wafer劃片槽(ScribeLine)測試鍵(TestKey)的測試,通過電性參數來監控各步工藝是否正常和穩定,CMOS的電容,電阻,Contact,metalLine等,一般在wafer完成製程前,是Wafer從Fab廠出貨到封測廠的依據,測試方法是用ProbeCard紮在TestKey的metalPad上,ProbeCard另一端接在WAT測試機台上,由WATRecipe自動控製測試位置和內容,測完某條TestKey後,ProbeCard會自動移到下一條TestKey,直到整片Wafer測試完成。
HN380B水內冷發電機絕緣電阻測試儀
水內冷絕緣電阻測試儀HN380 2500v手持式變壓器變比組彆測試儀產品用途
水內冷發電機絕緣電阻測試儀 於水內冷發電機的測量試驗,也可用於試驗室或現場做絕緣測試試驗。輸出電流大於75mA。輸出電壓5000V。內含微電流測量係統 、數字升壓係統 。用一條高壓線和一條信號線連接試品即可測量。測量自動進行,結果由大屏幕液晶顯示,並將結果進行存儲。
內冷發電機絕緣電阻測試儀 技術參數
HN380B水內冷發電機絕緣電阻測試儀於水內冷發電機的測量試驗,同時也可用於試驗室或現場做絕緣測試試驗。輸出電流大於45mA。可達75mA。輸出電壓2500V和5000V兩檔。內含高精度微電流測量係統、數字升壓係統。隻需要用一條高壓線和一條信號線連接試品即可測量。測量自動進行,結果由大屏幕液晶顯示,並將結果進行存儲。
一、主要特點
1. 采用32位微控製器控製,全中文操作界麵,操作方便。
2. 適用於測量水內冷發電機的絕緣電阻、吸收比(R60s/R15s)和極化指數(R10min/R1min)的測試。自動計算吸收比和極化指數,可自動顯示R15s、R60s、R10min、收比(R60s/R15s)和極化指數(R10min/R1min),並自動儲存15秒、1分鐘、10分鐘的數據便於。全天科技大功率直流電子負載具有恒電流、恒電壓、恒功率、恒電阻、恒阻抗、動態電流、動態電阻、掃頻功能和List工作模式,可回讀出電壓、電流和功率參數,具有短路測試功能,具有過電流、過功率、過電壓、過溫度保護功能和反接告警功能,可通過外部仿真輸出接口檢測當前電子負載的電壓和電流(0~10V),具有標配RS232/RS485/USB的通訊接口及選配LANGPIB的通訊接口,還具有多台電子負載並機操作的接口。
3. 輸出電流大,短路電流大於45mA。輸出電壓2500V和5000V兩檔,可測高達2萬兆的絕緣電阻。不需對水極化電勢進行補償調節。(備選)
4. 高壓發生模塊采用全封閉技術,內部有保護電阻,**可靠。
5. 抗乾擾能力強,能滿足超高壓變電站現場操作。
6. 測試完畢自動放電,並實時監控放電過程。
功能及特點二.
技術條件及指標
準確度: ±10%
測量範圍:0.1M~200GΩ
試驗電壓:2500V ;5000V
短路電流:≧25mA
測量時間:1分鐘~10分鐘(與測量方式有關)
電 源:180~270VAC ,50Hz/60Hz±1% (市電或發電機供電)
工作環境:溫度-10~40℃,相對濕度20~80%磁耦器件可提供5000Vrms/min及6000V/10sec的電壓隔離保護,多種型號的磁耦帶有±15KV的ESD保護。長壽命。采用芯片級變壓器技術傳輸信號,消除光耦傳輸時的器件損耗。器件內部基本不存在損耗,正常工作條件下至少達到50年工作壽命。低功耗。磁耦基於芯片級變壓器傳輸原理,信號傳輸時幾乎不存在能量損耗,因此能以極低的功耗實現高度的數據隔離。相同速率下,其功耗僅為光耦的1/10~1/6。電源隔離信號通道做隔離後,建議電源通道也做隔離,可直接采用帶隔離的DC-DC隔離模塊實現,如下圖所示。
1. 電源電壓:AC220 ± 10%
2. 輸出電壓:DC2500V /5000V± 10% 選配項
3. 量 程:0.0000Ω ~ 1000GΩ
4. 環境溫度:-10℃ ~ +40℃
5. 環境濕度:≤75%RH控製命令先由工控機批量發送到CAN接口卡並本地保存,CAN卡再按照報文順序及配置好的發送規則周期性發送在,這樣可以保證時間精度在1ms以內。USBCAN-8E-U的該功能可以在提供的函數庫中直接調用,如。(時間是1ms,KVASER數據為100us)調用底層定時發送豐富的二次開發支持脫機發送是降低測試成本的重要手段。一般來說,老化測試總是大規模、批量型進行,這也就意味著一個老化實驗室要配備足夠量的工控機。
6. 測量精度:0Ω ~ 2000MΩ 10%
2000MΩ ~ 1000GΩ 10%
7. 電壓紋波:測試電壓紋波含量不大於3%
9. 測量方式:實時測量,開始每秒鐘進行一次測量顯示;自動計算吸收比、極化指數。
10. 顯示方式:128X64位液晶顯示被測電阻值、吸收比、極 化指數。自動顯示測試時間。
11..絕緣電阻:儀表本體與交流電源初級引線之間的絕緣電阻1000MΩ
12. 負載能力:
水內冷絕緣電阻測試儀HN380 2500v手持式變壓器變比組彆測試儀PGA:插針網格陣列封裝,插裝型封裝之一,基材多采用多層陶瓷基板。SIP(SingleIn-line):單列直插式封裝,引腳從封裝一個側麵引出,排列成一條直線。SIP(SystemInaPackage):係統級封裝,將多種功能芯片,包括處理器、存儲器等功能芯片集成在一個封裝內,從而實現一個基本完整的功能。對比MCM,3D立體化可以體現在芯片堆疊和基板腔體上。