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這些數據對企業來說是“不可見的”,因此很容易錯過產品生命周期其他階段的有用信息。在部署的基於物聯網的數據管理解決方案之前,捷豹路虎(JLR)僅了1%的車輛測試數據。JLR動力總成經理SimonFoster表示,“我們現在可以高達95%的數據並降低了測試成本和年度測試次數,因為我們不需要重新運行測試。”將IoT功能應用於自動化測試數據,需要一套即用型的軟件適配器,用於接入標準數據格式。
HN7030A變壓器絕緣油介質損耗測試儀
用於絕緣油等液體絕緣介質的介質損耗因數和直流電阻率的測量,內部集成了介損油杯、溫控儀、溫度傳感器、介損測試電橋、交流試驗電源、標準電容器、高阻計、直流高壓源等主要部件。,該儀器應用先進的測控技術,全自動完成升溫、控溫、高速數據采樣、運算、顯示、打印及存儲等過程.
技術指標
測 量 範 圍: 電容量 5pF~200pF
感謝您選擇了絕緣油介質損耗及體積電阻率測試儀!為方便您儘早儘快地熟練操作本儀器,我們特隨機配備了內容詳實的操作手冊,從中您可以獲取有關產品介紹、使用方法、儀器性能以及**注意事項等諸多方麵的信息。
在次使用儀器之前,請務必仔細閱讀本操作手冊,並按本手冊對儀器進行操作和維護,這會有助於您更好的使用該產品,並且可以延長該儀器的使用壽命。
在編寫本手冊時,雖然我們本著科學和嚴謹的態度進行了工作,並認為本手冊中所提供的信息是正確和可靠的。然而,智者千慮必有一失,本手冊也難免會有錯誤和疏漏之處。如果您發現了手冊中的錯誤,請務必於百忙之中抽時間,儘快設法告知我們,並煩請監督我們迅速改正錯誤!本公司全體職員將不勝感激!ZLG致遠電子LM4TULoRa模塊安裝到鐵鞋終端當中,配套LoRaNET2網關可快速在車站搭建起一張無線網絡。車站智能鐵鞋組網示意圖ZLG致遠電子的LM4TULoRa模塊+GL1278N網關解決方案憑借著功耗、信號覆蓋範圍廣、帶組網協議、支持客戶二次開發等優點,完解決了鐵鞋智能化的需求。LM4TU模塊-模塊板載MKL26Z128VFT4MCU,M+內核,支持二次開發,可為用戶省一顆MCU;-豐富接口資源:2路16位ADC,2路IIC,2路GPIO,2路PWM,2路UART,1路SPI等等;-內置LoRaNET2組網協議,提供API接口供用戶二次開發調用,方便;-基於AmetaL二次開發,豐富的例程以及各傳感器demo,幫助用戶快速完成產品開發。
本公司保留對儀器使用功能進行改進的權力,如發現儀器在使用過程中其功能與操作手冊介紹的不一致,請以儀器的實際功能為準。我們希望本儀器能使您的工作變得輕鬆、愉快,願您在繁忙的工作之中體會到辦公自動化的輕鬆而美好的感覺!感應濾波的諧波機理現以所示中間引出抽頭接單調諧濾波器的單相三繞組變壓器為例,闡述利用變壓器耦合繞組的安匝平衡作濾波機理的新型濾波方式。圖中,1表示一次繞組,2表示二次延邊繞組,3表示二次公共繞組,Ih表示諧波電流源。箭頭所示為諧波電流在變壓器中的流通路徑。可知:在延邊繞組2通過諧波電流影響下,公共繞組2和一次繞組1要感生相應的諧波電流,滿足以下磁勢平衡關係:W2Ih=W3Ih3+W1Ih1式中:W1一次繞組的匝數,W2二次負載繞組的匝數,W3—二次濾波繞組的匝數。
注意事項
1.遵守高壓試驗**工作規程。
2.因儀器內部有高壓及高溫,在工作過程中,禁止打開油杯罩。
3.儀器在使用過程中要可靠接地。
4.要注意儀器使用環境的清潔。
5.油杯安裝和清洗應嚴格按規定進行,否則將造成油杯放電,致使儀器無法正常工作。
6.管損壞,必須更換相同規格管。數字子係統架構從以往的設計來講,數字子係統的引腳電子設備依賴於定製設計—離散設計,混合設備和完全定製設計。然而,今天有商業供應商為半導體和板級測試應用生產一係列針式電子產品,提供高水平的集成和通道密度。這些器件是實現更高通道密度的關鍵因素,同時也帶來了管理功耗和功耗的持續挑戰。今天的數字子係統多基於開放式架構,卡模塊化平台,如VXI和PXI標準,PXI是主導平台。為了適應與支持M-A應用相關的許多必要特性和功能,PXI的6U外形在標準PXI電源之外提供了額外的PCB空間和靈活性,可以使用額外的電源。
相對電容率 1.000~30.000
介質損耗因數 0.00001~100
直流電阻率 2.5 MΩm~20 TΩm
測 量 準 度: 電容量 ±(1%讀數+0.5pF)
相對電容率 ±1%讀數
介質損耗因數 ±(1%讀數+0.0001)
直流電阻率 ±10%讀數
分 辨 率: 電容量 0.01pF
相對電容率 0.001
介質損耗因數 0.00001
測 溫 範 圍: 0~125℃
溫度測量誤差: ±0.5℃
交流實驗電壓: 500~2200V 連續可調,頻率50Hz
直流試驗電壓: 0~500V 連續可調HN7030型 體積電阻率測試儀 變壓器綜合參數測試儀 規格齊半導體工業界,這種進步至少仍將持續10到15年。麵對現有的晶體管模式及技術已經臨近極限,借助芯片設計人員巨大的創造才能,使一個個看似不可逾越的難關化險為夷,矽晶體管繼續著小型化的步伐。近期美國科學家的科技成果顯示,將10納米長的圖案壓印在矽片上的時間為四百萬分之一秒,把矽片上晶體管的密度提高了100倍,同時也大大提高了線生產的速度。這一成果將使電子產品繼續微小化,使摩爾定律繼續適用。