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LED日光燈電源發熱到一定程度會導致燒壞,關於這個問題,也見到過有人在行業論壇發過貼討論過。本文將從芯片發熱、功率管發熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方麵討論LED日光燈電源發熱燒壞MOS管技術。芯片發熱本次內容主要針對內置電源調製器的高壓驅動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上麵,芯片的功耗為0.6W,當然會引起芯片的發熱。驅動芯片的電流來自於驅動功率MOS管的消耗,簡單的計算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益,實際I=2cvf,其中c為功率MOS管的cgs電容,v為功率管導通時的gate電壓,所以為了降低芯片的功耗,必須想辦法降低v和f.如果v和f不能改變,那麼請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件,注意不要引入額外的功耗。
HN7080A變壓器綜合測試係統華能 變壓器綜合測試台 三相變比組彆測試儀 大量供應
兩種操作模式:自動模式、按鈕模式,且兩種操作模式自動互鎖;
自動化程度高,具有一鍵啟動可自動完成空載試驗、負載試驗、變比測量、直流電阻測量、工頻試驗、感應試驗;
集成度高、功能齊全,滿足10kV、20kV、35kV、110kV、220kV、330kV、500kV等不同電壓等級電力變壓器和特種變壓器出廠試驗、型式試驗、試驗;
試驗項目:
空載損耗測量、空載電流百分比(自動換算到額定電壓下數值);
負載損耗測量、阻抗電壓百分比(自動換算到額定電流參考溫度下數值);
繞組直流電阻快速測量;
變比組彆自動測量(電壓比測量,連接組標號試驗);
外施耐壓試驗(工頻耐壓試驗);
感應耐壓試驗(倍頻倍壓試驗);
絕緣電阻測量;
雷電衝擊試驗;
絕緣油試驗(擊穿電壓、閃點、酸值、體積電阻率、水分等);
局部放電試驗;
溫升試驗;
可完成10kV、20kV、35kV、110kV、220kV、330kV、500kV及特種變壓器的出廠試驗、型式試驗和試驗;華能 變壓器綜合測試台 三相變比組彆測試儀 大量供應作為21世紀具發展潛力的技術之一,RFID技術的發展帶來了巨大的市場價值。RFID技術已廣泛的應用在了零售業、物流業、製造業等諸多領域。在領域,由於飛機製造商、零部件供應商和公司的通力合作,RFID技術已經滲透到領域供應鏈係統的各個環節,但整體上,RFID技術在領域起步較晚,在我國領域的應用起步更晚。開展領域RFID技術研究具有重要意義。領域射頻識彆技術應用布局RFID技術在領域的應用,按大類分,目前主要分為三個大的方向,包括製造、運營與維護、機場管理等。