產品名稱：遠見 青島華能HN6000 介質損耗測試儀 手持式變壓器變比組彆測試儀

征能ES31接地電阻儀（簡易型）具有：3線法接地電阻、接地電壓測量。手動換檔，數據上傳功能，報警功能，數據存儲5組，接地電阻量程：.Ω～3Ω，接地電壓量程：～6V等。此為測量路燈的其中一個實例。準備測量的路燈打開征能ES31接地電阻儀（簡易型）儀表箱，準備接線按下圖接線，紅，黃，綠線，分彆相差5米。此為精密三線法測量。打接地棒，將紅、黃測試線分彆鉗在接地棒上將綠色測試線鉗在路燈接地引下線上測試線按對應顏色與主機接線接線完成，準備測試將旋轉開關旋至3Ω檔按紅色TEST鍵開始測試儀表測試1秒中測出接地電阻值為6.4Ω，規定路燈1Ω以下。

HN6200A大型地網接地電阻測試儀

遠見 青島華能HN6000 介質損耗測試儀 手持式變壓器變比組彆測試儀  本儀器是測量地網接地電阻和接地點之間的接地導通的儀器。儀器采用變頻抗乾擾技術，不需大電流測量，能在變電站強乾擾環境下測得50Hz的準確數據，測量結果由大屏幕液晶顯示，自帶微型打印機可打印輸出。儀器能測量接地阻抗和接地電阻，更能真實反映地網的實際特性。來到健身房，教練讓他握住一個小儀器，說是要測量體內脂肪含量。王先生使用的體脂儀類似一個秒表，使用時，隻需用手握住，就能測出具體數值。對此，他有些疑惑：“這麼一個東西，能準確測出來嗎？”記者注意到，市麵上出售的體脂儀大部分利用的是阻抗原理測脂肪比例，這種方法的專業術語叫做“BIA”，其原理是脂肪組織因水分含量低而不導電，肌肉等細胞組織因含水量高而導電性能好，由此根據的電阻抗推定脂肪和其他組織的比例。

◆大型地網接地電阻測試儀 產品特點
    1、測量的工頻等效性好。測試電流波形為正弦波，頻率與工頻相差更小0.25Hz，為5Hz。可用於50hz或60hz兩種頻率進行測量。
    2、測量精度高。基本誤差0.005Ω，可用來測量接地阻抗更小的大地網。
   3、功能強大。可測量電流樁，電壓樁，地網阻抗、接地電阻，接地導通、土壤電阻率等。
    技術參數
   1、測量範圍：0～5000Ω
   2、分 辨 率：0.001mΩ
   3、測量誤差：±（讀數×2％+0.005Ω）
   4、抗工頻50Hz 電壓乾擾能力：10V
   5、測試電流波形：正弦波
   6、測試電流頻率：單頻：40-70Hz 分辨率0.01Hz 隨意設置
              雙頻：50±0.25Hz 到 50±5.0Hz 步進0.25Hz
                  60±0.25Hz 到 60±5.0Hz 步進0.25Hz

測試操作步驟

1） 檢查用於試驗的電流線、電壓線和地網線是否有斷路現象（可以用萬用表測量），地樁上的鐵鏽是否乾淨，其埋進深度是否合適（>0.5米），同時檢查測試線與地樁的連接是否導通，如未導通，請處理後重新連接。

2） 電流測試線與電壓測試線的長度比為1：0.618，電流測試線的長度應是地網對角線的3—5倍。

3） 電流測試線和電壓測試線按規定的長度將一端與儀器相接後平行放出。另一端分彆接在兩支地樁上（如圖2所示）。

4） 將已放好的測試線檢查一遍，將萬用表一端接電流線或電壓線，另一端接地網線如無阻值顯示即為斷路，確認完好再進行測試。

5） 檢查連線無誤後，給儀器接上AC220V/50HZ電源，對儀器進行通電。

6） 按測量鍵，開始測量

7） 儀器顯示測試結束後，記錄測試數據（本儀器可多次重複測量）。

8） 關掉儀器電源後，拆除連線，測試過程結束。然而，燃油和軟性粘結劑（彈性體）間的互動是實現測量和長期穩定性的一個瓶頸，在當下使用的燃油、混合劑和添加劑日趨複雜和多樣化的大背景下更為凸顯。先進壓力傳感技術確保可靠和測量TDK集團的油箱壓力傳感器采用特設計：所有和燃油直接接觸的塑料和彈性體都使用超耐久的玻璃基材料替代，與所有材料的熱膨脹係數都是相互匹配的。和彈性體不同，這種材料不會膨脹、收縮或變脆，可消除因信號漂移或泄露導致的不壓力測量。

3．儀器操作說明：

1） 打開電源開關，計算機進行自檢，液晶屏顯示中文主菜單如圖3所示。

1） 按   鍵可移動光標至各菜單項，並循環指示。被選中項反白字體顯示。選擇鍵的流程見圖4所示。

2） 在光標當前所示項目，按▼ ▲鍵鍵可進行該項菜單的變更，並循環指示，流程見圖5所示。

遠見 青島華能HN6000 介質損耗測試儀 手持式變壓器變比組彆測試儀LED日光燈電源發熱到一定程度會導致燒壞，關於這個問題，也見到過有人在行業論壇發過貼討論過。本文將從芯片發熱、功率管發熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方麵討論LED日光燈電源發熱燒壞MOS管技術。芯片發熱本次內容主要針對內置電源調製器的高壓驅動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上麵，芯片的功耗為0.6W，當然會引起芯片的發熱。驅動芯片的電流來自於驅動功率MOS管的消耗，簡單的計算公式為I=cvf（考慮充電的電阻效益，實際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導通時的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低v和f.如果v和f不能改變，那麼請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。