產品名稱：回路電阻測試儀檢定裝置 耐壓測試儀校驗儀 HN係列 絕緣電阻表校驗裝置 廠家供應

安規測試儀檢定裝置有以下幾種 回路電阻測試儀檢定裝置 耐壓測試儀校驗儀 HN係列 絕緣電阻表校驗裝置 廠家供應

HN8061A

依據JJG1005—2005《電子式絕緣電阻表檢定規程》、JJG622—1997《絕緣電阻表（兆歐表）檢定規程》,用於檢定電子式絕緣電阻表的示值誤差、跌落電壓、短路電流。
電壓分兩檔：0～500V  0～5000V  -10000V
 短路電流：0～2mA    0～20mA
電阻0-200G-1T-10T汽車鏈路中部署的常用及可靠高速數字接口技術基於ANSI/TIA/EIA-644-A低電壓差分信號(LVDS)標準。LVDS可提供一個穩健的數據傳輸標準，支持遠距離、低功耗、高噪聲性以及低EMI。LVDS采用差分方式（而非接地所參考的單端信號）實現所需的鏈路屬性。通過部署更小型的連接器和線纜來縮減係統尺寸和重量（汽車應用中的兩個重要特性），可降低互聯成本。如圖1所示，串行器接收來自源（攝像頭影像傳感器）的數據，然後將RGB色彩的並行總線信號與控製信號轉換為LVDS串行化數據流，以便通過單條雙絞線對線纜傳輸。

HN8062A接地電阻表校驗裝置

用於檢定JJG336-2004《接地電阻表檢定規程》所適用的我目前生產的型號的模擬式、數字式接地電阻表以及進口的同類儀表，也可做普通電阻箱使用，具有調節範圍寬，使用方便，造型美觀等優點。新一代的汽車必須為駕駛人提供實時的信息，讓駕駛人在車內也可以辦公。由於汽車的功能愈趨多樣化，係統設計工程師麵對的困難同樣與日俱增。要如何利用穩壓係統來提供新的磁滯控製技術，可為低負載係統提供率的穩壓功能，同時也介紹其它的穩壓技術。但這些穩壓方法能否為低負載係統提供率的穩壓功能？這些方法有何優點？這些都是未來必須要麵對的問題。長時間運作下的車用電子係統過去有個案例，曾有駕駛人將汽車停放在機場停車場內近兩個月之久，後來取車時卻發覺汽車電池的儲電已完全耗儘。

HN8063A耐電壓測試儀校驗裝置

1、測量準度： 

電壓：1000v  2500v  5000v  10000v  30000v

準度：1級  0.5級  0.2級示波器發展到現階段，已經不僅僅是在調試中觀察波形，更重要的是能很好的測量一些參數幫助大家優化設計方案。示波器的測量方法大致有三種：刻度測量；光標測量；自動測量。刻度測量就是根據波形所占格數進行估測，估測的準確度當然是比較低的，隻適合做定性。要測量的話，還需要從光標測量和自動測量兩種方式中選擇。那麼，哪種測量方式測的結果更準確呢？，我們從原理上來了解一下光標測量和自動測量。光標測量，光標測量的原理很簡單，以ZDS2024plus為例，打開Cursor鍵一鍵光標，然後用光標卡住波形，光標X1和X2，Y1和Y2之間的差值即為測量值。

HN8065A型泄漏電流測試儀檢定裝置

一、性能特點

1、源、表測量範圍：

       電壓源（AC，DC）：電壓：250V、50V、5V

       電流源（AC，DC）：20mA、2mA

       頻率計：10-100Hz大陸封測產業的機遇摩爾定律由英特爾創始人之一戈登摩爾提出，大致意思為，每隔18-24個月在價格不變的情況下，集成電路上可容納的元器件數目會翻一倍，性能也將提升一倍。這一定律統治了半導體產業50多年，近些年卻屢屢被預估將要走向終結，而者中甚至包括摩爾本人。而這條金科玉律走向末路的佐證之一便是英特爾修改了基於摩爾定律的“Tick-Tock”策略，將這一架構和工藝交替升級策略的研發周期在時間上從兩年延長至三年，製程工藝變為三代一升級，並且其10nm製程一直跳票。

HN8066A型接地導通電阻測試儀檢定裝置

2、一次額定電流：25A、2.5A。(大30A、3A)

3、電阻四盤連續帶電可調。

4、直接指示一次電流值，可做交直流大電流標準表用。其典型的信噪比為55dB，而8位示波器一般隻有35～40dB。是將一個多諧波信號分彆輸入到8位和12位示波器，轉化到頻域觀察的圖形。兩者頻域的垂直刻度和基準都一樣。可以看出，12位示波器的頻域噪底比8位示波器低大約lOdB。我們來看一個實際的測試案例：需要對某開關電源產品中的功率MOS管進行。其中有一個測試項是MOS管導通損耗。分彆用電壓和電流測量漏源電壓Vds與漏極電流Ids，在示波器上將兩個波形相乘得到功率波形，導通期間的功率就是導通損耗。

HN8068A型回路電阻測試儀，直流電阻測試儀檢定裝置

2 一次額定電流：

1A、10A、100A、200A、300A、600A

3 電阻盤0、1、2、3……20帶電可調。

4 直接指示一次電流值,可做直流大電流標準表用。

回路電阻測試儀檢定裝置 耐壓測試儀校驗儀 HN係列 絕緣電阻表校驗裝置 廠家供應其中半導體器件(包括：半導體分立器件、集成電路等)大多數是輻射敏感器件，輻射環境對這些器件的性能會產生不同程度的影響，甚至使其失效。針對輻射效應，在器件的材料、電路設計、結構設計、工藝製造及封裝等各個環節采取加固措施，使其具有一定的抗輻射性能。選擇抗輻射加固的器件應用在空間輻射環境中，將能提高航天器的可靠性和使用壽命;應用在戰略中，將能提高其效能和突防能力。空間輻射環境對電子器件主要產生電離輻射總劑量(TID)效應和單粒子效應(SEE);核輻射環境尤其是核環境，主要產生瞬時電離輻射總劑量效應、中子輻射效應和電磁脈衝損傷效應。