產品名稱：直流電阻測試儀檢定裝置 泄漏電流測試儀檢定裝置 HN係列 絕緣電阻表檢定裝置 長期供應

安規測試儀檢定裝置有以下幾種 直流電阻測試儀檢定裝置 泄漏電流測試儀檢定裝置 HN係列 絕緣電阻表檢定裝置 長期供應

HN8061A

依據JJG1005—2005《電子式絕緣電阻表檢定規程》、JJG622—1997《絕緣電阻表（兆歐表）檢定規程》,用於檢定電子式絕緣電阻表的示值誤差、跌落電壓、短路電流。
電壓分兩檔：0～500V  0～5000V  -10000V
 短路電流：0～2mA    0～20mA
電阻0-200G-1T-10T本文主要來介紹zigbee工業級方案。TOF測距功能：ZM5168模塊具有硬件Time-of-Flight(ToF)引擎，該引擎具有測量兩個zigbee節點間2.4GHz信號傳輸時間的功能。通過測量節點間信號的傳輸時間，可推算出這兩個zigbee節點的距離。在測量出zigbee節點間的距離後可用於開發zigbee節點等應用係統。兩個zigbee節點間執行ToF的運行機製為：本地節點發送一個ToF報文給遠端節點，遠端節點對這個ToF報文自動回複一個應答，如圖所示。

HN8062A接地電阻表校驗裝置

用於檢定JJG336-2004《接地電阻表檢定規程》所適用的我目前生產的型號的模擬式、數字式接地電阻表以及進口的同類儀表，也可做普通電阻箱使用，具有調節範圍寬，使用方便，造型美觀等優點。噪聲噪聲是開關電源自身產生一種高頻脈衝串，由發生在開關導通與截止瞬間產生的尖脈衝所造成，噪聲的頻率比開關頻率高的多，噪聲電壓的大小很大程度上與開關電源的拓撲、變壓器的繞製、電路中的寄生參數、測試時外部的電磁環境以及PCB的布線設計有關。基於此，紋波和噪聲的區分就很好理解了。下麵開始討論測量。不同示波器測試結果相差的原因如果不同示波器之間的差彆很大，一般是如下幾個原因：未使用20M帶寬限製不同的帶寬引入的噪聲值不同，噪聲值會直接影響Pk-Pk值測量。

HN8063A耐電壓測試儀校驗裝置

1、測量準度： 

電壓：1000v  2500v  5000v  10000v  30000v

準度：1級  0.5級  0.2級種種的不確定使得電網的**穩定運行將承受更大的考驗。對於間歇式可再生能源的功率波動問題，利用儲能平滑波動，參與調峰的相關技術已經有所研究，而電動汽車在當中的大部分時間都是空閒狀態，可以看成是分布式儲能，消納過度的可再生能源，並在電網峰荷期向其輸送電能，同時還可以優化風電並網的經濟性。電能質量電動汽車蓄電池充電屬非線性負荷，其接入也會增加相應的包含大量電力電子裝置的充電設備，充電過程中會產生諧波，采用PWM整流+DC/DC充電機和相應的控製策略，能把諧波限製在較低水平，但其受到容量、成本等限製，並不能得到廣泛的應用。

HN8065A型泄漏電流測試儀檢定裝置

一、性能特點

1、源、表測量範圍：

       電壓源（AC，DC）：電壓：250V、50V、5V

       電流源（AC，DC）：20mA、2mA

       頻率計：10-100Hz測徑儀測量的鋼軸規格較多，外徑尺寸範圍較大，且正常狀態下鋼軸在輥道上行走，鋼軸下沿為固置。為了適應不同規格鋼軸的測量，測徑儀下方測頭為固定安裝，上方測頭安裝在直線導軌滑台上。當切換鋼軸規格時，上方測頭在步進電機的驅動下可以調整與下方測頭的間距，以適應不同規格的測量。調整鏡筒的間距時，通過控製係統輸入命令，驅動步進電機帶動滾珠絲杠即可實現位置的調整。調整完成後係統將自動計入調整距離，不需要進行間距的校準即可進行測量。

HN8066A型接地導通電阻測試儀檢定裝置

2、一次額定電流：25A、2.5A。(大30A、3A)

3、電阻四盤連續帶電可調。

4、直接指示一次電流值，可做交直流大電流標準表用。乾擾信號有三個來源：前端應變片、空間輻射和不“乾淨”電源。前端應變片問題，應變片絕緣不充分會將軌道電壓引入采集設備，產生乾擾，甚至燒毀儀器，因此在完成應變片粘貼後需要測試絕緣電阻，且絕緣電阻應大於20MΩ；不“乾淨”電源問題，會給係統引入工頻乾擾，解決的方法，更換質量較好的隔直適配器或者使用直流電源；空間輻射問題是常見的引起乾擾的原因，解決該問題的方法，不僅僅是使用電纜線，還需要將電纜線單端接地，即將電纜線與采集儀機殼連接，並接入“標準地”。

HN8068A型回路電阻測試儀，直流電阻測試儀檢定裝置

2 一次額定電流：

1A、10A、100A、200A、300A、600A

3 電阻盤0、1、2、3……20帶電可調。

4 直接指示一次電流值,可做直流大電流標準表用。

直流電阻測試儀檢定裝置 泄漏電流測試儀檢定裝置 HN係列 絕緣電阻表檢定裝置 長期供應LED日光燈電源發熱到一定程度會導致燒壞，關於這個問題，也見到過有人在行業論壇發過貼討論過。本文將從芯片發熱、功率管發熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方麵討論LED日光燈電源發熱燒壞MOS管技術。芯片發熱本次內容主要針對內置電源調製器的高壓驅動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上麵，芯片的功耗為0.6W，當然會引起芯片的發熱。驅動芯片的電流來自於驅動功率MOS管的消耗，簡單的計算公式為I=cvf（考慮充電的電阻效益，實際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導通時的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低v和f.如果v和f不能改變，那麼請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。