產品名稱：廠家供應 衝擊電壓試驗裝置 發電機交流耐壓試驗裝置 便攜式交流耐壓測試儀

HNCJ係列雷電衝擊電壓發生裝置
廠家供應 衝擊電壓試驗裝置 發電機交流耐壓試驗裝置 便攜式交流耐壓測試儀產品簡介：

聯係人車高平13608980122/15689901059衝擊電壓發生器主要用於電力設備等試品進行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗，檢驗絕緣性能。衝擊電壓發生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質衝擊擊穿、放電等試驗中。

在帶寬500MHz以下的示波器，一般標配是1倍衰減或10倍衰減的無源，某些的衰減比可手動選擇。不同衰減比的在帶寬、輸入電阻、輸入電容上麵都有差異：圖2ZP1025SA1倍、10倍衰減時的參數差異可見的輸入電容，比晶體手冊的負載電容要大。的介入，必定大大影響到原已參數優化好的電路，從而嚴重影響晶體電路的起振。兩害相權取其輕，測量無源晶振時應優先選用10倍衰減。若10倍衰減的寄生參數還是過大，可以考慮選用有源高壓差分，其負載參數優化得非常小，如Lecroy的ZP1000，輸入阻抗可達0.9p1M歐姆。

衝擊測試係統係應用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開關及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗。此種測試係依據相關的標準規範執行全波（full）或截斷（chopped） 的閃電突波（L.I）

LabVIEW提供了一門編程語言所擁有的語能，隻是它以圖形的方式提供。LabVIEW基本由一個個VI文件組成。每個VI由前麵板和程序框圖組成。可以從兩個角度來理解VI文件：從用戶交互來說，前麵板負責設計用戶交互界麵，類似UI設計工具，一般包括用戶操作控件和輸出結果控件，像文本框、按鈕、波形顯示控件等；而程序框圖負責將用戶的操作經過一係列的處理，並終輸出結果，顯示在前麵板上。從功能模塊來說，每個VI文件類似於C語言中的一個函數，前麵板用來設計函數的參數(輸入)和返回值(輸出)，程序框圖類似函數體，實現具體邏輯。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發生裝置產品特征

本部分主要是控製衝擊電壓發生器的操作，手動或自動完成充放電過程，真正實現智慧化操作。

充電控製功能

係統采用恒流充電。

根據試驗要求，調節充電電壓、充電時間、延時時間，能夠手動或者自動控製電壓發生器的充電過程。采用自動控製方式充電時，根據設定值，自動充電並穩定在充電電壓值上，延時3秒報警觸發。充電電壓的重複性和穩定度很好。

動作控製

本體球距大小能夠自動跟蹤設定充電電壓值，也可手動控製調節球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動跟蹤設定充電電壓值，也可手動控製調節球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態軟件中有顯示。

可控製本體自動接地、充電極性切換、充電次數設定等功能。

手動/自動控製。

² 觸發控製

係統能夠手動、自動或報警觸發衝擊電壓發生器點火。觸發點火信號可以立延時

半導體生產流程由晶圓製造，晶圓測試，芯片封裝和封裝後測試組成，晶圓製造和芯片封裝討論較多，而測試環節的相關知識經常被邊緣化，下麵集中介紹集成電路芯片測試的相關內容，主要集中在WAT，CP和FT三個環節。集成電路設計、製造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對Wafer劃片槽（ScribeLine）測試鍵（TestKey）的測試，通過電性參數來監控各步工藝是否正常和穩定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成製程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測廠的依據，測試方法是用ProbeCard紮在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測試機台上，由WATRecipe自動控製測試位置和內容，測完某條TestKey後，ProbeCard會自動移到下一條TestKey，直到整片Wafer測試完成。