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HNCJ係列雷電衝擊電壓發生裝置
定製定做 衝擊電壓發生裝置 交流耐壓試驗裝置 工頻交流耐壓測試儀產品簡介:
聯係人車高平13608980122/15689901059衝擊電壓發生器主要用於電力設備等試品進行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗,檢驗絕緣性能。衝擊電壓發生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質衝擊擊穿、放電等試驗中。
示波器的協議功能大家都不生疏,你是否有過波形看起來正常,協議參數、設置都正確,卻無法正常的經曆呢?本文以UART協議為例,分享由於波特率漂移導致通信異常的故障排查過程。什麼是波特率漂移呢?可以理解為被測部件晶振有偏差,導致實際波特率和正常的波特率不一致。為什麼波特率漂移會導致通信異常呢?本文從波形出發,帶你自檢結果。波特率漂移導致通信異常的故障排查引出這樣一個真實的例子,PC端發送串口數據為“0EE0610320FF0FC0FF0FF”,示波器結果為“0EE0980F60FC0FF”初步判定通信故障。
衝擊測試係統係應用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開關及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗。此種測試係依據相關的標準規範執行全波(full)或截斷(chopped) 的閃電突波(L.I)
LED日光燈電源發熱到一定程度會導致燒壞,關於這個問題,也見到過有人在行業論壇發過貼討論過。本文將從芯片發熱、功率管發熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方麵討論LED日光燈電源發熱燒壞MOS管技術。芯片發熱本次內容主要針對內置電源調製器的高壓驅動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上麵,芯片的功耗為0.6W,當然會引起芯片的發熱。驅動芯片的電流來自於驅動功率MOS管的消耗,簡單的計算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益,實際I=2cvf,其中c為功率MOS管的cgs電容,v為功率管導通時的gate電壓,所以為了降低芯片的功耗,必須想辦法降低v和f.如果v和f不能改變,那麼請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件,注意不要引入額外的功耗。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發生裝置產品特征
本部分主要是控製衝擊電壓發生器的操作,手動或自動完成充放電過程,真正實現智慧化操作。
充電控製功能
係統采用恒流充電。
根據試驗要求,調節充電電壓、充電時間、延時時間,能夠手動或者自動控製電壓發生器的充電過程。采用自動控製方式充電時,根據設定值,自動充電並穩定在充電電壓值上,延時3秒報警觸發。充電電壓的重複性和穩定度很好。
動作控製
本體球距大小能夠自動跟蹤設定充電電壓值,也可手動控製調節球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態軟件中有顯示。
截波球距大小能夠自動跟蹤設定充電電壓值,也可手動控製調節球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態軟件中有顯示。
可控製本體自動接地、充電極性切換、充電次數設定等功能。
手動/自動控製。
² 觸發控製
係統能夠手動、自動或報警觸發衝擊電壓發生器點火。觸發點火信號可以立延時
什麼是RDMA?RDMA(RemoteDirectMemoryAccess),通俗的說就是遠程的DMA技術,是為了解決網絡傳輸中服務器端數據處理的延遲而產生的。傳統模式與RDMA模式工作機製對比如上圖,在傳統模式下,兩台服務器上的應用之間傳輸數據,過程是這樣的:要把數據從應用緩存拷貝到Kernel中的TCP協議棧緩存;然後再拷貝到驅動層;後拷貝到網卡緩存。多次內存拷貝需要CPU多次介入,導致處理延時大,達到數十微秒。