產品名稱：HN係列 雷電衝擊電壓發生器 調頻串聯諧振 電子式多倍頻發生器

HNCJ係列雷電衝擊電壓發生裝置
HN係列 雷電衝擊電壓發生器 調頻串聯諧振 電子式多倍頻發生器產品簡介：

聯係人車高平13608980122/15689901059衝擊電壓發生器主要用於電力設備等試品進行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗，檢驗絕緣性能。衝擊電壓發生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質衝擊擊穿、放電等試驗中。

電源為何需要浪湧防護電路電源模塊是係統與外部接觸、接口的，外部傳來的浪湧都經過電源模塊，所以需要浪湧防護電路。由於電源模塊體積小，集成度高，內部的控製芯片和晶體管等器件耐壓和電流都比較極限，一個浪湧電壓過來可能就使模塊損壞失效，導致整個係統的，即使冇有立馬損壞，器件受到應力衝擊，也會影響壽命和可靠性，所以為了保證電源模塊持續可靠的應用，一般都需要加上浪湧防護電路。電源模塊受限於體積小，很多模塊內部不能加上防浪湧電路，所以需要在模塊的外部加上防浪湧電路。

衝擊測試係統係應用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開關及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗。此種測試係依據相關的標準規範執行全波（full）或截斷（chopped） 的閃電突波（L.I）

回想您過去作為工程師的一年：您的角色發生了何種變化？過去五年又發生了哪些變化？隨著技術變革的步伐不斷加快，您必須調整工作的各個方麵，並提率。一起拜讀下這篇來自NI產品營銷經理JonahPaul的LabVIEWNXG優勢盤點好文。在Aspencore（前稱UBM）2015年進行的一項測試測量研究中，包括半導體、汽車、國防和航天在內的多個行業的工程師列出以下幾個方麵為其測試開發演變過程中主要的變化：“適應快速變化的技術，為終端用戶提供測試能力和價值。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發生裝置產品特征

本部分主要是控製衝擊電壓發生器的操作，手動或自動完成充放電過程，真正實現智慧化操作。

充電控製功能

係統采用恒流充電。

根據試驗要求，調節充電電壓、充電時間、延時時間，能夠手動或者自動控製電壓發生器的充電過程。采用自動控製方式充電時，根據設定值，自動充電並穩定在充電電壓值上，延時3秒報警觸發。充電電壓的重複性和穩定度很好。

動作控製

本體球距大小能夠自動跟蹤設定充電電壓值，也可手動控製調節球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動跟蹤設定充電電壓值，也可手動控製調節球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態軟件中有顯示。

可控製本體自動接地、充電極性切換、充電次數設定等功能。

手動/自動控製。

² 觸發控製

係統能夠手動、自動或報警觸發衝擊電壓發生器點火。觸發點火信號可以立延時

LED日光燈電源發熱到一定程度會導致燒壞，關於這個問題，也見到過有人在行業論壇發過貼討論過。本文將從芯片發熱、功率管發熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方麵討論LED日光燈電源發熱燒壞MOS管技術。芯片發熱本次內容主要針對內置電源調製器的高壓驅動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上麵，芯片的功耗為0.6W，當然會引起芯片的發熱。驅動芯片的電流來自於驅動功率MOS管的消耗，簡單的計算公式為I=cvf（考慮充電的電阻效益，實際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導通時的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低v和f.如果v和f不能改變，那麼請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。