產品名稱：定製定做 衝擊電壓測試係統 油浸式試驗變壓器 超低頻耐壓試驗裝置

HNCJ係列雷電衝擊電壓發生裝置
定製定做 衝擊電壓測試係統 油浸式試驗變壓器 超低頻耐壓試驗裝置產品簡介：

聯係人車高平13608980122/15689901059衝擊電壓發生器主要用於電力設備等試品進行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗，檢驗絕緣性能。衝擊電壓發生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質衝擊擊穿、放電等試驗中。

半導體材料研究和器件測試通常要測量樣本的電阻率和霍爾電壓。半導體材料的電阻率主要取決於體摻雜，在器件中，電阻率會影響電容、串聯電阻和閾值電壓。霍爾電壓測量用來推導半導體類型(n還是p)、自由載流子密度和遷移率。為確定半導體範德堡法電阻率和霍爾電壓，進行電氣測量時需要一個電流源和一個電壓表。為自動進行測量，一般會使用一個可編程開關，把電流源和電壓表切換到樣本的所有側。A-SCS參數儀擁有4個源測量單元(SMUs)和4個前置放大器(用於高電阻測量)，可以自動進行這些測量，而不需可編程開關。

衝擊測試係統係應用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開關及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗。此種測試係依據相關的標準規範執行全波（full）或截斷（chopped） 的閃電突波（L.I）

分布式光纖溫度傳感係統是一種用於實時測量空間溫度場分布的傳感係統，實質上是分布光纖拉曼(Raman)光子傳感器(DOFRPS)係統，它是近年來發展起來的一種用於實時測量空間溫度場的光纖傳感係統。本文擬在簡要闡述分布式光纖監測技術和分布式光纖溫度監測技術及其校準原理的基礎上，對分布式光纖傳感溫度測試係統性能標定方法進行介紹，為該係統在工程結構監測中的應用提供借鑒。原理介紹1.分布式光纖監測技術光纖光時域反射(OTDR)原理當激光脈衝在光纖中傳輸時，由於光纖中存在折射率的微觀不均勻性，會產生瑞利散射，在時域裡，激光脈衝在光纖中所走過的路程為2L，可表示為2L=V×t式中:V——光在光纖中傳播的速度，可表示為V=cn，其中c為真空中的光速，n為光纖的折射率；t——入射光經背向散射返回到光纖入射端所需的時間。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發生裝置產品特征

本部分主要是控製衝擊電壓發生器的操作，手動或自動完成充放電過程，真正實現智慧化操作。

充電控製功能

係統采用恒流充電。

根據試驗要求，調節充電電壓、充電時間、延時時間，能夠手動或者自動控製電壓發生器的充電過程。采用自動控製方式充電時，根據設定值，自動充電並穩定在充電電壓值上，延時3秒報警觸發。充電電壓的重複性和穩定度很好。

動作控製

本體球距大小能夠自動跟蹤設定充電電壓值，也可手動控製調節球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動跟蹤設定充電電壓值，也可手動控製調節球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態軟件中有顯示。

可控製本體自動接地、充電極性切換、充電次數設定等功能。

手動/自動控製。

² 觸發控製

係統能夠手動、自動或報警觸發衝擊電壓發生器點火。觸發點火信號可以立延時

半導體生產流程由晶圓製造，晶圓測試，芯片封裝和封裝後測試組成，晶圓製造和芯片封裝討論較多，而測試環節的相關知識經常被邊緣化，下麵集中介紹集成電路芯片測試的相關內容，主要集中在WAT，CP和FT三個環節。集成電路設計、製造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對Wafer劃片槽（ScribeLine）測試鍵（TestKey）的測試，通過電性參數來監控各步工藝是否正常和穩定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成製程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測廠的依據，測試方法是用ProbeCard紮在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測試機台上，由WATRecipe自動控製測試位置和內容，測完某條TestKey後，ProbeCard會自動移到下一條TestKey，直到整片Wafer測試完成。