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HNZDL係列可編程直流穩壓電源 可編程直流穩壓穩流電源 大電流電解電源 老化電源 5年保修
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直流輸出 電壓:0- 6000V連續可調
電流:0- 100000A連續可調
源電壓效應 ≤0.2%有效值
負載效應 穩壓精度:≤0.5%有效值(阻性負載)
恒流精度:≤0.5%有效值(阻性負載)利用金屬良好的延展性製成很薄和電阻為定值的金屬片即應變片,粘貼在被測軸係的光滑表麵上,當應力作用於被測軸係上後,被測軸的表麵就會在扭力作用下產生變形,應力傳遞到應變片,受拉壓力應力應變片的電阻發生與被測軸表麵變形成正比的變化,因此被測軸的變形量就可以通過測量應變片電阻的變化量來實現,進而軸係的扭矩值也就可以測量出來,應變片在安裝時,沿扭矩軸中心線45°f方便粘貼四個應變片,組成全橋式電路。電阻應變片粘貼方式和電路示意圖應變片式測量儀的尺寸小、使用範圍廣、測量精度高,結構簡單,不僅適合於靜態測量而且適合於短時動態測量。
電壓電流設定 多圈電位器、按鍵式、液晶觸摸屏(可選)
過壓保護 內置O.V.P保護,保護值為額定值+5%,保護後關閉輸出,重新開機解鎖
過流保護 過載、短路、定電流輸出LED日光燈電源發熱到一定程度會導致燒壞,關於這個問題,也見到過有人在行業論壇發過貼討論過。本文將從芯片發熱、功率管發熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方麵討論LED日光燈電源發熱燒壞MOS管技術。芯片發熱本次內容主要針對內置電源調製器的高壓驅動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上麵,芯片的功耗為0.6W,當然會引起芯片的發熱。驅動芯片的電流來自於驅動功率MOS管的消耗,簡單的計算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益,實際I=2cvf,其中c為功率MOS管的cgs電容,v為功率管導通時的gate電壓,所以為了降低芯片的功耗,必須想辦法降低v和f.如果v和f不能改變,那麼請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件,注意不要引入額外的功耗。
功率直流電源主要由整流濾波電路,全橋變換電路,PWM控製電路,穩壓、限壓電路,穩流、限流保護電路,以及輔助電源電路等優化組合而成。
三相電網(或單相)電壓經電源開關進入大功率直流電源後,進行整流濾波,得到的520VDC(單相為300VDC)的平滑直流電壓供給逆變電路。機內控製電源自三相輸入電壓取一路380CAC(或單相220VAC)經變壓器降壓穩流後,再通過三端穩壓器得到DC±12V電壓供給各部分控製電路使用。
逆變電路主要由大功率IG模塊(或場效應MOSFET模塊)組成全橋變換電路。當PWM輸出控製信號通過隔離驅動器分彆驅動功率模塊,兩組對角管分彆交替導通,在高頻變壓器初級產生高頻脈衝電壓,次級電壓由高頻變壓器變壓後整流向負載提供能量。
停機時把調節旋鈕調至較小位置並切斷電源開關,把啟動、停止開關撥至停止位置。
10.8、自動計時功能(500A以下自動機型才有):自動計時功能是檢測輸入電流是否大於5A,大於5A則開始記時,時控開關‘時控關’,到預置時間報警,並把電流降到10%額定電流以內,工件拿出後,時控不工作,待下一工件放下開始自動工作。當使用電流小於5A時
