HN2016智能sf6微水測試儀冷鏡式露點儀 SF6綜合測試儀 氣體定量檢漏儀 30年經驗

露點	測量範圍	－80 ℃～+20 ℃
	測量精度	±1℃（－80℃～＋20℃）
	測量時間 （＋20℃）	<3分鐘。
環境溫度	－40℃～＋60℃

在ISO882-5_27及ISO882-1_25的道路車輛熔斷器國標中，對熔斷器的參數定義及測試指標做了詳細的說明。完整的絲相關測試包含導通壓降測試，熔斷時間，級進電流及分段能力測試。本文主要以SF3和SF51為待測對象，重點介紹熔斷時間測試。熔斷時間實驗要求下圖摘自ISO882-1_27國標中針對SF3和SF51的熔斷測試要求，熔斷時間需在過載電流從1.1IR~6.IR範圍內測試，當過載電流越大，熔斷時間越快。1、連接SF₆設備

將測量管道上螺紋端與開關接頭連接好，用扳手擰緊，關閉測量管道上另一端的針型閥；

再把測試管道上的快速接頭一端插入儀器上的采樣口；

將排氣管道連接到出氣口。

後將開關接頭與SF₆電氣設備測量接口連接好，用扳手擰緊；

2、檢查電量

本儀器優先使用交流電。

使用直流電時，請查看右上角顯示的電池電量，如果電量低於約20％，請關機充電後繼續使用。

3、開始測量

打開儀測量管道上的針型閥，然後用麵板上的流量閥調節流量，把流量調節到0.5L/M左右，開始測量SF₆露點。

設備測量時間需要5～10分鐘，其後每台設備需要3～5分鐘。

4、存儲數據

設備測量完成後，可以將數據保存在儀器中，按“確定”鍵調出操作菜單，具體操作方式見下節內容。WLP(WaferLevelPackaging)：晶圓級封裝，是一種以BGA為基礎經過改進和提高的CSP，直接在晶圓上進行大多數或是的封裝測試程序，之後再進行切割製成單顆組件的方式。上述封裝方式中，係統級封裝和晶圓級封裝是當前受到熱捧的兩種方式。係統級封裝因涉及到材料、工藝、電路、器件、半導體、封裝及測試等技術，在技術發展的過程中對以上領域都將起到帶動作用促進電子製造產業進步。晶圓級封裝可分為扇入型和扇出型，IC製造領域巨頭台積電能夠拿下蘋果A10訂單，其開發的集成扇出型封裝技術功不可冇。

5、測量其他設備

一台設備測量後，關閉測量管道上的針型閥和微水儀上的調節閥。將轉接頭從SF₆電氣設備上取下。如果需要繼續測量其他設備，按照上麵步驟繼續測量下一台設備。

6、測量結束

所有設備測量結束後，關閉儀器電源。

一、 菜單操作

在測量狀態，通過確定鍵可以進入功能菜單，如圖1。

1、保存數據

在測量狀態，通過按“確定”鍵可以進入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇“保存記錄”菜單，按“確定”鍵，進入保存數據頁麵，保存數據時，可以根據設備進行編號。

設備編號多為六位，可以通過“上”、“下”鍵增加數值大小，“左”、“右”鍵調整數據位數。

輸入編號後，按“確定”鍵，完成保存數據。按“返回”鍵可以返回上一頁，此時不保存數據。

2、查看記錄

在測量狀態，通過按“確定”鍵可以進入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇“查看記錄”菜單，按“確定”鍵，進入查看記錄頁麵。

顯示時從後一個被保存的數據開始。

可以按“上”、“下”鍵翻看數據。同時，SPI也冇有多主器件協議，必須采用很複雜的軟件和外部邏輯來實現多主器件架構。每個從器件需要一個單的從選擇信號。總信號數終為n+3個，其中n是總線上從器件的數量。導線的數量將隨增加的從器件的數量按比例增長。同樣，在SPI總線上添加新的從器件也不方便。對於額外添加的每個從器件，都需要一條新的從器件選擇線或邏輯。圖2顯示了典型的SPI讀/寫周期。在地址或命令字節後麵跟有一個讀/寫位。數據通過MOSI信號寫入從器件，通過MISO信號自從器件中讀出。

3、刪除記錄

在測量狀態，通過按“確定”鍵可以進入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇“刪除記錄”菜單，按“確定”鍵，可刪除所有數據。

4、修改時間

在測量狀態，通過按“確定”鍵可以進入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇修改時間，按“確定”鍵，進入修改時間頁麵。

通過“上”、“下”鍵可以增加時間數值，“左”、“右”鍵可以減小時間數值。

輸入小時、分鐘、秒後，按“確定”鍵可以轉到下一個修改域內。

 也就是說，壓痕接觸麵積愈大，超聲硬度計的示值愈低。而非壓痕接觸大大地增加了壓頭與被測表麵的接觸麵積，致使硬度計示值偏低於真實值。試驗證明，洛氏硬度測量偏差在10HRC左右；布氏硬度測量偏差在20HB左右。解決辦法：在測量試樣硬度時，我們必須注意被測表麵粗糙度是否符合硬度計的檢測條件。在正常使用硬度計的條件下，必須保證試樣的被測表麵粗糙度值小於或等於Ra=0.8μm，若試樣的被測表麵粗糙度值大於Ra=0.8μm，可以通過機械方法（上磨床）或手工方法，對被測表麵進行研磨修整，法國凱茂KIMO使試樣的被測表麵粗糙度達到檢側條件。