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HN2016智能sf6微水測試儀冷鏡法露點儀 SF6綜合測試儀 sf6冷鏡法露點儀 高質量
露點 |
測量範圍 |
-80 ℃~+20 ℃ |
測量精度 |
±1℃(-80℃~+20℃) |
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測量時間 (+20℃) |
<3分鐘。 |
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環境溫度 |
-40℃~+60℃ |
新能源電機的超速測試從新能源汽車電機的發展來看,轉速會越來越高,峰值轉速會更高,超速測試的難度就會加大,按照電機測試標準,超速測試方法如下:測試目的:檢查電機的安裝質量、實驗轉子各部分承受離型力的機械強度和軸承在超速時的機械強度。測試方法:在被測電空載運行的情況下,使用被測電機控製器使電機勻速運行到1.2倍的轉速,在此工況下運行不低於2min。或者被測電機不通電,在測功機的拖動下勻速運行到1.2倍的轉速,同樣在此工況下運行不低於2min。1、連接SF6設備
將測量管道上螺紋端與開關接頭連接好,用扳手擰緊,關閉測量管道上另一端的針型閥;
再把測試管道上的快速接頭一端插入儀器上的采樣口;
將排氣管道連接到出氣口。
後將開關接頭與SF6電氣設備測量接口連接好,用扳手擰緊;
2、檢查電量
本儀器優先使用交流電。
使用直流電時,請查看右上角顯示的電池電量,如果電量低於約20%,請關機充電後繼續使用。
3、開始測量
打開儀測量管道上的針型閥,然後用麵板上的流量閥調節流量,把流量調節到0.5L/M左右,開始測量SF6露點。
設備測量時間需要5~10分鐘,其後每台設備需要3~5分鐘。
4、存儲數據
設備測量完成後,可以將數據保存在儀器中,按“確定”鍵調出操作菜單,具體操作方式見下節內容。由於轉子外圓麵被製成有均勻分布的齒和槽,故在氣隙和電樞體或渦流環表麵產生疏密相間的磁場,轉子被拖動旋轉時,電樞體和渦流環內表麵上任何一點的磁場產生叫變變化,由此感應出“渦流”,在“渦流”和磁場的耦合作用下,在轉子上產生製動力矩。由於電樞體是通過機座固定在底板上的,故轉子無法帶動電樞體旋轉,動力機械輸出的功率被轉化成電樞體和渦流環上“渦流”產生的等值熱量,熱量由進入電樞體和渦流環冷卻水槽中持續不斷的冷卻水及渦流製動器自身消耗。
5、測量其他設備
一台設備測量後,關閉測量管道上的針型閥和微水儀上的調節閥。將轉接頭從SF6電氣設備上取下。如果需要繼續測量其他設備,按照上麵步驟繼續測量下一台設備。
6、測量結束
所有設備測量結束後,關閉儀器電源。
一、 菜單操作
在測量狀態,通過確定鍵可以進入功能菜單,如圖1。
隻要一個簡單的內部AND或者OR門控就足以避免使用外部組件,或是改善CPU性能。所有四種方法都支持用定製邏輯門控輸入和輸出信號。這類方法可借助時鐘門控輸入,以便使用計數器測量外部時鐘頻率。這四類邏輯模塊均支持的一個簡單例子是一種調製UART輸出,使之用於IR通信的方法。在此例中,不僅有所示的內部AND門控,還能夠將來自時鐘或計數器的信號及UARTTX輸出路由到AND門控。簡單調製的UART[pagebreak]AtmelXMEGA定製邏輯(XCL)AtmelXCL模塊內置兩個LUT(查找表)模塊,配套兩個8位定時器/計數器模塊。
1、保存數據
在測量狀態,通過按“確定”鍵可以進入功能菜單,按“上”、“下”鍵選擇“保存記錄”菜單,按“確定”鍵,進入保存數據頁麵,保存數據時,可以根據設備進行編號。
設備編號多為六位,可以通過“上”、“下”鍵增加數值大小,“左”、“右”鍵調整數據位數。
輸入編號後,按“確定”鍵,完成保存數據。按“返回”鍵可以返回上一頁,此時不保存數據。
2、查看記錄
在測量狀態,通過按“確定”鍵可以進入功能菜單,按“上”、“下”鍵選擇“查看記錄”菜單,按“確定”鍵,進入查看記錄頁麵。
顯示時從後一個被保存的數據開始。
可以按“上”、“下”鍵翻看數據。本文討論集成PGIA及其優勢。文中還會討論相關限製,以及為滿足特定要求而構建分立PGIA時應遵循的指導原則。數據采集係統(DAQ)在許多行業應用廣泛,研究、、設計驗證、製造和測試等。這些係統與傳感器接口,從而給前端設計帶來挑戰。必須考慮不同傳感器的靈敏度,,係統可能需要連接輸出為10mV和靈敏度為微伏以下的負載傳感器,同時還要連接針對10V輸出而預調理的傳感器。隻有一個增益時,係統需要具有非常高的分辨率來檢測兩個輸入。
3、刪除記錄
在測量狀態,通過按“確定”鍵可以進入功能菜單,按“上”、“下”鍵選擇“刪除記錄”菜單,按“確定”鍵,可刪除所有數據。
4、修改時間
在測量狀態,通過按“確定”鍵可以進入功能菜單,按“上”、“下”鍵選擇修改時間,按“確定”鍵,進入修改時間頁麵。
通過“上”、“下”鍵可以增加時間數值,“左”、“右”鍵可以減小時間數值。
輸入小時、分鐘、秒後,按“確定”鍵可以轉到下一個修改域內。
不僅解決了這些行業的加工難題,同時也為這些行業帶來了更多的加工解決方案,是現在加工製造發展的又一次飛躍。現在光纖激光器的高速發展,離不開現在光纖激光器的雙包層結構和包層泵浦技術的支持,也離不開現在的半導體激光工藝的成熟,而光纖光柵的刻劃和多元耦合器的實現著無疑不是推動了現在光纖激光器的快速發展,讓現在的光纖激光技術能夠快速滲透到我們現在加工的多方麵。目前我們的光纖激光器主要是通過參雜稀有元素作為激光介質,包括摻雜Yb3+,Nd3+,Er3+,Ho3+,Tm3+等離子材料。