HN2016智能sf6微水測試儀sf6純度儀 氣體抽真空充放裝置 sf6冷鏡式露點測試儀 30年經驗

露點	測量範圍	－80 ℃～+20 ℃
	測量精度	±1℃（－80℃～＋20℃）
	測量時間 （＋20℃）	<3分鐘。
環境溫度	－40℃～＋60℃

檢波器輸出端的低通濾波器稱為濾波器，用在掃描時對響應進行平滑。頻譜儀原理框圖分辨帶寬在頻譜儀中，頻率分辨率是一個非常重要的概念，它是由中頻濾波器的帶寬所確定的，這個帶寬決定了儀器的分辨帶寬。，濾波器的帶寬是100KHZ。那麼譜線頻率就有100KHZ的不定性，也即在一個濾波器的帶寬頻率範圍內，出現了兩條譜線的話，則儀器不能檢出這兩條譜線，而隻顯示一條譜線，此時儀器所反映的譜線電平（功率）是這兩條譜線的電平功率的疊加。1、連接SF₆設備

將測量管道上螺紋端與開關接頭連接好，用扳手擰緊，關閉測量管道上另一端的針型閥；

再把測試管道上的快速接頭一端插入儀器上的采樣口；

將排氣管道連接到出氣口。

後將開關接頭與SF₆電氣設備測量接口連接好，用扳手擰緊；

2、檢查電量

本儀器優先使用交流電。

使用直流電時，請查看右上角顯示的電池電量，如果電量低於約20％，請關機充電後繼續使用。

3、開始測量

打開儀測量管道上的針型閥，然後用麵板上的流量閥調節流量，把流量調節到0.5L/M左右，開始測量SF₆露點。

設備測量時間需要5～10分鐘，其後每台設備需要3～5分鐘。

4、存儲數據

設備測量完成後，可以將數據保存在儀器中，按“確定”鍵調出操作菜單，具體操作方式見下節內容。不過，此類應用中存在一個經常被忽視的問題，即外部信號導致的高頻乾擾，也就是通常所說的“電磁乾擾(EMI)”。EMI可以通過多種方式發生，主要受終應用影響。，與直流電機接口的控製板中可能會用到儀表放大器，而電機的電流環路包含電源引線、電刷、換向器和線圈，通常就像天線一樣可以發射高頻信號，因而可能會乾擾儀表放大器輸入端的微小電壓。另一個例子是汽車電磁閥控製中的電流檢測。電磁閥由車輛電池通過長導線來供電，這些導線就像天線一樣。

5、測量其他設備

一台設備測量後，關閉測量管道上的針型閥和微水儀上的調節閥。將轉接頭從SF₆電氣設備上取下。如果需要繼續測量其他設備，按照上麵步驟繼續測量下一台設備。

6、測量結束

所有設備測量結束後，關閉儀器電源。

 

一、 菜單操作

在測量狀態，通過確定鍵可以進入功能菜單，如圖1。

具有省電、性能穩定、體積小、承載能力大，比一般電磁繼電器性能優越的特點。根據繼電器的型號不同，可以是交流電壓，也可以是直流電壓。下麵我們主要介紹一款需要直流電壓供電的磁保持繼電器的測試方法。磁保持繼電器內部圖1.IT64係列LIST功能IT64係列是四象限電源，具有list功能，可按照程序所編的電壓電流值輸出。單通道輸出功率15W，電壓可達±6V，電流±1A，雙極性雙範圍輸出。LIST功能實測案例以下是測試要求：磁保持繼電器的老化測試，就是重複讓產品斷開和閉合，進行老化測試。脈衝波形：+4.5V,5msV,5ms-4.5V,5msV,5ms測試磁保持繼電器的吸合電壓和釋放電壓。一般采用步進增大或者減小電壓值的方法去測試。電壓上升階梯波形：1V為初始值，.1V,1ms進行升壓，直至產品動作;再以-1V為初始值，-.1V,1ms進行升壓，直至產品動作。

1、保存數據

在測量狀態，通過按“確定”鍵可以進入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇“保存記錄”菜單，按“確定”鍵，進入保存數據頁麵，保存數據時，可以根據設備進行編號。

設備編號多為六位，可以通過“上”、“下”鍵增加數值大小，“左”、“右”鍵調整數據位數。

輸入編號後，按“確定”鍵，完成保存數據。按“返回”鍵可以返回上一頁，此時不保存數據。

2、查看記錄

在測量狀態，通過按“確定”鍵可以進入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇“查看記錄”菜單，按“確定”鍵，進入查看記錄頁麵。

顯示時從後一個被保存的數據開始。

可以按“上”、“下”鍵翻看數據。研究發現：減小微波脈衝的寬度與提高微波脈衝的峰值功率都能改善成像分辨率、獲得更好的成像效果。同時，越窄的微波脈寬（幾十納秒脈寬），對身體潛在的熱損傷越小。基於1465係列微波信號發生器（窄脈衝選件）為您提供具有高速上升下降沿時間（1ns以內）、高精度脈寬到2ns和準確穩定的功率電平輸出窄脈衝調製信號，且窄脈衝調製信號具有多種調製格式如脈內線性調頻、脈內調相等特點，能夠為被測設備的測試提供更豐富的激勵信號。

3、刪除記錄

在測量狀態，通過按“確定”鍵可以進入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇“刪除記錄”菜單，按“確定”鍵，可刪除所有數據。

4、修改時間

在測量狀態，通過按“確定”鍵可以進入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇修改時間，按“確定”鍵，進入修改時間頁麵。

通過“上”、“下”鍵可以增加時間數值，“左”、“右”鍵可以減小時間數值。

輸入小時、分鐘、秒後，按“確定”鍵可以轉到下一個修改域內。

 半導體生產流程由晶圓製造，晶圓測試，芯片封裝和封裝後測試組成，晶圓製造和芯片封裝討論較多，而測試環節的相關知識經常被邊緣化，下麵集中介紹集成電路芯片測試的相關內容，主要集中在WAT，CP和FT三個環節。集成電路設計、製造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對Wafer劃片槽（ScribeLine）測試鍵（TestKey）的測試，通過電性參數來監控各步工藝是否正常和穩定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成製程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測廠的依據，測試方法是用ProbeCard紮在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測試機台上，由WATRecipe自動控製測試位置和內容，測完某條TestKey後，ProbeCard會自動移到下一條TestKey，直到整片Wafer測試完成。