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HNDL800 JP櫃 配電箱溫升試驗係統 三回路配電箱溫升試驗裝置HNDL 大電流溫升試驗設備 容量大 定製定做
聯係人車高平13608980122/15689901059用於箱變,配電箱額定電流溫升試驗。溫升試驗裝置技術性能需滿足根據GB/T11022、DL/T 593、GB/T 3906、DL/T 404等試驗標準對開關櫃進行試驗的要求。網絡覆蓋質量嚴重影響功耗當覆蓋較差時,通過多次重發提高通信成功率,但會延長發送時間,從而引起功耗增加,儘量避免長期在覆蓋等級2狀態下時工作。根據PSM特性優化網絡通信協議當覆蓋較差時會出現多次重發,如果一直保持連接狀態,如果有多組上下行交互數據,則相當一部分功耗浪費在等待,此時可以進入Idle狀態等待,以降低功耗。遠程閥控PSMeDRX由於不能實現網絡喚醒,暫時不能實現實時下行,eDRX的靜態功耗較高,PSM頻繁重連耗電也較高;必須由終端觸發上行後才能間接實現下行,充值時要求用戶按下按鍵。
1.2 技術參數要求
恒流輸出電流:AC範圍 0到額定電流,連續可調, 且該輸出電流為真有效值(指負載被試開關櫃及相關標準規定的試驗附件, 可輸出的電流有效值, 電流穩定輸出時間應滿足工作時間要求)
輸出波形:標準正弦波
輸出頻率: 50Hz (+5%, -2%)
輸出電壓:0-6V,且連續可調
工作時間:大電流輸出不少於24小時
輸出相數:三相 多路
LED日光燈電源發熱到一定程度會導致燒壞,關於這個問題,也見到過有人在行業論壇發過貼討論過。本文將從芯片發熱、功率管發熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方麵討論LED日光燈電源發熱燒壞MOS管技術。芯片發熱本次內容主要針對內置電源調製器的高壓驅動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上麵,芯片的功耗為0.6W,當然會引起芯片的發熱。驅動芯片的電流來自於驅動功率MOS管的消耗,簡單的計算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益,實際I=2cvf,其中c為功率MOS管的cgs電容,v為功率管導通時的gate電壓,所以為了降低芯片的功耗,必須想辦法降低v和f.如果v和f不能改變,那麼請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件,注意不要引入額外的功耗。
1.3 恒流源配置列表:(按照客戶具體需求配置)
序號 |
名稱 |
數量 |
1 |
3回路三相0-100A電流調節器 |
1 |
2 |
3回路三相0-400A電流調節器 |
1 |
3 |
3回路三相0-630A電流調節器 |
1 |
4 |
3回路三相0-800A電流調節器 |
1 |
