產品名稱：三相溫升大電流發生器 開關櫃溫升試驗設備 開關櫃溫升試驗裝置 5年保修

HNDL係列全自動大電流發生器測試係統三相溫升大電流發生器 開關櫃溫升試驗設備 開關櫃溫升試驗裝置 5年保修

是青島華能遠見有限公司自主研製開發的專業應用於母線槽、頻率50Hz開關、電流互感器和其它電器設備的電流負載速斷試驗及溫升試驗。則有效的保證了測試數據的準確性。整機測試單元包括：高精度毫秒計、真有效值電流表、電流傳感器（進口件）、調壓器、大功率升流器、微電腦控製器等部分。自動調壓輸出電流。精度是儀器在規定的誤差範圍內測量參數值的能力。換句話說，X加減Y，冇有誤差限製（和單位）一個34的測量值是冇有意義的。同樣地，一個5的誤差說明也是冇有用的，甚至一個百分之五的誤差說明也幾乎冇有幫助。那到底是正或負百分之五，還是正百分之三和負百分之二？為了準確，精度應該像這樣規定，34V+/-1V，34V+/-1%，或34V+2/-1V。請多花時間了解射頻測量的術語並熟悉它們的意義。您關於測量的表達越準確，結果就越利於理解也越可信。

特點

1、 采用10英寸真彩大液晶觸摸屏操作；測試無需外接任何輔助設備，全自動控製，式操作，簡單方便。

2、 帶有自動穩流係統，工控機可實現四遙控能

3、 采用當前電力電子技術，抗乾擾能力強，輸出精度高，紋波係數小於0.2％，準確度高於0.5%；。

4、 自動試驗隻需設置好目標電流即可，無需人工監控，僅需設定測試電流，省去手動調壓，減小勞動強度，提高工作效率。運行時間可自由設定

5、絕緣耐壓 1800/AC  1min,   絕緣等級：B級

 由於雙電層電容的充放電純屬於物理過程，其循環次數高，充電過程快，因此比較適合在電動車中應用。雙電層超級電容是靠極化電解液來儲存電能的一種新型儲能裝置，其原理結構如圖l所示。當向電極充電時，處於理想化電極狀態的電極表麵電荷將吸引周圍電解質溶液中的離子，使這些離子附於電極表麵形成雙電荷層，構成雙電層電容。由於超級電容與傳統電容相比，儲存電荷的麵積大得多，電荷被隔離的距離小得多，因此一個超級電容單元的電容量就高達幾法至數萬法。

二、技術指標

1.輸入 交流50Hz , 380V。

2.可三相平衡的輸出0—20000A交流大電流。運行時段可自行設定。

3. 輸出開口電壓：0-20V.

4.電流精度 ：各電流均可平滑平穩連續可調，精度高於0.5級.電流電壓表顯示為真有效數值，精度高、穩定度高。

5.電流波形失真   THD 1%  設計標準遠遠高於國標<<GB14048.2-14>>.

6.保護設置  過流、過壓

7.絕緣阻抗  20兆歐

8.絕緣耐壓  1800/AC  1MIN

9.可測被測元件的電流動作時間。並可同步記錄鎖定動作時間。常開、常閉觸點自動判彆。測時範圍：0.01S---99999.99s,精度;0. 01s.將接頭組件與檢測器相接後將其擰緊，並且要保證有尾吹氣流。其次操作人員需要向檢測器注射溶劑，在注射完畢之後，需要將熱導池的溫度持續的加熱。操作人員需要注意的是：熱導池的溫度加熱到比平時的溫度高出二十攝氏度到三十攝氏度；後等到檢測器的溫度降到平時的溫度時，將其進行安裝即可。種：氫火焰離子化檢測器的清洗。這種檢測器的清洗需要從兩個方麵來看：個，如果檢測器不是太臟的情況下，可以不用將檢測器拆下來進行清洗。

三、操作方法

1、儀器接入380V電壓，在將儀器後麵電流輸出端子與被測品接通構成電流回路接線端子要緊固。麵板上的常閉觸點要接到被測品的輔助常閉觸點上。

2、打開儀器側麵空氣開關，等待幾秒進入試驗選擇界麵如下圖：

電流輸出線與常閉觸點接入後，注急停按鈕不要按下，直接按啟動按鈕，即可通過點擊觸控屏升降按鈕來調節電流輸出大小。(每次試驗結束後，都要按下麵板歸零按鈕讓調壓器自動歸零位)。

2) 自動升流就選擇進入“自動試驗”界麵如下圖：

自動試驗時，每次都要先選擇“參數設置”來設置輸出電流大小。做長時間運行可自由設定運行時間。如下圖：增益壓縮測量軌跡圖中軌跡含義如下：表1壓縮參數表通過一次測量，即可得到全頻段的壓縮點，並且可以將壓縮點的輸入功率，輸出功率，增益等信息一次顯示出來。每條軌跡都支持幅度，相位，圓圖，極坐標等多種格式的顯示。通過壓縮參數與線性S參數的對比，可以看出放大器在線性區和飽和區的工作狀態發生了哪些改變。如果要獲得更多的參數，可以選擇增加軌跡，來獲得更多信息。掃描方法放大器增益壓縮測量有三種掃描方法：智能掃描和兩種二維掃描。

1.在連接儀器測試線前，應先檢查各項調壓器是否歸零。急停按鈕是否關閉。

2.輸出電流2500A以上時，電流輸出線一定要緊固。試驗時間≤300s。100mA到1A是當前大多數產品的電流範圍，特彆是目前350mA(或者更確切地說，光電半導體結的電流密度為350mA/mm2)是熱管理和照明效率間常采納的折衷方案。控製LED驅動器的積體電路是矽基的，所以在1.25V的範圍內有一個典型的帶隙。要在1.25V處達到1%的容差，亦即需要±12.5mV的電壓範圍。這並不難實現，能達到這種容差或更好容差範圍的低價電壓參考電路或電源控製IC種類繁多，價格低廉。