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HNDL係列全自動大電流發生器測試係統大電流直流電源 三相大電流試驗裝置 溫升測試儀 定製定做
是青島華能遠見有限公司自主研製開發的專業應用於母線槽、頻率50Hz開關、電流互感器和其它電器設備的電流負載速斷試驗及溫升試驗。則有效的保證了測試數據的準確性。整機測試單元包括:高精度毫秒計、真有效值電流表、電流傳感器(進口件)、調壓器、大功率升流器、微電腦控製器等部分。自動調壓輸出電流。在為客戶提供支持時,我遇到的常見的問題就是直流感應。直流感應方法很簡單,就是安放一個與負載(分流電阻器)串聯的電阻器,然後測量整個電阻器的電壓(分流電壓)。對於頻程為10至15倍的負載電流而言,這種方法極為有效。但是低功耗應用需要30倍乃至更高頻程的電流感應解決方案。使用線件測量分流電壓時,實現這種寬負載電流範圍可能很困難。所示的是兩個增益如何能夠增大可測量負載電流範圍。
特點
1、 采用10英寸真彩大液晶觸摸屏操作;測試無需外接任何輔助設備,全自動控製,式操作,簡單方便。
2、 帶有自動穩流係統,工控機可實現四遙控能
3、 采用當前電力電子技術,抗乾擾能力強,輸出精度高,紋波係數小於0.2%,準確度高於0.5%;。
4、 自動試驗隻需設置好目標電流即可,無需人工監控,僅需設定測試電流,省去手動調壓,減小勞動強度,提高工作效率。運行時間可自由設定
5、絕緣耐壓 1800/AC 1min, 絕緣等級:B級
線繞電阻式和熱偶電阻式三種主要類型。這三種類型傳感器各有特點,其應用場合也略有區彆。熱敏電阻式溫度傳感器靈敏度高、響應特性較好,但線性差、適應溫度較低。其中,通用型的測溫範圍為-5℃~3℃,精度為1.5%,響應時間為1ms;高溫型為6℃~1℃,精度為5%,響應時間為1ms;線繞電阻式溫度傳感器的精度高,但響應特性差;熱偶電阻式溫度傳感器的精度高,測量溫度範圍寬,但需要配合放大器和冷端處理一起使用。
二、技術指標
1.輸入 交流50Hz , 380V。
2.可三相平衡的輸出0—20000A交流大電流。運行時段可自行設定。
3. 輸出開口電壓:0-20V.
4.電流精度 :各電流均可平滑平穩連續可調,精度高於0.5級.電流電壓表顯示為真有效數值,精度高、穩定度高。
5.電流波形失真 THD 1% 設計標準遠遠高於國標<<GB14048.2-14>>.
6.保護設置 過流、過壓
7.絕緣阻抗 20兆歐
8.絕緣耐壓 1800/AC 1MIN
9.可測被測元件的電流動作時間。並可同步記錄鎖定動作時間。常開、常閉觸點自動判彆。測時範圍:0.01S---99999.99s,精度;0. 01s.如此短的“快照速度”可以定格畫麵,準確測量非常快的瞬時變化。FLIR銻化銦製冷型熱像儀拍攝的FA-黃蜂戰鬥機的定格畫麵相反,非製冷型熱像儀,比如FLIRT13sc,它的像素由隨溫度產生明顯電阻變化的材料組成。而且,每一個像素的溫度都會升高或降低。其電阻隨溫度的變化而變化,並可測量其數值,同時通過校準流程映射至目標溫度。現今配備的微測輻射熱計紅外熱像儀的快照速度或“時間常數”一般為8-12ms。
三、操作方法
1、儀器接入380V電壓,在將儀器後麵電流輸出端子與被測品接通構成電流回路接線端子要緊固。麵板上的常閉觸點要接到被測品的輔助常閉觸點上。
2、打開儀器側麵空氣開關,等待幾秒進入試驗選擇界麵如下圖:
電流輸出線與常閉觸點接入後,注急停按鈕不要按下,直接按啟動按鈕,即可通過點擊觸控屏升降按鈕來調節電流輸出大小。(每次試驗結束後,都要按下麵板歸零按鈕讓調壓器自動歸零位)。
2) 自動升流就選擇進入“自動試驗”界麵如下圖:
自動試驗時,每次都要先選擇“參數設置”來設置輸出電流大小。做長時間運行可自由設定運行時間。如下圖:本文將RMS功率檢波器的在微波頻率實現複雜調製信號的準確功率測量實驗,給微波設計工程師安利一波福利。LTC5596的RF輸入準確地阻抗匹配至5Ω(從1MHz至高達4GHz),如圖1中的實測回程損耗所示。圖1:輸入回程損耗與頻率的關係曲線RF輸入的“地-信號-地”配置專為在5密耳厚的RO33或相似襯底上與一個共麵接地波導無縫對接而設計,並不需要任何外部匹配組件。圖2:LTC5596引出腳配置和接口連接此外,LTC5596的響應在一個寬輸入頻率範圍內幾乎冇有什麼變化。
1.在連接儀器測試線前,應先檢查各項調壓器是否歸零。急停按鈕是否關閉。
2.輸出電流2500A以上時,電流輸出線一定要緊固。試驗時間≤300s。分工頻耐壓試驗和直流耐壓試驗兩種。工頻耐壓試驗其試驗電壓為被試設備額定電壓的一倍多至數倍,不低於1000V。其加壓時間:對於以瓷和液體為主要絕緣的設備為1分鐘,對於以有機固體為主要絕緣的設備為5分鐘,對於電壓互感器為3分鐘,對於油浸電力電纜為10分鐘。電氣設備經耐壓試驗能夠發現絕緣的局部缺陷、受潮及老化。交流耐壓試驗:在被試設備電壓的2.5倍及以上進行,從介質損失的熱擊穿觀點出發,可以有效地發現局部遊離性缺陷及絕緣老化的弱點。