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HNDL係列全自動大電流發生器測試係統大電流直流電源 大電流溫升試驗設備 母線槽溫升試驗係統 定製定做
是青島華能遠見有限公司自主研製開發的專業應用於母線槽、頻率50Hz開關、電流互感器和其它電器設備的電流負載速斷試驗及溫升試驗。則有效的保證了測試數據的準確性。整機測試單元包括:高精度毫秒計、真有效值電流表、電流傳感器(進口件)、調壓器、大功率升流器、微電腦控製器等部分。自動調壓輸出電流。當用一種材料校正儀器後(常用試塊為鋼)又去測量另一種材料時,將產生錯誤的結果。溫度的影響。一般固體材料中的聲速隨其溫度升高而降低,有試驗數據表明,熱態材料每增加100℃,聲速下降1%。對於高溫在役設備常常碰到這種情況。耦合劑的影響。耦合劑是用來排除和被測物體之間的空氣,使超聲波能有效地穿入工件達到檢測目的。如果選擇種類或使用方法不當,將造成誤差或耦合標誌閃爍,無法測量。實際使用中由於耦合劑使用過多,造成離開工件時,儀器示值為耦合劑層厚度值。
特點
1、 采用10英寸真彩大液晶觸摸屏操作;測試無需外接任何輔助設備,全自動控製,式操作,簡單方便。
2、 帶有自動穩流係統,工控機可實現四遙控能
3、 采用當前電力電子技術,抗乾擾能力強,輸出精度高,紋波係數小於0.2%,準確度高於0.5%;。
4、 自動試驗隻需設置好目標電流即可,無需人工監控,僅需設定測試電流,省去手動調壓,減小勞動強度,提高工作效率。運行時間可自由設定
5、絕緣耐壓 1800/AC 1min, 絕緣等級:B級
LED日光燈電源發熱到一定程度會導致燒壞,關於這個問題,也見到過有人在行業論壇發過貼討論過。本文將從芯片發熱、功率管發熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方麵討論LED日光燈電源發熱燒壞MOS管技術。芯片發熱本次內容主要針對內置電源調製器的高壓驅動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上麵,芯片的功耗為0.6W,當然會引起芯片的發熱。驅動芯片的電流來自於驅動功率MOS管的消耗,簡單的計算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益,實際I=2cvf,其中c為功率MOS管的cgs電容,v為功率管導通時的gate電壓,所以為了降低芯片的功耗,必須想辦法降低v和f.如果v和f不能改變,那麼請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件,注意不要引入額外的功耗。
二、技術指標
1.輸入 交流50Hz , 380V。
2.可三相平衡的輸出0—20000A交流大電流。運行時段可自行設定。
3. 輸出開口電壓:0-20V.
4.電流精度 :各電流均可平滑平穩連續可調,精度高於0.5級.電流電壓表顯示為真有效數值,精度高、穩定度高。
5.電流波形失真 THD 1% 設計標準遠遠高於國標<<GB14048.2-14>>.
6.保護設置 過流、過壓
7.絕緣阻抗 20兆歐
8.絕緣耐壓 1800/AC 1MIN
9.可測被測元件的電流動作時間。並可同步記錄鎖定動作時間。常開、常閉觸點自動判彆。測時範圍:0.01S---99999.99s,精度;0. 01s.基於此,集供電隔離、通信隔離一體的隔離模塊應運而生,緊湊的體積使他在應用便捷的同時占用更少的PCB麵積。高度集成的隔離增加防護等級隔離能為後級主板提供的隔離防護,但同時自身也需要防護,因為隔離被損壞通訊也將中斷。以CTM8251KT為例,它的浪湧等級可以達到IEC/EN61000-4-5共模/差模±2kV,足以應對絕大部分工業場合。從可靠性上考慮,即使在惡劣環境中選用隔離,我們仍建議您在外圍添加保護電路。
三、操作方法
1、儀器接入380V電壓,在將儀器後麵電流輸出端子與被測品接通構成電流回路接線端子要緊固。麵板上的常閉觸點要接到被測品的輔助常閉觸點上。
2、打開儀器側麵空氣開關,等待幾秒進入試驗選擇界麵如下圖:
電流輸出線與常閉觸點接入後,注急停按鈕不要按下,直接按啟動按鈕,即可通過點擊觸控屏升降按鈕來調節電流輸出大小。(每次試驗結束後,都要按下麵板歸零按鈕讓調壓器自動歸零位)。
2) 自動升流就選擇進入“自動試驗”界麵如下圖:
自動試驗時,每次都要先選擇“參數設置”來設置輸出電流大小。做長時間運行可自由設定運行時間。如下圖:三相電壓不平衡GJB181A-23中規定需要模擬在三相供電不平衡狀態下用電設備的運行特性。IT76係列支持單三相輸出,可實現對於三相交流電源的測試應用。用戶可以根據實際需求實現Y型和型的連接方式。在實現三相輸出的同時,可模擬三相不平衡,擴展應用範圍。交流諧波畸變模擬GJB181A-23中規定需要模擬在三相供電不平衡狀態下用電設備的運行特性。IT76係列擁有強大的諧波模擬能力,可達5次諧波。
1.在連接儀器測試線前,應先檢查各項調壓器是否歸零。急停按鈕是否關閉。
2.輸出電流2500A以上時,電流輸出線一定要緊固。試驗時間≤300s。,任何一種光源的發光都與其物質內部粒子的運動狀態有關,當處於低能級上的粒子(原子、分子或離子)吸收了適當頻率外來能量(光)被激發而躍遷到相應的高能級上(受激吸收)後,總是力圖躍遷到較低的能級去,同時將多餘的能量以光子形式釋放出來。如果光是在冇有外來光子作用下自發地釋放出來的(自發輻射),此時被釋放的光即為普通的光(如電燈、霓虹燈等),其特點是光的頻率大小、方向和步調都很不一致。但如果是在外來光子直接作用下,由高能級向低能級躍遷時將多餘的能量以光子形式釋放出來(受激輻射),被釋放的光子則與外來的入射光子在頻率、位相、傳播方向等方麵完全一致,這就意味著外來光得到了加強,我們把它稱之為“光放大”。