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HNDL係列全自動大電流發生器測試係統交流大電流發生器 直流試驗電源 溫升試驗係統 定製定做
是青島華能遠見有限公司自主研製開發的專業應用於母線槽、頻率50Hz開關、電流互感器和其它電器設備的電流負載速斷試驗及溫升試驗。則有效的保證了測試數據的準確性。整機測試單元包括:高精度毫秒計、真有效值電流表、電流傳感器(進口件)、調壓器、大功率升流器、微電腦控製器等部分。自動調壓輸出電流。反射係數法是通過測量漏蘭姆波的頻散曲線來確定材料的性質,但測量難度較大。傅裡葉變換隻能處理線性非平穩的信號。小波變換法雖然在理論上能處理非線性非平穩信號,但是同傅裡葉變換、短時傅裡葉變換法一樣,都受Heisenberg測不準原理製約,即時間窗口與頻率窗口的乘積為一個常數,這就意味著如果要提高時間精度就得犧牲頻率精度,反之亦然。當蘭姆波中不同模態的頻率比較接近時,不適用小波變換處理信號。動態光彈法能從Lamb波的應力分布觀察到傳播和頻散,但是在實際檢測中對硬件要求較高。
特點
1、 采用10英寸真彩大液晶觸摸屏操作;測試無需外接任何輔助設備,全自動控製,式操作,簡單方便。
2、 帶有自動穩流係統,工控機可實現四遙控能
3、 采用當前電力電子技術,抗乾擾能力強,輸出精度高,紋波係數小於0.2%,準確度高於0.5%;。
4、 自動試驗隻需設置好目標電流即可,無需人工監控,僅需設定測試電流,省去手動調壓,減小勞動強度,提高工作效率。運行時間可自由設定
5、絕緣耐壓 1800/AC 1min, 絕緣等級:B級
簡單地說,示波器的捕獲模式用於控製如何從采樣點中獲取波形點。現在我們使用的數字示波器捕獲的是波形的一係列樣值,並對樣值進行存儲,存儲限度是判斷累計的樣值能否繪出波形為止,隨後數字示波器重構波形。而由於處理方式的不同,重構的信號波形也會有一定的差彆。下麵將介紹這四種捕獲模式重構波形的異同。標準捕獲模式對大多數波形來說,使用標準模式可以產生的顯示效果。在一般情況下,如果您對示波器捕獲波形的方式冇有要求時,捕獲模式可以選擇為ZDS4054Plus示波器默認的捕獲模式:標準捕獲模式。
二、技術指標
1.輸入 交流50Hz , 380V。
2.可三相平衡的輸出0—20000A交流大電流。運行時段可自行設定。
3. 輸出開口電壓:0-20V.
4.電流精度 :各電流均可平滑平穩連續可調,精度高於0.5級.電流電壓表顯示為真有效數值,精度高、穩定度高。
5.電流波形失真 THD 1% 設計標準遠遠高於國標<<GB14048.2-14>>.
6.保護設置 過流、過壓
7.絕緣阻抗 20兆歐
8.絕緣耐壓 1800/AC 1MIN
9.可測被測元件的電流動作時間。並可同步記錄鎖定動作時間。常開、常閉觸點自動判彆。測時範圍:0.01S---99999.99s,精度;0. 01s.容量測量:如下圖測試電路,核心是用一個具有恒流輸出及電壓限製的功率電源作為充電電源。電容兩端的充電電壓波形可以通過一個數字示波器進行記錄。通過示波器的光標,可以很方便地讀出電壓從1.5V上升到2.5V所用的時間,基本的計算公式如下:i=C(V/t)公式變換為:C=i(t/V)。充電電流設定為1A,電壓變化範圍V=2.5V-1.5V-1V那麼C=t,在這個示例中,超級電容的容量在數字上與電容從1.5V充電到2.5V的時間相等。
三、操作方法
1、儀器接入380V電壓,在將儀器後麵電流輸出端子與被測品接通構成電流回路接線端子要緊固。麵板上的常閉觸點要接到被測品的輔助常閉觸點上。
2、打開儀器側麵空氣開關,等待幾秒進入試驗選擇界麵如下圖:
電流輸出線與常閉觸點接入後,注急停按鈕不要按下,直接按啟動按鈕,即可通過點擊觸控屏升降按鈕來調節電流輸出大小。(每次試驗結束後,都要按下麵板歸零按鈕讓調壓器自動歸零位)。
2) 自動升流就選擇進入“自動試驗”界麵如下圖:
自動試驗時,每次都要先選擇“參數設置”來設置輸出電流大小。做長時間運行可自由設定運行時間。如下圖:複雜係統的調試和驗證麵臨許多測試技術挑戰,包括捕獲和可視化多個不頻繁或間斷出現的事件,如串行數據包、激光脈衝和故障信號。為了準確測量和表征這些信號,必須在長時間內高采樣率捕獲它們。示波器的默認采集模式因為其有限的記錄長度會強製在采樣率和捕獲時間進行妥協。使用更高的采樣率可以更快地填充儀器的內存,減少數據采集的時間窗口。相反,捕獲長時間的數據通常是以犧牲水平時間分辨率(采樣率)為代價的。分段存儲架構FastFrameTM分段存儲允許將內存分割成多幀。
1.在連接儀器測試線前,應先檢查各項調壓器是否歸零。急停按鈕是否關閉。
2.輸出電流2500A以上時,電流輸出線一定要緊固。試驗時間≤300s。由P區引出的電極為陽極,由N區引出的電極為陰極,如下圖所示,溫度對二極管的性能有較大的影響,這是由於半導體材料的特性所致,溫度升高時,二極管的正向壓降將減小,每增加1oC,正向壓降減小約2mV,可以從下圖看出,由半導體理論可以得出,PN結所加端電壓u與流過它的電流i的關係為:其中,Is為反向飽和電流,對於矽材料來說,Is約為10pA;q為電子的電量,q=1.6*10-9C;k是玻耳茨曼常數,k=1.38*10-23J/K;T為溫度,kT/q可以用UT來代替,則常溫下,即T=300K時,UT約為26mV。