產品名稱：地下電纜故障測試儀 HN300係列 電纜路徑信號產生器5年保修

HN9001地下管線探測儀

儀器特點

1) 便攜輕巧，使用方便，充電電池供電，一人即可操作，四項測試一次完成。

2) 數字化設計，軟件控製，性能穩定、可靠。        

3）大屏液晶界麵，中文顯示，一看就懂，易學、易會。

4）所測信息以數字大小、光柵長短、聲音緩急三種方式提供給操作者，使測試過程輕鬆自如。

加熱器組件可在血液和透析液重新輸入到患者體內之前，將其加熱到的溫度。而這一過程中，加熱控製器能夠控製透析液的溫度；電路板安裝型壓力傳感器則能測量流體離開和進入患者體內的流速，在不妨礙流體流動的前提下，獲得透析液和靜脈壓力讀數。為了實現溫度傳感器與溫度調節裝置結合使用，加熱器組件在設計時需要考慮到適合不同透析設備設計需求的多種加熱技術和材料。這些透析機的設計常常因對加熱器組件不同尺寸和不同溫度範圍的要求，需要考慮不同類型的加熱技術。

2.2 儀器組成

2.2.1 標準配置：發射機、接收機、充電器、直連線、地釺

2.2.2 選    件：大耦合鉗

但是晶體的振蕩頻率受到溫度影響，其振蕩頻率會有一定的偏移，造成分頻後的時鐘失準，在應用中需要根據晶體的溫度漂移特性對RTC模塊輸出時鐘信號進行校準。為了使RTC模塊的輸出時鐘達到實時時鐘的要求，現有技術的很多方法都采用對分頻時鐘頻率補償的方式提高RTC模塊輸出時鐘的度。其中，為廣泛采用的是，在每次補償周期都測量晶體的溫度，然後根據晶體振蕩的溫度漂移特性將振蕩的偏移量，即補償參數補償到RTC模塊輸出時鐘裡。2.3 儀器參數

2.3.1 發射機

1）輸出信號：輸出四種頻率的正弦交流信號，分彆是低頻、中頻、高頻、射頻。

2）輸出功率：恒功率輸出，低、中、高三檔（不小於6瓦）。

3）輸出模式：直連法、耦合法、感應法。

4）阻抗顯示：99999歐以內。

5）負載匹配：1—10000歐。

6）顯示界麵：大屏液晶中文、圖形顯示，自帶背光。

7）電    源：標準1號1.2V充電電池6節，充放電500次。

8）待機時間：大於8小時，電量提示。

本文講述運放的參數和選擇方麵的知識，希望對有需要的讀者有幫助。偏置電壓和輸入偏置電流在精密電路設計中，偏置電壓是一個關鍵因素。對於那些經常被忽視的參數，諸如隨溫度而變化的偏置電壓漂移和電壓噪聲等，也必須測定。的放大器要求偏置電壓的漂移小於200μV和輸入電壓噪聲低於6nV/√Hz。隨溫度變化的偏置電壓漂移要求小於1μV/℃。低偏置電壓的指標在高增益電路設計中很重要，因為偏置電壓經過放大可能引起大電壓輸出，並會占據輸出擺幅的一大部分。

2.3.2 接收機

1）接收頻率：接收五種不同頻率的正弦交流信號，分彆是低頻、中頻、高頻、射頻、50HZ.

2）接收模式：波峰法（水平線圈）、 波穀法（豎直線圈）、 外接設備法（耦合鉗）。

3）信號界麵：數字大小、光柵長短、聲音緩急三種界麵同時提示信號強弱

4）顯示界麵：大屏液晶中文、圖形顯示，自帶背光。

5）增益控製：手動調節，動態範圍000——100db。

6) 探測長度：直連電纜時，長15KM。.

             耦合電纜時，一次耦合可測3Km，多次耦合無限遠。

             感應電纜時，一次感應可測300m，多次感應無限遠。

7）深度測量：直讀探測深度，範圍 000—250cm。

             80%法測深度，範圍 000—250cm（感應）\500cm（直連）

8）電流測量：直讀電流，範圍000—999mA.

9) 探測精度：埋深的5%MOSI-主設備數據輸出，從設備數據輸入;MISO–主設備數據輸入，從設備數據輸出;SCLK–時鐘信號，由主設備產生;SS–從設備使能信號，有主設備控製;SPI標準通訊接口SPI通訊接口的優點是傳輸數據快，能達到幾兆到幾十兆，並且冇有係統開銷。SPI總線的缺點也比較明顯，主要是冇有的流控製，也冇有應答機製確認是否接收到數據。單線SPI接口還有一種另類的SPI通訊接口方式。

2.4 工作原理    

    本儀器是以電磁感應原理為基礎、以跨步電壓理論為依據，結合數字濾波 、無線接收、軟件控製而設計的高科技產品。

    電磁感應：其基本工作原理是：由發射機產生電、磁波並通過不同的發射連接方式將發送信號傳送到地下被探測金屬管線上，地下金屬管線感應到電磁波後，在地下金屬管線表麵產生感應電流，感應電流就會沿著金屬管線向遠處傳播，在電流的傳播過程中，又會通過該地下金屬管線向地麵輻射出電磁波，這樣當地下管線探測儀接收機在地麵探測時，就會在地下金屬管線正上方的地麵接收到電磁波信號，通過接收到的信號強弱變化就能判彆地下金屬管線的位置和走向。

此原理實現的條件：，要有能發出足夠電能的信號源，在具備傳輸電能的線路中形成電流，電流在流動過程中又在該線周圍產生磁場；其次，要有能接收這一特定磁場的電路，把磁場的變化過程以電信號形式顯示出來。由P區引出的電極為陽極，由N區引出的電極為陰極，如下圖所示，溫度對二極管的性能有較大的影響，這是由於半導體材料的特性所致，溫度升高時，二極管的正向壓降將減小，每增加1oC，正向壓降減小約2mV，可以從下圖看出，由半導體理論可以得出，PN結所加端電壓u與流過它的電流i的關係為：其中，Is為反向飽和電流，對於矽材料來說，Is約為10pA;q為電子的電量，q=1.6*10-9C；k是玻耳茨曼常數，k=1.38*10-23J/K；T為溫度，kT/q可以用UT來代替，則常溫下，即T=300K時，UT約為26mV。