產品名稱：二次脈衝電纜故障測試儀 HN300係列 管線探測儀現貨供應

HN300電纜故障測試儀 二次脈衝電纜故障測試儀 HN300係列 管線探測儀現貨供應

 用於35kV及以下不同等級、不同截麵、不同介質及材質的電力電纜的各類故障，包括：開路、短路、低阻、高阻泄漏、高阻閃絡性故障。可配合高壓設備實現傳統電纜故障測試的低壓脈衝法、衝擊閃絡法、速度測量法。 全中文操作軟件和使用界麵，子菜單方式和文字提示實現人機互動。工業級10.4寸彩色觸摸液晶屏顯示，全中文操作軟件和使用界麵，子菜單方式和文字提示實現人機互動。在電源行業，示波器是通用的測試儀器，但許多特色需求，比如電源測試要求通道隔離，有時通道數量需要8個以上，以及CAN通訊等，這些需求示波器都無法滿足。對示波記錄儀來講，這些需求都不是問題。隔離測試隔離測試是電源產品非常重要的訴求，一般示波器均是不隔離，若示波器地與非隔離電源的地直接相連，可能會造成電源燒毀，示波器炸機的情況。基於此問題，目前衍生出的解決方法大致有以下兩類。剪除示波器供電插頭地腳示波器不隔離的核心後果是造成測試時，輸入輸出共地造成短路，所以，若能剪除示波器供電電源插頭的地腳，從而切斷示波器與地的連接，就不會造成短路。

技術參數

1. 采樣方法：低壓脈衝法、衝擊閃絡法、速度測量法

2. 采樣速率：200 MHz、100 MHz、80 MHz、40 MHz、20MHz、10 MHz

3. 脈衝寬度：0.05μs、0.1μs、0.2μs、0.5μs、1μs、2μs、8μs

4. 波速設置：交聯、聚氯、油浸紙、不滴油和未知類型自設定

5. 衝擊高壓：35kV及以下

6. 測試距離：＜60km，盲區≤1m

7. 分 辨 率：1m

8. 測試精度：1m

9. 顯示方式：工業級10.4寸彩色觸摸液晶屏

回答這兩個問題將幫助您縮小選擇範圍，獲得您需求的紅外熱像儀和探測器類型。溫度範圍：溫度範圍即測量物體會有多冷或多熱。這也可能就是您可以測得的或溫度值。，您在拍攝停在跑道上的飛機的引擎。飛機機身的溫度可能為25°C左右，而引擎的溫度大約為500°C。所以您的溫度範圍大概是25°C到500°C，那麼您就要選擇能夠一次拍攝到整個溫度範圍的熱像儀係統。溫度分辨率：溫度分辨率是您需要測量的溫度差，通常被稱為紅外熱像儀的熱靈敏度。

 四、工作原理

       本產品采用的是時域反射（TDR）原理，即對電纜發射一電脈衝，電脈衝將在電纜中勻速傳輸，當遇到電纜阻抗發生變化的地方（故障點），電脈衝將產生反射。測距主機將電脈衝的發射和反射的變化以時域形式通過液晶屏顯示出來，通過屏幕上的波形可直接判讀故障距離。

① 開關按鍵：按下自鎖接通電源，再按解鎖斷開電源。開機2分鐘無任何操作時，屏幕將變暗進入屏保節能狀態。數字或矢量調製可以提供更高的頻譜效率、更高的數據**性、更高質量的通信。但其代價是係統的複雜性增加，進而導致測試困難度提高。將矢量信號(VSA)添加到示波器，可以減少必需的測試儀器，並通過在單個儀器中整合來簡化測試過程。本文將介紹矢量信號和有效測量這種信號所需的工具。矢量狀態測量矢量或正交信號的產生通過在每一符號發送過程中發送多個位碼，從而實現高頻譜密度。考慮用每個發送符號對兩個數字位進行編碼的正交相移鍵控(QPSK)。

② 充電端口：用於連接充電器，給電池充電。

③ 中值旋鈕：順時針旋動中值向上走動；逆時針旋動中值向下走動。（需采樣刷新才有變化）大；逆時針旋動幅度減小。（需采樣刷新才有變化）

⑤ 采樣端口：四芯座，用於連接采樣線。對於紅外探測器的工作原理你了解多少呢？本文將為大家解析非製冷紅外焦平麵探測器技術原理及機芯介紹。非製冷紅外技術原理非製冷紅外探測器利用紅外輻射的熱效應，由紅外吸收材料將紅外輻射能轉換成熱能，引起敏感元件溫度上升。敏感元件的某個物理參數隨之發生變化，再通過所設計的某種轉換機製轉換為電信號或可見光信號，以實現對物體的探測。非製冷紅外焦平麵探測器分類非製冷紅外焦平麵探測器是熱成像係統的核心部件。以下介紹了非製冷紅外焦平麵探測器的工作原理及微測輻射熱計、讀出電路、真空封裝三大技術模塊，了影響其性能的關鍵參數。

⑥ 觸摸式彩色液晶屏：詳見“工作界麵介紹”。

按“       ”鍵，彈出采樣方式選擇子菜單。子菜單中包括：“低壓脈衝”、“閃絡方法”和“速度測量”。儀器開機默認“低壓脈衝”，根據測試需要，可選擇相應的采樣方式，再按“采樣方式”鍵退出。

按“       ”鍵，彈出脈衝寬度選擇子菜單。子菜單中包括7個選項，分彆為：0.05μs、0.1μs、0.2μs、0.5μs、1μs、2μs、8μs。根據測試距離選擇合適的脈寬，按對應的子菜單鍵可以對脈衝寬度進行選擇，儀器開機默認0.2μs，再按“脈寬”鍵退出此項功能。注意：在高壓閃絡法測試中此項不做選擇。

另外，晶體管也可能產生相似的爆裂噪聲和閃爍噪聲，其產生機理與電阻中微粒的不連續性相近，也與晶體管的摻雜程度有關。半導體器件產生的散粒噪聲由於半導體PN結兩端勢壘區電壓的變化引起累積在此區域的電荷數量改變，從而顯現出電容效應。當外加正向電壓升高時，N區的電子和P區的空穴向耗儘區運動，相當於對電容充電。當正向電壓減小時，它又使電子和空穴遠離耗儘區，相當於電容放電。當外加反向電壓時，耗儘區的變化相反。當電流流經勢壘區時，這種變化會引起流過勢壘區的電生微小波動，從而產生電流噪聲。