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HN300電纜故障測試儀 單脈衝電纜故障測試儀 HN300係列 架空線路參數測試儀生產廠家
用於35kV及以下不同等級、不同截麵、不同介質及材質的電力電纜的各類故障,包括:開路、短路、低阻、高阻泄漏、高阻閃絡性故障。可配合高壓設備實現傳統電纜故障測試的低壓脈衝法、衝擊閃絡法、速度測量法。 全中文操作軟件和使用界麵,子菜單方式和文字提示實現人機互動。工業級10.4寸彩色觸摸液晶屏顯示,全中文操作軟件和使用界麵,子菜單方式和文字提示實現人機互動。傳感器口徑的選擇要點選擇傳感器的口徑與連接的工藝管道口徑相同其優點是安裝方便(不需異徑管);其前提是管內流體的流速須在.3m/s—1m/s範圍內;其適用狀態為工程前期使用且管內流體流速處於較低狀態。選擇傳感器的口徑與連接的工藝管道口徑不相同其適用狀態:流速偏低、流量穩定;降低性價比。襯裡材料的選擇要點根據本企業被測介質的腐蝕性、磨損性及溫度,由訂購者選定,可參閱各廠家提供的“襯裡材料性能及適用範圍表”。

技術參數
1. 采樣方法:低壓脈衝法、衝擊閃絡法、速度測量法
2. 采樣速率:200 MHz、100 MHz、80 MHz、40 MHz、20MHz、10 MHz
3. 脈衝寬度:0.05μs、0.1μs、0.2μs、0.5μs、1μs、2μs、8μs
4. 波速設置:交聯、聚氯、油浸紙、不滴油和未知類型自設定
5. 衝擊高壓:35kV及以下
6. 測試距離:<60km,盲區≤1m
7. 分 辨 率:1m
8. 測試精度:1m
9. 顯示方式:工業級10.4寸彩色觸摸液晶屏
Smartcollect采用“采集層-集成層-係統管理層”三層技術架構,模塊化的設計易於通過具性價比的方式滿足所有用戶的實際需求。PM1-基礎版Smartcollect基礎版PM1,可通過簡單的方式獲取測試數據並將其存儲於開放的SQL數據庫中,具備基礎的數據、能耗監控及報告生成功能,用戶界麵精美,操作便捷。PM2-增強版Smartcollect增強版PM2,在PM1的基礎上增加了電能質量功能,支持標準PQDIFF電能質量文件,報告滿足EN516標準。
四、工作原理
本產品采用的是時域反射(TDR)原理,即對電纜發射一電脈衝,電脈衝將在電纜中勻速傳輸,當遇到電纜阻抗發生變化的地方(故障點),電脈衝將產生反射。測距主機將電脈衝的發射和反射的變化以時域形式通過液晶屏顯示出來,通過屏幕上的波形可直接判讀故障距離。
① 開關按鍵:按下自鎖接通電源,再按解鎖斷開電源。開機2分鐘無任何操作時,屏幕將變暗進入屏保節能狀態。打開451的時間門測量功能,將中心頻率設置成f1,頻寬為希望測量的偏離f1的頻率偏移的兩倍,將時間門觸發信號設置為外部門控輸入,門寬度設置成T1,該數值必須小於跳頻源工作在f1頻點的駐留時間,此時451輸出的信號頻譜即為跳頻源工作在f1頻率時的雜散頻譜,利用差值頻標功能即可獲得雜散數值。跳頻源輸出信號、觸發門控信號和時間門信號的時序關係圖給出了跳頻源輸出、觸發門控信號、時間門信號之間的時間關係圖。
② 充電端口:用於連接充電器,給電池充電。
③ 中值旋鈕:順時針旋動中值向上走動;逆時針旋動中值向下走動。(需采樣刷新才有變化)大;逆時針旋動幅度減小。(需采樣刷新才有變化)
⑤ 采樣端口:四芯座,用於連接采樣線。在網絡負荷過高時,根據QoS機製,儘量保障VIP客戶的用戶感知;在LTE與2G/3G切換時,控製好切換門限。另一方麵需要針對現有不同的終端、不同的版本類型、不同的即時通信業務、不同的軟件應用版本,開展LTE兩大製式與2G/3G之間的互操作切換測試驗證。通過模仿用戶體驗情況,摸清其進入休眠態的時長、登錄行為、心跳周期、收發消息行為等等,加強測試保障,指導故障排查與優化工作。此外,還需要針對3G/4G互操作策略開展分場景(室內、室外、電梯等)的參數配置優化實驗並進行測試對比,輸出更切合現網、貼近用戶體驗的網絡參數配置建議。
⑥ 觸摸式彩色液晶屏:詳見“工作界麵介紹”。
按“ ”鍵,彈出采樣方式選擇子菜單。子菜單中包括:“低壓脈衝”、“閃絡方法”和“速度測量”。儀器開機默認“低壓脈衝”,根據測試需要,可選擇相應的采樣方式,再按“采樣方式”鍵退出。
按“ ”鍵,彈出脈衝寬度選擇子菜單。子菜單中包括7個選項,分彆為:0.05μs、0.1μs、0.2μs、0.5μs、1μs、2μs、8μs。根據測試距離選擇合適的脈寬,按對應的子菜單鍵可以對脈衝寬度進行選擇,儀器開機默認0.2μs,再按“脈寬”鍵退出此項功能。注意:在高壓閃絡法測試中此項不做選擇。
MOS管種類和結構MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被製造成增強型或耗儘型,P溝道或N溝道共4種類型,但實際應用的隻有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是這兩種。右圖是這兩種MOS管的符號。至於為什麼不使用耗儘型的MOS管,不建議刨根問底。對於這兩種增強型MOS管,比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小且容易製造。所以開關電源和馬達驅動的應用中,一般都用NMOS。