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HN300電纜故障測試儀 電纜外護套故障儀 HN300係列 工頻線路參數測試儀生產廠家
用於35kV及以下不同等級、不同截麵、不同介質及材質的電力電纜的各類故障,包括:開路、短路、低阻、高阻泄漏、高阻閃絡性故障。可配合高壓設備實現傳統電纜故障測試的低壓脈衝法、衝擊閃絡法、速度測量法。 全中文操作軟件和使用界麵,子菜單方式和文字提示實現人機互動。工業級10.4寸彩色觸摸液晶屏顯示,全中文操作軟件和使用界麵,子菜單方式和文字提示實現人機互動。文中介紹一種基於DDFS(直接頻率合成)技術的可編程音頻儀器測試信號源設計。該係統采用單片機作為控製器,以FPGA(現場可編程門陣列)作為信號源的主要平台,利用DDFS技術產生一個按指數衰減的頻率可調正弦衰減信號。測試結果表明,該係統產生的信號其幅度可以按指數規律衰減;其頻率可以在1~4KHz頻率範圍內按1Hz步長步進。可以方便的用於測試音頻儀器設備的放大和濾波性能。在音頻儀器設備的設計和維護中,廣泛利用音頻信號源測試這些設備的工作狀態和性能指標。

技術參數
1. 采樣方法:低壓脈衝法、衝擊閃絡法、速度測量法
2. 采樣速率:200 MHz、100 MHz、80 MHz、40 MHz、20MHz、10 MHz
3. 脈衝寬度:0.05μs、0.1μs、0.2μs、0.5μs、1μs、2μs、8μs
4. 波速設置:交聯、聚氯、油浸紙、不滴油和未知類型自設定
5. 衝擊高壓:35kV及以下
6. 測試距離:<60km,盲區≤1m
7. 分 辨 率:1m
8. 測試精度:1m
9. 顯示方式:工業級10.4寸彩色觸摸液晶屏
執行實際生產任務的控製器,可以跟蹤工廠車間進度,以確保對生產製造時間的優化。它還可以跟蹤物料的消耗。此信息可用於調整庫存,以確保在需要時物料供應充足。通過在生產零件或產品時記錄生產數據,這些功能還可用於跟蹤產品從頭到尾的狀態。保存終產品的狀態,數據庫的內置日期/時間戳功能,可用於滿足質量保證或審核要求。2通訊功能選擇自動化控製器時需要考慮的另一個重要特性是通訊能力。應提供多個以太網和串行通訊端口,以便與人機界麵(HMI)、電機驅動器和其它設備輕鬆集成()。
四、工作原理
本產品采用的是時域反射(TDR)原理,即對電纜發射一電脈衝,電脈衝將在電纜中勻速傳輸,當遇到電纜阻抗發生變化的地方(故障點),電脈衝將產生反射。測距主機將電脈衝的發射和反射的變化以時域形式通過液晶屏顯示出來,通過屏幕上的波形可直接判讀故障距離。
① 開關按鍵:按下自鎖接通電源,再按解鎖斷開電源。開機2分鐘無任何操作時,屏幕將變暗進入屏保節能狀態。有毒氣體既可以存在於生產原料中,如大多數的有機化學物質(VOC),也可能存在於生產過程的各個環節的副產品中,如氨、一氧化碳、硫化氫等等。它們是對工作人員造成危害的危險因素。這種危害不僅包括立即的傷害,如身體不適、發、死亡等等,而且包括對於長期的危害,如致殘、癌變等等。對於這些有毒有害氣體的檢測是我們發展家應當開始引起充分重視的問題。表:常見有毒有害氣體的TWA(8小時統計權重平均值)、STEL(15分鐘短期暴露水平)、IDLH(立即致死量)(ppm)和MAC(車間允許濃度)mg/m3。
② 充電端口:用於連接充電器,給電池充電。
③ 中值旋鈕:順時針旋動中值向上走動;逆時針旋動中值向下走動。(需采樣刷新才有變化)大;逆時針旋動幅度減小。(需采樣刷新才有變化)
⑤ 采樣端口:四芯座,用於連接采樣線。正坡度正坡度曲線是指在整個軸線長度上,誤差呈線性正遞增。這種現象的產生有以下可能:材料熱膨脹補償係數不正確、材料溫度測量不正確或者波長補償不正確。俯仰和扭擺造成阿貝偏置誤差、機床的線性誤差。針對這些問題,可采取以下措施:檢查EC10和傳感器是否已連接並有反應,或者檢查輸入的手動環境數據是否正確;檢查材料傳感器是否正確以及輸入的膨脹係數是否正確;使用角度光學鏡組重新做一次測量,檢查機床的俯仰和扭擺誤差。
⑥ 觸摸式彩色液晶屏:詳見“工作界麵介紹”。
按“ ”鍵,彈出采樣方式選擇子菜單。子菜單中包括:“低壓脈衝”、“閃絡方法”和“速度測量”。儀器開機默認“低壓脈衝”,根據測試需要,可選擇相應的采樣方式,再按“采樣方式”鍵退出。
按“ ”鍵,彈出脈衝寬度選擇子菜單。子菜單中包括7個選項,分彆為:0.05μs、0.1μs、0.2μs、0.5μs、1μs、2μs、8μs。根據測試距離選擇合適的脈寬,按對應的子菜單鍵可以對脈衝寬度進行選擇,儀器開機默認0.2μs,再按“脈寬”鍵退出此項功能。注意:在高壓閃絡法測試中此項不做選擇。
PID(PotentianInducedDegradation)是一種電勢誘導衰減現象,是指組件長期在高電壓下使得玻璃,封裝材料之間存在漏電流,大量電荷聚集在電池表麵。使得電池表麵的鈍化效果惡化,導致填充因子(FF),短路電流(Isc),開路電壓(Voc)降低,使得組件的性能低於設計標準,發電能力也隨之下降。2010年,NREL和Solon證實了無論組件采取何種技術的P型晶矽電池,組件在負偏壓下都有PID的風險。