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HN300電纜故障測試儀 八次脈衝電纜故障測試儀 HN300係列 電纜外護套故障儀生產廠家
用於35kV及以下不同等級、不同截麵、不同介質及材質的電力電纜的各類故障,包括:開路、短路、低阻、高阻泄漏、高阻閃絡性故障。可配合高壓設備實現傳統電纜故障測試的低壓脈衝法、衝擊閃絡法、速度測量法。 全中文操作軟件和使用界麵,子菜單方式和文字提示實現人機互動。工業級10.4寸彩色觸摸液晶屏顯示,全中文操作軟件和使用界麵,子菜單方式和文字提示實現人機互動。拿我們熟知的1G以下的無線收發模塊來看,大部分使用的平台都是基於TI(德州儀器),SILABS(芯科),SEMTECH(升特)等,此外還有AMICCOM(笙科),AXSEM,NORDIC(北歐),MICREL(麥瑞),ADI(亞德諾),MAXIM(美信),ST(意法半導體),FSL(飛思卡爾),ATMEL(愛特梅爾),MICROCHIP(微芯),INFINEON(英飛淩)和個彆本土廠商等諸多產品可供選擇。

技術參數
1. 采樣方法:低壓脈衝法、衝擊閃絡法、速度測量法
2. 采樣速率:200 MHz、100 MHz、80 MHz、40 MHz、20MHz、10 MHz
3. 脈衝寬度:0.05μs、0.1μs、0.2μs、0.5μs、1μs、2μs、8μs
4. 波速設置:交聯、聚氯、油浸紙、不滴油和未知類型自設定
5. 衝擊高壓:35kV及以下
6. 測試距離:<60km,盲區≤1m
7. 分 辨 率:1m
8. 測試精度:1m
9. 顯示方式:工業級10.4寸彩色觸摸液晶屏
因為探測器口的位置及擋板的設置是固定的,而不同的反射分布直接表現為信號起伏。在普通的測量係統中,不同的正向發散角的LE同一LED不同的放置方向、同一方向不同位置等差異,即使光通量是一致,表現出來的測量值也表現出的差。根據客戶的驗證結果,普通LED測量係統LED的放置方向對光通量測量結果的影響往往超過50%(這一點尤其在國產設備上表現特彆明顯)。在測量不同LED不同發光角度時,由於在積分球內表麵的分布差異使得直接反射的分布對探測器的影響也不同,從而直接影響到兩者測量的準確性的差異。
四、工作原理
本產品采用的是時域反射(TDR)原理,即對電纜發射一電脈衝,電脈衝將在電纜中勻速傳輸,當遇到電纜阻抗發生變化的地方(故障點),電脈衝將產生反射。測距主機將電脈衝的發射和反射的變化以時域形式通過液晶屏顯示出來,通過屏幕上的波形可直接判讀故障距離。
① 開關按鍵:按下自鎖接通電源,再按解鎖斷開電源。開機2分鐘無任何操作時,屏幕將變暗進入屏保節能狀態。傳統電源需要兩台直流源分彆提供相反方向的電流配合控製兩台電源分彆輸出的控製回路來滿足實驗要求。解決方案IT6432雙極性可編程電源可以實現正負電壓輸出,從而實現電流方向周期性改變。用一台it6432即可以完成該實驗。操作方法利用list功能編輯3V/.5A1s和-3V/.5A5s兩工步,客戶該實驗需要1~2周時間,設定好循環次數(65535次),既可以提供周期性改變電流方向的電流脈衝信號,輕鬆的完成該實驗目的。
② 充電端口:用於連接充電器,給電池充電。
③ 中值旋鈕:順時針旋動中值向上走動;逆時針旋動中值向下走動。(需采樣刷新才有變化)大;逆時針旋動幅度減小。(需采樣刷新才有變化)
⑤ 采樣端口:四芯座,用於連接采樣線。我們再以萬用表為例。如果表示位數為6,則其動態範圍應為120dB(或6×20dB/十倍頻程)。但要注意的是,後兩位仍在擺動。真實動態範圍隻有80dB。這就是說,如果設計人員要測量1μV(或0.000001V)的電壓,則該測量值的誤差可能高達100μV,因為實際器件的精度僅為100μV(或0.0001V或0.0001XXV,其中,XX表示在擺動的後兩位)。實際上,描述任何係統的整體精度的方法有兩種:直流和交流。
⑥ 觸摸式彩色液晶屏:詳見“工作界麵介紹”。
按“ ”鍵,彈出采樣方式選擇子菜單。子菜單中包括:“低壓脈衝”、“閃絡方法”和“速度測量”。儀器開機默認“低壓脈衝”,根據測試需要,可選擇相應的采樣方式,再按“采樣方式”鍵退出。
按“ ”鍵,彈出脈衝寬度選擇子菜單。子菜單中包括7個選項,分彆為:0.05μs、0.1μs、0.2μs、0.5μs、1μs、2μs、8μs。根據測試距離選擇合適的脈寬,按對應的子菜單鍵可以對脈衝寬度進行選擇,儀器開機默認0.2μs,再按“脈寬”鍵退出此項功能。注意:在高壓閃絡法測試中此項不做選擇。
20世紀80年始,非製冷紅外焦平麵陣列探測器在美國支持下發展起來的,在1992年研發完成後才對布。初期技術路線包括德州儀器研製的BST熱釋電探測器和霍尼韋爾研製的氧化釩(VOx)微測輻射熱計探測器。後來由於熱釋電技術本身的一些局限性,微測輻射熱計探測器逐漸勝出。2009年,L-3公司終宣布停止繼續生產熱釋電探測器。之後,法國的CEA/LETI以及德州儀器公司又分彆研製了非晶矽(a-Si)微測輻射熱計探測器。