產品名稱：衝擊電壓發生器 HNCJ係列 工頻試驗變壓器定製定做

HNCJ係列雷電衝擊電壓發生裝置
衝擊電壓發生器 HNCJ係列 工頻試驗變壓器定製定做產品簡介：

衝擊電壓發生器主要用於電力設備等試品進行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗，檢驗絕緣性能。衝擊電壓發生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質衝擊擊穿、放電等試驗中。

適用範圍：變壓器、電抗器、互感器及其它高壓電器、高壓晶閘管閥SVC(HVDC)、電力電纜、各類高壓絕緣子、套管等試品的標準雷電衝擊，雷電截斷波，操作衝擊及用戶要求的非標準衝擊波的各類衝擊電壓試驗。一套設備就可產生多種試驗波形（標準的和非標準的波形，用戶提出來的波形）。 適用領域：質檢鑒定計量檢測監督機構，電力設備製造廠，鐵路通信，航天和航天飛行器,科研單位，大專院校以及氣象等部門的防雷和雷電試驗。從事電力行業人員經常會提及到IEC61850通訊協議，電力客戶也經常提問到。然而，我們對它究竟理解多少？聽過IEC61850的人很多，可是61850究竟是什麼？通信規約？冇錯，IEC61850標準是電力係統自動化領域的通用標準。它通過標準的實現，實現了智能變電站的工程運作標準化。使得智能變電站的工程實施變得規範、統一和透明。然後呢？它究竟規定了什麼？IEC61850是什麼樣子的IEC61850係列是由10個部分組成的，分彆是：IEC61850—1基本原則；IEC61850—2相關專業用語的闡述；IEC61850—3有關的規範和要求；IEC61850—4對於係統和工程方麵所提出的要求和規範；IEC61850—5功能和裝置模型的相關概述；IEC61850—6結構語言；IEC61850—7闡述變電站和饋線設備的使用理論知識以及運作模式，並對相關結構進行描述定義；IEC61850—8變電站和間隔層內以及變電站層和間隔層之間的通信服務映射SCSM；IEC61850—9間隔層和過程層內以及間隔層和過程層之間通信服務映射SCSM；IEC61850—10終測試。

產品彆稱：衝擊電壓發生器，雷電衝擊電壓發生器試驗裝置，雷電衝擊電流發生器，電壓發生器試驗裝置

正確選用功率繼電器的四個步驟測觸點電阻用表的電阻檔，測量常閉觸點與動點電阻，其阻值應為0，(用更加方式可測得觸點阻值在100毫歐以內);而常開觸點與動點的阻值就為無窮大。由此可以區彆出那個是常閉觸點，那個是常開觸點。測線圈電阻可用表R×10Ω檔測量功率繼電器線圈的阻值，從而判斷該線圈是否存在著開路現象。測量吸合電壓和吸合電流找來可調穩壓電源和電流表，給功率繼電器輸入一組電壓，且在供電回路中串入電流表進行監測。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發生裝置產品特征

1、回路電感小，並采取帶阻濾波措施，在大電容量負載下能產生標準衝擊波，負載能力大。

2、電壓利用係數高，雷電波和操作波分彆不低於85%和80%。

3、調波方便，操作簡單，同步性能好，動作可靠。LED日光燈電源發熱到一定程度會導致燒壞，關於這個問題，也見到過有人在行業論壇發過貼討論過。本文將從芯片發熱、功率管發熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方麵討論LED日光燈電源發熱燒壞MOS管技術。芯片發熱本次內容主要針對內置電源調製器的高壓驅動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上麵，芯片的功耗為0.6W，當然會引起芯片的發熱。驅動芯片的電流來自於驅動功率MOS管的消耗，簡單的計算公式為I=cvf（考慮充電的電阻效益，實際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導通時的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低v和f.如果v和f不能改變，那麼請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。衝擊電壓發生器 HNCJ係列 工頻試驗變壓器定製定做

4、采用恒流充電自動控製技術，自動化程度高，抗乾擾能力強。