產品名稱：衝擊耐壓試驗裝置 HNCJ係列 超低頻耐壓試驗裝置生產廠家

HNCJ係列雷電衝擊電壓發生裝置
衝擊耐壓試驗裝置 HNCJ係列 超低頻耐壓試驗裝置生產廠家產品簡介：

衝擊電壓發生器主要用於電力設備等試品進行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗，檢驗絕緣性能。衝擊電壓發生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質衝擊擊穿、放電等試驗中。

適用範圍：變壓器、電抗器、互感器及其它高壓電器、高壓晶閘管閥SVC(HVDC)、電力電纜、各類高壓絕緣子、套管等試品的標準雷電衝擊，雷電截斷波，操作衝擊及用戶要求的非標準衝擊波的各類衝擊電壓試驗。一套設備就可產生多種試驗波形（標準的和非標準的波形，用戶提出來的波形）。 適用領域：質檢鑒定計量檢測監督機構，電力設備製造廠，鐵路通信，航天和航天飛行器,科研單位，大專院校以及氣象等部門的防雷和雷電試驗。電子元器件的降額等級可以參考《標準——元器件降額準則GJB/Z35-93》，一般可分成三個降額等級：Ⅰ級降額：I級降額是的降額，適用於設備故障將會危及**，導致任務失敗和造成嚴重經濟損失的情況。Ⅱ級降額：工作應力減小對元器件可靠性增長有明顯效益，適用於設備故障會使工作任務降級，或需支付不合理的維修費用。Ⅲ級降額：Ⅲ級降額是的降額，相對來說元器件成本也較低。適用於設備故障對工作任務的完成隻有小的影響，或可迅速、經濟地加以修複。

產品彆稱：衝擊電壓發生器，雷電衝擊電壓發生器試驗裝置，雷電衝擊電流發生器，電壓發生器試驗裝置

MOS管種類和結構MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被製造成增強型或耗儘型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的隻有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。右圖是這兩種MOS管的符號。至於為什麼不使用耗儘型的MOS管，不建議刨根問底。對於這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小且容易製造。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發生裝置產品特征

1、回路電感小，並采取帶阻濾波措施，在大電容量負載下能產生標準衝擊波，負載能力大。

2、電壓利用係數高，雷電波和操作波分彆不低於85%和80%。

3、調波方便，操作簡單，同步性能好，動作可靠。按照存儲芯片MicroSD卡供電要求的範圍：2.7V-3.6V；不允許超出此範圍，否則，芯片在不穩定的電壓下工作會有比較大的風險，甚至會對卡片的正常工作帶來影響。需要考慮的是示波器的設置，究竟是否需要進行20MHZ的帶寬限製？詳細的使用環境如下圖所示：如何去測試“高頻開關電源”噪聲IPAD剛引出來的那個端口可以當做電源的源端，而通過後端的外圍模塊後在末端進行測試的時候，電源通過了一段PCB走線，包括一些芯片回路，應該存在高頻的噪聲，如果采用20MHZ的帶寬限製，實際上是將原本屬於模塊的噪聲給濾掉了，為此，我們進行了對比測試進行驗證：步，我先驗證IPAD的供電端在工作時的輸出，如下圖：通過直接驗證IPAD的輸出口的電壓,保證源端的供電是正常的；通過測試，我們發現在源端測量的電壓值在3.4V（500MHZ帶寬測量）左右，峰峰值29mV，是非常穩定的供電；可以排除源端供電的問題，接下來，我們直接在通過整個模塊後在MicroSD卡的供電腳SDVCC對電行測量，如下圖：當我們在圖片上的點進行測試的時候，發現在高頻開關電源上有相當大的噪聲，使得電壓超出了規範要求的範圍，值達到了3.814V，峰峰值達854mV；但當我們將示波器設置為20MHZ帶寬的時候，高頻開關電源變的非常好，完全在供電要求的範圍內；正如在本文開頭描述的，在本次高頻開關電源測試過程中，已經不是高頻開關電源紋波測量，而應該是噪聲。衝擊耐壓試驗裝置 HNCJ係列 超低頻耐壓試驗裝置生產廠家

4、采用恒流充電自動控製技術，自動化程度高，抗乾擾能力強。