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就普通照明而言,LED技术已经可以满足生产高品质灯具的要求,但是具体生产高品质LED灯具时,则需要掌握电力电子学、光学和热管理学等三个领域的知识。很少有同时精通于三个领域的工程师,而如果电源工程师还负责系统架构时,他多半会将更多精力放在控制输出电流的度上。毫无疑问,度非常重要,但当我们的终产品是一个灯具时,它发出的光的品质才是我们所关心的重点所在。本文重点探讨了如何对LED驱动电流进行严格控制,因为当我们关心输出光品质时,对LED驱动电流的控制将会成为影响LED电源成本的重要因素。
HN12A变频式互感器综合仪(CT/PT仪)
功能简介:
1 励磁特性试验
2 变比试验
3 相位和极性试验
4 CT一次电流及负荷时的比差、角差测量
5 CT二次绕组电阻测量
6 CT二次回路负荷测量
7 CT暂态特性测试与
8 CT升流试验
9 测量校核型号的CT、PT,包括保护CT、计量CT、TP级暂态CT、励磁饱和电压达到40KV的CT、变压器套管CT、各电压级PT等.
10 点电压/电流、10%(5%)误差曲线、准确限值系数、仪表保安系数、二次时间常数、剩磁系数、准确级、饱和和不饱和电感等CT、PT参数的测量.
自动给出点电压/电流、 10%误差曲线、 5%误差曲线、准确限值系数(ALF)、 仪表保安系数(FS)、 二次时间常数(Ts)、剩磁系数(Kr)、准确级、饱和和不饱和电感等参数。电动汽车逆变器用于控制汽车主电机为汽车运行提供动力,IG功率模块是电动汽车逆变器的核心功率器件,其驱动电路是发挥IG性能的关键电路。驱动电路的设计与工业通用变频器、风能太阳能逆变器的驱动电路有更为苛刻的技术要求,其中的电源电路受到空间尺寸小、工作温度高等限制,面临诸多挑战。本文设计一种驱动供电电源,并通过实际测试证明其可用性。常见的驱动电源采用反激电路和单原边多副边的变压器进行设计。由于反激电源在开关关断期间才向负载提供能量输出的固有特性,使得其电流输出特性和瞬态控制特性相对来说都比较差。
技术参数:
输出电压:0~180V (RMS)
■ 输出电流:0~12A,峰值36A
■ 电压测量:准确度 ±0.1%
■ CT变比测量范围:1~30000
■ PT变比测量范围:1~30000华能互感器综合仪 HN12F互感器校验仪半导体生产流程由晶圆制造,晶圆测试,芯片封装和封装后测试组成,晶圆制造和芯片封装讨论较多,而测试环节的相关知识经常被边缘化,下面集中介绍集成电路芯片测试的相关内容,主要集中在WAT,CP和FT三个环节。集成电路设计、制造、封装流程示意图WAT(WaferAcceptanceTest)测试,也叫PCM(ProcessControlMonitoring),对Wafer划片槽(ScribeLine)测试键(TestKey)的测试,通过电性参数来监控各步工艺是否正常和稳定,CMOS的电容,电阻,Contact,metalLine等,一般在wafer完成制程前,是Wafer从Fab厂出货到封测厂的依据,测试方法是用ProbeCard扎在TestKey的metalPad上,ProbeCard另一端接在WAT测试机台上,由WATRecipe自动控制测试位置和内容,测完某条TestKey后,ProbeCard会自动移到下一条TestKey,直到整片Wafer测试完成。