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LED日光灯电源发热到一定程度会导致烧坏,关于这个问题,也见到过有人在行业论坛发过贴讨论过。本文将从芯片发热、功率管发热、工作频率降频、电感或者变压器的选择、LED电流大小等方面讨论LED日光灯电源发热烧坏MOS管技术。芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗,简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益,实际I=2cvf,其中c为功率MOS管的cgs电容,v为功率管导通时的gate电压,所以为了降低芯片的功耗,必须想办法降低v和f.如果v和f不能改变,那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件,注意不要引入额外的功耗。
HN7080A变压器综合测试系统华能 变压器温升试验装置 大地网接地电阻测试仪 5年保修
两种操作模式:自动模式、按钮模式,且两种操作模式自动互锁;
自动化程度高,具有一键启动可自动完成空载试验、负载试验、变比测量、直流电阻测量、工频试验、感应试验;
集成度高、功能齐全,满足10kV、20kV、35kV、110kV、220kV、330kV、500kV等不同电压等级电力变压器和特种变压器出厂试验、型式试验、试验;
试验项目:
空载损耗测量、空载电流百分比(自动换算到额定电压下数值);
负载损耗测量、阻抗电压百分比(自动换算到额定电流参考温度下数值);
绕组直流电阻快速测量;
变比组别自动测量(电压比测量,连接组标号试验);
外施耐压试验(工频耐压试验);
感应耐压试验(倍频倍压试验);
绝缘电阻测量;
雷电冲击试验;
绝缘油试验(击穿电压、闪点、酸值、体积电阻率、水分等);
局部放电试验;
温升试验;
可完成10kV、20kV、35kV、110kV、220kV、330kV、500kV及特种变压器的出厂试验、型式试验和试验;华能 变压器温升试验装置 大地网接地电阻测试仪 5年保修APD的工作模式分为线性模式和盖革模式两种。当APD的偏置电压低于其雪崩电压时,对入射光电子起到线性放大作用,这种工作状态称为线性模式。在线性模式下,反向电压越高,增益就越大。APD对输入的光电子进行等增益放大后形成连续电流,获得带有时间信息的连续回波信号。当偏置电压高于其雪崩电压时,APD增益迅速增加,此时单个光子吸收即可使探测器输出电流达到饱和,这种工作状态称为盖革模式。工作在盖革模式下的APD又被称作SPAD。