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HN08B变压器变比测试仪

1、真正三相测试:单相电源输入,内部数字合成三相标准正弦波信号源,通过高保真功率放大器,产生三相测试电源(失真度小于0.1%、对称度优于0.05%)输出,测试结果具有更好的等效性,不会出现组别误判等现象。
2、功能强大:既可进行单相测量,又可实现三相绕组的自动测试,单相、三相均可测量极性,相角,一次完成测量AB、BC、CA三相的变比值、相角值、误差、分接位置、分接值等参数,可自动识别组号。
3、相角测量功能:准确测量高、低压侧之间的相位角,可以对非整点的变压器进行变比和角度的测量。一般有由速度测量进行推演、已知质量物体加速度所产生动力,即应用应变仪测量此力进行推演,还有就是下面所说的方法:与被测加速度有关的力可由一个已知质量产生。这种力可以为电磁力或电动力,终简化为对电流的测量,这就是伺服返回传感器,实际又能有多种振动式加速度传感器。力觉传感器力觉传感器用于测量两物体之间作用力的三个分量和力矩的三个分量。机器人中理想的传感器是粘接在依从部件的半导体应力计。具体有金属电阻型力觉传感器、半导体型力觉传感器、其它磁性压力式和利用弦振动原理制作的力觉传感器。
4、六角图显示功能:测试结果以数字和六角矢量图显示,直观的看出变压器连接组别情况。
5、盲测功能:无需选择接线方式,无需选择接线组别,测量Y/△、△/Y变压器无需外部短接,可根据选择的测试内容自动切换接线方式。完全可以对没有铭牌的变压器进行变比和组号的测量。
6、分接测试:能快速测量在各分接开关位置的变比及变比误差,额定变比只需输入一次,不必反复输入就能计算出各分接位置的变比误差。
7、同时具有匝数比测量和运行电压变比测量两种功能,运行变比能更真实的反映变压器在实际运行的情况下,电压变比的实际数值。
8、抗振性好:**接插件的使用增强了抗振性能。
9、 采用5.6寸高彩液晶屏,显示数据效果和矢量图效果直观细腻。
10、 本仪器所用的测试源是数字合成的标准正弦数字源,失真度小于0.1%,不受工作电源质量的影响。样品经色谱柱分离后收集,再经荧光分光光度计测荧光强度,影响因素多,测定复杂,改进后的液相色谱-荧光法则可以不经衍生化和收集分离物,只经化学处理除杂,浓缩后直接进样即可。用该法测定贯叶连翘中金丝桃素的含量也取得了较好的结果。液相色谱-示差折光测黄芪精口服液中黄芪甲苷的含量也都取得了较为满意的结果。对于只有紫外末端吸收,用紫外检测时灵敏度低,基线易漂移,示差折光检测其易受外界条件干扰,蒸发散射检测器能克服以上不足,响应值只与样品质量有关,其信号相应与质量成正比,不同化合物,质量相同则信号相应基本一致。
11、携带方便:体积小,重量轻。
12、内置高容量锂离子充电电池,现场无需任何电源即可完成测试工作,一次充满可以连续进行800次以上的测量。
二、技术指标
1、变比测量范围:0.8~10000。
2、测量速度快:1分钟内完成三相测试。
3、测量精度: 高压侧电压的测量精度0.05%
低压侧电压的测量精度0.1%
相角测量精度:0.1°
变比测量精度 0.1%(0.8-3000)
0.2%(3000-10000)
根据用户要求可订制全量程0.1级的设备
4、携带方便、适合野外作业。
5、重量:3KgHIOKI冬季新产品,热流数据采集仪LR8432。该款数采与以往的便携式数采有着相似的外观,但在功能上却有着与不同的地方。“热流”测量功能,了解何为“热流。”热流:即“热流量”,是一定面积的物体两侧存在温差时,单位时间内由导热、对流、辐射方式通过该物体所传递的热量。通俗来讲,温度变化时,势必包含热能的移动。热能是温度变化所释放的能量,与水和电相同由高到低的转移。这种热能移动的程度即用“热流”来表示,单位时间单位面积流。
三、工作原理框图
仪器由主机和配件箱两部分组成,其中主机是仪器的核心,所有的电气部分都在主机内部,其主机采用手持式注塑机箱,坚固耐用,配件箱用来放置测试导线及工具。
仪器左侧上部是变比测试插头,高压侧,低压侧端子。左侧下方是彩色液晶屏,右侧下部是标准30键的控制键盘;在仪器的右侧上部是打印机、接地端子、充电口、USB接口、RS232接口、工作开关。
键盘共有30个键,分别为:存储、查询、设置、切换、↑、↓、←、→、软开关、退出、回车、自检、帮助、数字1、数字2(ABC)、数字3(DEF)、数字4(GHI)、数字5(JKL)、数字6(MNO)、数字7(PQRS)、数字8(TUV)、数字9(WXYZ)、数字0、小数点、#、辅助功能建F1、F2、F3、F4、F5。
各键功能如下:
↑、↓、←、→键:光标移动键;在主菜单中用来移动光标,使其指向某个功能菜单,按确认键即可进入相应的功能;在参数设置功能屏下上下键用来切换当前选项,左右键改变数值。由P区引出的电极为阳极,由N区引出的电极为阴极,如下图所示,温度对二极管的性能有较大的影响,这是由于半导体材料的特性所致,温度升高时,二极管的正向压降将减小,每增加1oC,正向压降减小约2mV,可以从下图看出,由半导体理论可以得出,PN结所加端电压u与流过它的电流i的关系为:其中,Is为反向饱和电流,对于硅材料来说,Is约为10pA;q为电子的电量,q=1.6*10-9C;k是玻耳茨曼常数,k=1.38*10-23J/K;T为温度,kT/q可以用UT来代替,则常温下,即T=300K时,UT约为26mV。