产品名称：回路电阻测试仪检定装置 耐压测试仪校验仪 HN系列 绝缘电阻表校验装置 厂家供应

安规测试仪检定装置有以下几种 回路电阻测试仪检定装置 耐压测试仪校验仪 HN系列 绝缘电阻表校验装置 厂家供应

HN8061A

依据JJG1005—2005《电子式绝缘电阻表检定规程》、JJG622—1997《绝缘电阻表（兆欧表）检定规程》,用于检定电子式绝缘电阻表的示值误差、跌落电压、短路电流。
电压分两档：0～500V  0～5000V  -10000V
 短路电流：0～2mA    0～20mA
电阻0-200G-1T-10T汽车链路中部署的常用及可靠高速数字接口技术基于ANSI/TIA/EIA-644-A低电压差分信号(LVDS)标准。LVDS可提供一个稳健的数据传输标准，支持远距离、低功耗、高噪声性以及低EMI。LVDS采用差分方式（而非接地所参考的单端信号）实现所需的链路属性。通过部署更小型的连接器和线缆来缩减系统尺寸和重量（汽车应用中的两个重要特性），可降低互联成本。如图1所示，串行器接收来自源（摄像头影像传感器）的数据，然后将RGB色彩的并行总线信号与控制信号转换为LVDS串行化数据流，以便通过单条双绞线对线缆传输。

HN8062A接地电阻表校验装置

用于检定JJG336-2004《接地电阻表检定规程》所适用的我目前生产的型号的模拟式、数字式接地电阻表以及进口的同类仪表，也可做普通电阻箱使用，具有调节范围宽，使用方便，造型美观等优点。新一代的汽车必须为驾驶人提供实时的信息，让驾驶人在车内也可以办公。由于汽车的功能愈趋多样化，系统设计工程师面对的困难同样与日俱增。要如何利用稳压系统来提供新的磁滞控制技术，可为低负载系统提供率的稳压功能，同时也介绍其它的稳压技术。但这些稳压方法能否为低负载系统提供率的稳压功能？这些方法有何优点？这些都是未来必须要面对的问题。长时间运作下的车用电子系统过去有个案例，曾有驾驶人将汽车停放在机场停车场内近两个月之久，后来取车时却发觉汽车电池的储电已完全耗尽。

HN8063A耐电压测试仪校验装置

1、测量准度： 

电压：1000v  2500v  5000v  10000v  30000v

准度：1级  0.5级  0.2级示波器发展到现阶段，已经不仅仅是在调试中观察波形，更重要的是能很好的测量一些参数帮助大家优化设计方案。示波器的测量方法大致有三种：刻度测量；光标测量；自动测量。刻度测量就是根据波形所占格数进行估测，估测的准确度当然是比较低的，只适合做定性。要测量的话，还需要从光标测量和自动测量两种方式中选择。那么，哪种测量方式测的结果更准确呢？，我们从原理上来了解一下光标测量和自动测量。光标测量，光标测量的原理很简单，以ZDS2024plus为例，打开Cursor键一键光标，然后用光标卡住波形，光标X1和X2，Y1和Y2之间的差值即为测量值。

HN8065A型泄漏电流测试仪检定装置

一、性能特点

1、源、表测量范围：

       电压源（AC，DC）：电压：250V、50V、5V

       电流源（AC，DC）：20mA、2mA

       频率计：10-100Hz大陆封测产业的机遇摩尔定律由英特尔创始人之一戈登摩尔提出，大致意思为，每隔18-24个月在价格不变的情况下，集成电路上可容纳的元器件数目会翻一倍，性能也将提升一倍。这一定律统治了半导体产业50多年，近些年却屡屡被预估将要走向终结，而者中甚至包括摩尔本人。而这条金科玉律走向末路的佐证之一便是英特尔修改了基于摩尔定律的“Tick-Tock”策略，将这一架构和工艺交替升级策略的研发周期在时间上从两年延长至三年，制程工艺变为三代一升级，并且其10nm制程一直跳票。

HN8066A型接地导通电阻测试仪检定装置

2、一次额定电流：25A、2.5A。(大30A、3A)

3、电阻四盘连续带电可调。

4、直接指示一次电流值，可做交直流大电流标准表用。其典型的信噪比为55dB，而8位示波器一般只有35～40dB。是将一个多谐波信号分别输入到8位和12位示波器，转化到频域观察的图形。两者频域的垂直刻度和基准都一样。可以看出，12位示波器的频域噪底比8位示波器低大约lOdB。我们来看一个实际的测试案例：需要对某开关电源产品中的功率MOS管进行。其中有一个测试项是MOS管导通损耗。分别用电压和电流测量漏源电压Vds与漏极电流Ids，在示波器上将两个波形相乘得到功率波形，导通期间的功率就是导通损耗。

HN8068A型回路电阻测试仪，直流电阻测试仪检定装置

2 一次额定电流：

1A、10A、100A、200A、300A、600A

3 电阻盘0、1、2、3……20带电可调。

4 直接指示一次电流值,可做直流大电流标准表用。

回路电阻测试仪检定装置 耐压测试仪校验仪 HN系列 绝缘电阻表校验装置 厂家供应其中半导体器件(包括：半导体分立器件、集成电路等)大多数是辐射敏感器件，辐射环境对这些器件的性能会产生不同程度的影响，甚至使其失效。针对辐射效应，在器件的材料、电路设计、结构设计、工艺制造及封装等各个环节采取加固措施，使其具有一定的抗辐射性能。选择抗辐射加固的器件应用在空间辐射环境中，将能提高航天器的可靠性和使用寿命;应用在战略中，将能提高其效能和突防能力。空间辐射环境对电子器件主要产生电离辐射总剂量(TID)效应和单粒子效应(SEE);核辐射环境尤其是核环境，主要产生瞬时电离辐射总剂量效应、中子辐射效应和电磁脉冲损伤效应。