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HN7062A变压器损耗参数测试仪 (容量,空负载测试仪 )变压器容量及损耗测试仪 变压器空载负载测试仪 HN系列 规格齐全
设备相当于四种设备:有源变压器容量测试仪 +变压器损耗参数测试仪 +谐波仪 +示波器。它可对变压器的容量、空载电流、空载损耗、短路损耗、阻抗电压等一系列工频参数进行准确的测量,并能测量空负载试验时的电压、电流失真度和谐波含量,还可以进行矢量。它以大屏幕彩色液晶作为显示窗口,菜单操作并配有汉字提示,集多参量于一屏的显示界面,人机对话界面友好,使用简便、快捷,是各级电力用户的采购产品。在过去的几十年里,很少有其它检测仪器像光学投影比较仪那样测量快捷、使用方便。光学投影比较测量是将投射到投影屏上的工件放大轮廓与绘制有按比例放大的工件正确外形及公差带的透明胶片进行对比,以直接判定工件合格与否。虽然随着采用电子技术、精度更高的几何形貌测量技术的发展,光学比较测量这种简单的检测方式已显得有些过时,但投影比较仪仍然是生产车间常用的视觉检测仪器。与此同时,其它高技术测量仪器的测量能力在不断提高,如基于摄像机的视觉检测系统能够降低操作者的人为误差,使微小的工件形貌可见和可测。
主菜单共有五个可选项,分别为:容量测试、负载测试、空载测试、历史数据。需要选择就用手触摸相应的图标,下端显示当前的日期时间、内部电池的电压幅值和剩余电量百分比,从而可以及时掌握仪器的电池电量情况,了解仪器是否要充电避免没有及时充电而在现场无法正常工作的情况。目前,包括床暗器的研究、设计、试制、生产检测与应用等诸项内容在内的传感器技术,已逐渐形成了一门相对立的专门学科。一般情况下,由于传感器设置的场所并非理想,在温度、湿度、压力等效应的综合影响下,可引起传感器零点漂移和灵敏度的变化,已成为使用中的严重问题。虽然人们在制作传感器过程中,采取了温度补偿及密封防潮的措施,但它与应变片、粘帖胶本身的高兴能化、粘帖技术的和熟练、弹性体材料的选择及冷、热加工工艺的制定均有密切的关系,哪一方面都不能忽视,都需精心设计和制作。
各功能选项的用途分别为:
容量测试:用来测量变压器的容量值。
负载测试:使用外接的三相电源进行变压器的负载测试
空载测试:使用外接的三相电源进行变压器的空载试验。
历史数据:查看已保存的测试结果记录。
系统设置:设置仪器的参数,及厂家出厂调
下面介绍每个界面的操作方法和仪器接线方法
容量测试仪配有三把测试钳(黄、绿、红),每只钳子分别引出两根测试线,一根粗线、一根细线,粗线接到仪器面板上容量测试端子对应颜色的电流端子(Ia、Ib、Ic),细线接到仪器面板上容量测试端子对应颜色的电压端子(Ua、Ub、Uc),将钳头按颜色分别夹在被试变压器的高压侧各相接线柱上,变压器的低压侧要用短接线良好短接。
容量测试设置界面如图,项目有:一次电压,二次电压,变压器类型,阻抗电压,当前温度,矫正温度,连接组别,标称容量,变压器编号,测试人员。点击确定开始测试。点击返回,返回主界面
各项参数的含义和作用如下:现在人们把这种光栅称为计量光栅,以示区别于其他的光栅。近一些年,光栅式传感器在精密测量领域中的应用得到了迅速的发展。光栅式传感器有如下特点:?精度髙。光栅式传感器在大量程测量长度或直线位移方面仅仅低于激光干涉传感器。在圆分度和角位移测量方面,一般认为光栅式传感器是精度髙的一种。?大量程测量兼有髙分辨力。感应同步器和磁栅式传感器也具有大量程测量的特点,但分辨力和精度都不如光栅式传感器。?可实现动态测量,易于实现测量及数据处理的自动化。
一次电压:变压器高压测电压值,指被试变压器施压侧的额定电压值。用于区别不同电压等级的变压器;相同容量、不同电压等级变压器的短路试验参数值是不同的;要做到准确判断,就必须输入被试变压器的高压侧额定电压。点击黄色输入框,仪器弹出数字键盘,输入一次电压值,默认为10KV。此类红外热像仪不需要制冷,且成本比量子探测器红外热像仪低。制冷型量子探测器采用锑华铟(InS、铟镓砷(InGaAs)或应变超晶格制成。这类探测器为光电探测器,即光子撞击像素点,转化为可存储于积分电容器的电子。像素采用的电子快门,通过断开或短路积分电容器来控制快门。锑化铟(InSb)探测器热像仪,比如FLIRX69sc,在测量-2?C至35?C之间的物体温度时,其典型的积分时间可能低至.48μs。
二次电压:变压器低压测电压值,点击黄色输入框,仪器弹出数字键盘,输入二次电压值,默认为0.4KV。变压器类型:指变压器的不同类型。(不是变压器形式),主要有8中类型,1油式无励磁调压配电,2油式无励磁调压电力,3油式有载调压配电,4油式有载调压电力,5干式无励磁调压配电,6干式无励磁调压电力,7干式有载调压配电,8干式有载调压电力。点击黄色输入框,出现下拉菜单,选择点击相应的变压器类型。默认为类型1(即1油式无励磁调压配电)。
1、 容量测试界面在没有别的外力的情况下,电子会很好的保持着。在需要消去电子时,利用紫外线进行照射,给电子足够的能量,逃逸出浮栅。EEPROM的写入过程,是利用了隧道效应,即能量小于能量势垒的电子能够穿越势垒到达另一边。量子力学认为物理尺寸与电子自由程相当时,电子将呈现波动性,这里就是表明物体要足够的小。就pn结来看,当p和n的杂质浓度达到一定水平时,并且空间电荷极少时,电子就会因隧道效应向导带迁移。电子的能量处于某个级别允许级别的范围称为“带”,较低的能带称为价带,较高的能带称为导带。
1)实验接线方法
2)界面操作