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HNCJ系列雷电冲击电压发生装置
定制定做 冲击电压发生装置 交流耐压试验装置 工频交流耐压测试仪产品简介:
联系人车高平13608980122/15689901059冲击电压发生器主要用于电力设备等试品进行雷电冲击电压全波、雷电冲击电压截波和操作冲击电压波的冲击电压试验,检验绝缘性能。冲击电压发生器一种模仿雷电及操作过电压等冲击电压的电源装置。主要用于绝缘冲击耐压及介质冲击击穿、放电等试验中。
示波器的协议功能大家都不生疏,你是否有过波形看起来正常,协议参数、设置都正确,却无法正常的经历呢?本文以UART协议为例,分享由于波特率漂移导致通信异常的故障排查过程。什么是波特率漂移呢?可以理解为被测部件晶振有偏差,导致实际波特率和正常的波特率不一致。为什么波特率漂移会导致通信异常呢?本文从波形出发,带你自检结果。波特率漂移导致通信异常的故障排查引出这样一个真实的例子,PC端发送串口数据为“0EE0610320FF0FC0FF0FF”,示波器结果为“0EE0980F60FC0FF”初步判定通信故障。
冲击测试系统系应用于诸如电力变压器、比成器、高压开关及电力电缆等高压器材的冲击电压试验。此种测试系依据相关的标准规范执行全波(full)或截断(chopped) 的闪电突波(L.I)
LED日光灯电源发热到一定程度会导致烧坏,关于这个问题,也见到过有人在行业论坛发过贴讨论过。本文将从芯片发热、功率管发热、工作频率降频、电感或者变压器的选择、LED电流大小等方面讨论LED日光灯电源发热烧坏MOS管技术。芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗,简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益,实际I=2cvf,其中c为功率MOS管的cgs电容,v为功率管导通时的gate电压,所以为了降低芯片的功耗,必须想办法降低v和f.如果v和f不能改变,那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件,注意不要引入额外的功耗。
HNCJ-V 雷电冲击电压发生装置产品特征
本部分主要是控制冲击电压发生器的操作,手动或自动完成充放电过程,真正实现智慧化操作。
充电控制功能
系统采用恒流充电。
根据试验要求,调节充电电压、充电时间、延时时间,能够手动或者自动控制电压发生器的充电过程。采用自动控制方式充电时,根据设定值,自动充电并稳定在充电电压值上,延时3秒报警触发。充电电压的重复性和稳定度很好。
动作控制
本体球距大小能够自动跟踪设定充电电压值,也可手动控制调节球距大小。本体球距值在触摸屏或组态软件中有显示。
截波球距大小能够自动跟踪设定充电电压值,也可手动控制调节球距大小。截波球距值在触摸屏或组态软件中有显示。
可控制本体自动接地、充电极性切换、充电次数设定等功能。
手动/自动控制。
² 触发控制
系统能够手动、自动或报警触发冲击电压发生器点火。触发点火信号可以立延时
什么是RDMA?RDMA(RemoteDirectMemoryAccess),通俗的说就是远程的DMA技术,是为了解决网络传输中服务器端数据处理的延迟而产生的。传统模式与RDMA模式工作机制对比如上图,在传统模式下,两台服务器上的应用之间传输数据,过程是这样的:要把数据从应用缓存拷贝到Kernel中的TCP协议栈缓存;然后再拷贝到驱动层;后拷贝到网卡缓存。多次内存拷贝需要CPU多次介入,导致处理延时大,达到数十微秒。