
- 联系人 : 车高平 肖吉盛
- 联系电话 : 0532-88365027
- 传真 : 0532-88319127
- 移动电话 : 13608980122
- 地址 : 青岛南京路27号
- Email : 88365027@163.com
- 邮编 : 266700
- 公司网址 : http://www.88365027.com
- MSN : 88365027@163.com
- QQ : 1265377928
HNCJ系列雷电冲击电压发生装置
HN系列 雷电冲击电压发生器 调频串联谐振 电子式多倍频发生器产品简介:
联系人车高平13608980122/15689901059冲击电压发生器主要用于电力设备等试品进行雷电冲击电压全波、雷电冲击电压截波和操作冲击电压波的冲击电压试验,检验绝缘性能。冲击电压发生器一种模仿雷电及操作过电压等冲击电压的电源装置。主要用于绝缘冲击耐压及介质冲击击穿、放电等试验中。
电源为何需要浪涌防护电路电源模块是系统与外部接触、接口的,外部传来的浪涌都经过电源模块,所以需要浪涌防护电路。由于电源模块体积小,集成度高,内部的控制芯片和晶体管等器件耐压和电流都比较极限,一个浪涌电压过来可能就使模块损坏失效,导致整个系统的,即使没有立马损坏,器件受到应力冲击,也会影响寿命和可靠性,所以为了保证电源模块持续可靠的应用,一般都需要加上浪涌防护电路。电源模块受限于体积小,很多模块内部不能加上防浪涌电路,所以需要在模块的外部加上防浪涌电路。
冲击测试系统系应用于诸如电力变压器、比成器、高压开关及电力电缆等高压器材的冲击电压试验。此种测试系依据相关的标准规范执行全波(full)或截断(chopped) 的闪电突波(L.I)
回想您过去作为工程师的一年:您的角色发生了何种变化?过去五年又发生了哪些变化?随着技术变革的步伐不断加快,您必须调整工作的各个方面,并提率。一起拜读下这篇来自NI产品营销经理JonahPaul的LabVIEWNXG优势盘点好文。在Aspencore(前称UBM)2015年进行的一项测试测量研究中,包括半导体、汽车、国防和航天在内的多个行业的工程师列出以下几个方面为其测试开发演变过程中主要的变化:“适应快速变化的技术,为终端用户提供测试能力和价值。
HNCJ-V 雷电冲击电压发生装置产品特征
本部分主要是控制冲击电压发生器的操作,手动或自动完成充放电过程,真正实现智慧化操作。
充电控制功能
系统采用恒流充电。
根据试验要求,调节充电电压、充电时间、延时时间,能够手动或者自动控制电压发生器的充电过程。采用自动控制方式充电时,根据设定值,自动充电并稳定在充电电压值上,延时3秒报警触发。充电电压的重复性和稳定度很好。
动作控制
本体球距大小能够自动跟踪设定充电电压值,也可手动控制调节球距大小。本体球距值在触摸屏或组态软件中有显示。
截波球距大小能够自动跟踪设定充电电压值,也可手动控制调节球距大小。截波球距值在触摸屏或组态软件中有显示。
可控制本体自动接地、充电极性切换、充电次数设定等功能。
手动/自动控制。
² 触发控制
系统能够手动、自动或报警触发冲击电压发生器点火。触发点火信号可以立延时
LED日光灯电源发热到一定程度会导致烧坏,关于这个问题,也见到过有人在行业论坛发过贴讨论过。本文将从芯片发热、功率管发热、工作频率降频、电感或者变压器的选择、LED电流大小等方面讨论LED日光灯电源发热烧坏MOS管技术。芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗,简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益,实际I=2cvf,其中c为功率MOS管的cgs电容,v为功率管导通时的gate电压,所以为了降低芯片的功耗,必须想办法降低v和f.如果v和f不能改变,那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件,注意不要引入额外的功耗。