产品名称：定制定做 冲击电压测试系统 油浸式试验变压器 超低频耐压试验装置

HNCJ系列雷电冲击电压发生装置
定制定做 冲击电压测试系统 油浸式试验变压器 超低频耐压试验装置产品简介：

联系人车高平13608980122/15689901059冲击电压发生器主要用于电力设备等试品进行雷电冲击电压全波、雷电冲击电压截波和操作冲击电压波的冲击电压试验，检验绝缘性能。冲击电压发生器一种模仿雷电及操作过电压等冲击电压的电源装置。主要用于绝缘冲击耐压及介质冲击击穿、放电等试验中。

半导体材料研究和器件测试通常要测量样本的电阻率和霍尔电压。半导体材料的电阻率主要取决于体掺杂，在器件中，电阻率会影响电容、串联电阻和阈值电压。霍尔电压测量用来推导半导体类型(n还是p)、自由载流子密度和迁移率。为确定半导体范德堡法电阻率和霍尔电压，进行电气测量时需要一个电流源和一个电压表。为自动进行测量，一般会使用一个可编程开关，把电流源和电压表切换到样本的所有侧。A-SCS参数仪拥有4个源测量单元(SMUs)和4个前置放大器(用于高电阻测量)，可以自动进行这些测量，而不需可编程开关。

冲击测试系统系应用于诸如电力变压器、比成器、高压开关及电力电缆等高压器材的冲击电压试验。此种测试系依据相关的标准规范执行全波（full）或截断（chopped） 的闪电突波（L.I）

分布式光纤温度传感系统是一种用于实时测量空间温度场分布的传感系统，实质上是分布光纤拉曼(Raman)光子传感器(DOFRPS)系统，它是近年来发展起来的一种用于实时测量空间温度场的光纤传感系统。本文拟在简要阐述分布式光纤监测技术和分布式光纤温度监测技术及其校准原理的基础上，对分布式光纤传感温度测试系统性能标定方法进行介绍，为该系统在工程结构监测中的应用提供借鉴。原理介绍1.分布式光纤监测技术光纤光时域反射(OTDR)原理当激光脉冲在光纤中传输时，由于光纤中存在折射率的微观不均匀性，会产生瑞利散射，在时域里，激光脉冲在光纤中所走过的路程为2L，可表示为2L=V×t式中:V——光在光纤中传播的速度，可表示为V=cn，其中c为真空中的光速，n为光纤的折射率；t——入射光经背向散射返回到光纤入射端所需的时间。
HNCJ-V 雷电冲击电压发生装置产品特征

本部分主要是控制冲击电压发生器的操作，手动或自动完成充放电过程，真正实现智慧化操作。

充电控制功能

系统采用恒流充电。

根据试验要求，调节充电电压、充电时间、延时时间，能够手动或者自动控制电压发生器的充电过程。采用自动控制方式充电时，根据设定值，自动充电并稳定在充电电压值上，延时3秒报警触发。充电电压的重复性和稳定度很好。

动作控制

本体球距大小能够自动跟踪设定充电电压值，也可手动控制调节球距大小。本体球距值在触摸屏或组态软件中有显示。

截波球距大小能够自动跟踪设定充电电压值，也可手动控制调节球距大小。截波球距值在触摸屏或组态软件中有显示。

可控制本体自动接地、充电极性切换、充电次数设定等功能。

手动/自动控制。

² 触发控制

系统能够手动、自动或报警触发冲击电压发生器点火。触发点火信号可以立延时

半导体生产流程由晶圆制造，晶圆测试，芯片封装和封装后测试组成，晶圆制造和芯片封装讨论较多，而测试环节的相关知识经常被边缘化，下面集中介绍集成电路芯片测试的相关内容，主要集中在WAT，CP和FT三个环节。集成电路设计、制造、封装流程示意图WAT（WaferAcceptanceTest）测试，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），对Wafer划片槽（ScribeLine）测试键（TestKey）的测试，通过电性参数来监控各步工艺是否正常和稳定，CMOS的电容，电阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成制程前，是Wafer从Fab厂出货到封测厂的依据，测试方法是用ProbeCard扎在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT测试机台上，由WATRecipe自动控制测试位置和内容，测完某条TestKey后，ProbeCard会自动移到下一条TestKey，直到整片Wafer测试完成。