产品名称：仪表校验台 使用方法 交流变送器校验仪 单相交直流标准源

HN8001A三相交直流指示仪表，电测仪表检定装置 仪表校验台 使用方法 交流变送器校验仪 单相交直流标准源

车高平 13608980122/15689901059本装置可自动或手动检验电力系统中工频电表（电压表、电流表、功率表、频率表、功率因数表、相位表）、单相交流电能表（选项）、三相交流电能表（选项）以及直流电压、电流表的基本误差。两点之前近刻度的舍入误差就是量化噪声的物理表现形式。所有ADC都会对连接至其输入端的电压执行这种操作。它们会进行信号检测并将实际电压近似为有限数量的步长。ADC中所用到的步长数量决定分辨率的大小。高精度Δ-ΣADC的噪声成形特性通常会限度地降低热噪声和闪烁噪声。对于16位或16位以下的器件而言，热噪声远远小于因信号近似而产生的误差。在此类ADC中，大家会发现在低数据速率下数字代码几乎没有发生变化。
 技术参数：

整机有效精度 0.05级

3．1  交流电压量程 50V，100V，200V，400V，800V    输出容量 20VA；

3．2  交流电流量程 0.5A，1A ，2.5A，5A，10A，20A 输出容量 20VA；

3．3  交流电压、电流调节范围 0∽120% FS（800V量程除外）， 调节细度 5×10^－5；

3．4  工频交流电压、电流、有功功率准确度    0.05% FS；

3．5  无功功率准确度    0.1% FS

3．6  电流对同名相电压的相位准确度 0.05⁰；

     仪表校验台 使用方法 交流变送器校验仪 单相交直流标准源兼具高精度与能量回收之特色，落实绿色制造Chroma170116V/100A测试系统具备能量再生功能，能够回收直流能量(DC-DC)，一旦直流能量溢出，系统将其转换回交流电网，是一个低发热、率运用的测试系统。Chroma17011产品具有多电流量程提高电流精度，电流量测精度达到±0.05%ofF.S.，电压精度达到±(0.02%ofRdg.+0.02%ofF.S.)，每个通道立控制且具备热管理机制保障量测稳定性，快速电流响应可模拟脉冲或车况模拟，其采样速度快可达10mS，同时可整合气候温箱进行测试控制，**性方面设计有多层保护功能，自主检测提前发现异常避免实验风险。

 交流源操作

在主菜单中，按“1”键进入“源操作”界面，在“源操作”界面中按“1”则显示如图4。在这里，可根据需要对交流源输出进行设置。图的上半部分（输出检测）显示内置标准所测得的各相电压、电流、功率、功率因数和频率值。下半部分用于设置输出档位，设置各相电压、电流幅值，设置功率因数和相角，设置各次谐波幅值、角度，设置频率。

为粮库提供有效地保障条件，保证粮食的**和长期保存。仓储温湿度监测系统，可确保粮食在储存和运输过程中温湿度的连续监测和温度超限报警，以及完整的温湿度数据记录和报告。其工作原理是：可将无线分别布置在粮库的墙壁、顶部、通风口、回风口、以及粮库外墙；另外，采用分离式传感器，采用延伸线的方式将传感器预置在粮堆内部或粮屯内部，各个区域的通过无线的方式将监测数据上传到数采并上传到计算机中，通过软件即可实现数据的可视化：曲线、表格以及可采用人性化的粮库背景图标注，直接通过屏幕图片就看到某一个测量点的温湿度情况。

直流源操作

在主菜单中，按“1”键进入“源操作”界面，在“源操作”界面中按“2”则显示如图7。

在这里，可根据需要对直流源输出进行设置。通过显示器下边和右边的按键根据提示设置直流电压和电流的档位、输出值。

标准：DIN4839测试项目：汽车电子的引擎启动测试说明：该测试波形对电源的电压上升、下降有严格要求，而全天科技可编程直流电源在此项上拥有，完全能够满足测试需求。输出波形：标准：ISO1675-2测试项目：汽车电子的引擎启动测试说明：该测试波形与DIN4839标准下的测试波形类似，在中间部分增加一段交流成分的测试，更加真实的模拟引擎启动测试。输出波形：标准：ISO1675-2测试项目：汽车电子的引擎启动测试说明：该测试波形用来模拟汽车复杂电路中熔断器后，其他电路的电压瞬时跌落对于电子设备的冲击。

 交流指示仪表半自动检测

5.4.1.1  在指示仪表校验子菜单（图10）中按“1”后，显示如图11。图的上半部分显示内置标准所测得的各相电压、电流、功率、功率因数和频率值。下半部分用于输入被检表一次值、二次值、计量单位、额定值、上限值和均匀校验点数等信息。

PID（PotentianInducedDegradation）是一种电势诱导衰减现象，是指组件长期在高电压下使得玻璃，封装材料之间存在漏电流，大量电荷聚集在电池表面。使得电池表面的钝化效果恶化，导致填充因子（FF），短路电流（Isc），开路电压（Voc）降低，使得组件的性能低于设计标准，发电能力也随之下降。2010年，NREL和Solon证实了无论组件采取何种技术的P型晶硅电池，组件在负偏压下都有PID的风险。