产品名称：三相电测仪表校验仪 定制定做 交直流变送器校验装置 三相程控功率源

HN8001A三相交直流指示仪表，电测仪表检定装置 三相电测仪表校验仪 定制定做 交直流变送器校验装置 三相程控功率源

车高平 13608980122/15689901059本装置可自动或手动检验电力系统中工频电表（电压表、电流表、功率表、频率表、功率因数表、相位表）、单相交流电能表（选项）、三相交流电能表（选项）以及直流电压、电流表的基本误差。所谓源测量单元(SourceMeasureUnit，简称SMU)，顾名思义就是可编程电源和测量仪表的结合体，既可以有电源输出，又可以进行测量。随着应用领域对供给电源和测量同步性要求的不断提高，SMU在生物化学、超导材料、光电器件测试、半导体研究等领域起到了越来越大的作用。尤其是高性能的源表，可以更地检测器件特性，提升整个测试系统的效率，从而提高设计和生产效率。横河测试测量公号之前的推文介绍了源测量单元SMU一些重要的性能指标。
 技术参数：

整机有效精度 0.05级

3．1  交流电压量程 50V，100V，200V，400V，800V    输出容量 20VA；

3．2  交流电流量程 0.5A，1A ，2.5A，5A，10A，20A 输出容量 20VA；

3．3  交流电压、电流调节范围 0∽120% FS（800V量程除外）， 调节细度 5×10^－5；

3．4  工频交流电压、电流、有功功率准确度    0.05% FS；

3．5  无功功率准确度    0.1% FS

3．6  电流对同名相电压的相位准确度 0.05⁰；

     三相电测仪表校验仪 定制定做 交直流变送器校验装置 三相程控功率源RSENSEESL模型此电感取决于所选的特定检测电阻。某些类型的电流检测电阻，金属板电阻，具有较低的ESL，应优先使用。相比之下，绕线检测电阻由于其封装结构而具有较高的ESL，应避免使用。一般来说，ESL效应会随着电流的增加、检测信号幅度的减小以及布局不合理而变得更加明显。电路的总电感还包括由元件引线和其他电路元件引起的寄生电感。电路的总电感也受到布局的影响，因此必须妥善考虑元件的布局，不恰当的布局可能影响稳定性并加剧现有电路设计问题。

 交流源操作

在主菜单中，按“1”键进入“源操作”界面，在“源操作”界面中按“1”则显示如图4。在这里，可根据需要对交流源输出进行设置。图的上半部分（输出检测）显示内置标准所测得的各相电压、电流、功率、功率因数和频率值。下半部分用于设置输出档位，设置各相电压、电流幅值，设置功率因数和相角，设置各次谐波幅值、角度，设置频率。

接下来我将通过型号为SM360A(肖特基管)的实测数据来与大家分享二极管鲜为人知的特性关系。正向导通压降与导通电流的关系在二极管两端加正向偏置电压时，其内部电场区域变窄，可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能真正导通。但二极管的导通压降是恒定不变的吗？它与正向扩散电流又存在什么样的关系？通过下的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管进行导通电流与导通压降的关系测试，可得到如所示的曲线关系：正向导通压降与导通电流成正比，其浮动压差为0.2V。

直流源操作

在主菜单中，按“1”键进入“源操作”界面，在“源操作”界面中按“2”则显示如图7。

在这里，可根据需要对直流源输出进行设置。通过显示器下边和右边的按键根据提示设置直流电压和电流的档位、输出值。

此外，利用不同检测仪器中的共同部分，组成以以太网为传输手段的开放式数字信息处理平台，可以把信号发生的控制、数据采集、系统软件、可视化等通用部分共用。由于这种无损检测集成技术对信号的综合性要求较高，故必须为信息的传输提供高速的连接方式。阶段：机电一体化集成技术自动化集成无损检测技术的发展阶段是机电一体化集成无损检测技术。这是在仪器集成的基础上，加上机电一体化的自动控制、检测、判断和结果处理等系列功能的智能自动化检测系统。

 交流指示仪表半自动检测

5.4.1.1  在指示仪表校验子菜单（图10）中按“1”后，显示如图11。图的上半部分显示内置标准所测得的各相电压、电流、功率、功率因数和频率值。下半部分用于输入被检表一次值、二次值、计量单位、额定值、上限值和均匀校验点数等信息。

瞬态温度响应曲线包含了热流传导路径中每层结构的详细热学信息（热阻和热容参数）。应用实例1.如何利用结构函数识别器件的结构LED的一般散热路径为：芯片-固晶层-支架或基板-焊锡膏-辅助测试基板-导热连接材料如下面结构函数显示，结构函数上越靠近y轴的地方代表着实际热流传导路径上接近芯片有源区的结构，而越远离y轴的地方代表着热流传导路径上离有源区较远的结构。积分结构函数是热容—热阻函数，曲线上平坦的区域代表器件内部热阻大、热容小的结构，陡峭的区域代表器件内部热阻小、热容大的结构。