产品名称：多功能仪表校验仪 使用方法 交直流变送器检定装置 三相标准源

HN8001A三相交直流指示仪表，电测仪表检定装置 多功能仪表校验仪 使用方法 交直流变送器检定装置 三相标准源

车高平 13608980122/15689901059本装置可自动或手动检验电力系统中工频电表（电压表、电流表、功率表、频率表、功率因数表、相位表）、单相交流电能表（选项）、三相交流电能表（选项）以及直流电压、电流表的基本误差。拿出ES31E仪表来，此时旋转开关在OFF档位，关机状态中。测量土壤电阻率，就把旋转开关旋转到ρE档，将会显示.Ωm，测量接地电阻就旋转到RE档，接地电压就VE档。把接地棒打到土壤下，线上有钳子的一端钳住接地棒，还要再打三根接地棒。共：红，黄，绿，黑四根线。接地线的按照H,S,ES,E顺序成一直线排列，每个接地棒之间距离为5米。红，黄，绿，黑对应仪表上的颜色插口就行。按SET键设置好距离，如5米。
 技术参数：

整机有效精度 0.05级

3．1  交流电压量程 50V，100V，200V，400V，800V    输出容量 20VA；

3．2  交流电流量程 0.5A，1A ，2.5A，5A，10A，20A 输出容量 20VA；

3．3  交流电压、电流调节范围 0∽120% FS（800V量程除外）， 调节细度 5×10^－5；

3．4  工频交流电压、电流、有功功率准确度    0.05% FS；

3．5  无功功率准确度    0.1% FS

3．6  电流对同名相电压的相位准确度 0.05⁰；

     多功能仪表校验仪 使用方法 交直流变送器检定装置 三相标准源热像仪精度规格与不确定性方程式或许大家会注意到，大多数红外热像仪的数据规格手册上的精度规格会显示为±2℃或读数的2%。这仪规格数据基于广泛采用的名为“平方和根值”（RSS）不确定技术结果。这里需要说明的是，目前所讨论的计算值有效的条件是只有当热像仪用于实验室或户外短距离范围(20米以内)。由于大气吸收因素，还有影响程度较小的发射率因素，距离变长会增加测量值的不确定性。当红外热像仪的研发工程师在实验室条件下对大部分现代的红外热像仪系统采用“平方和根值”的方法时，所得结果近似为±2?C或2%—因此成为热像仪规格参数中使用的合理精度率。

 交流源操作

在主菜单中，按“1”键进入“源操作”界面，在“源操作”界面中按“1”则显示如图4。在这里，可根据需要对交流源输出进行设置。图的上半部分（输出检测）显示内置标准所测得的各相电压、电流、功率、功率因数和频率值。下半部分用于设置输出档位，设置各相电压、电流幅值，设置功率因数和相角，设置各次谐波幅值、角度，设置频率。

一个8位二进制数有28=256个可能值，如果某个速度计使用8位来表示0到255公里/小时范围的速度，则速度值将以1公里/小时的间隔进行显示，因此司机总会有约0.5公里/小时的误差，这类误差称为量化误差。泰仕如果速度范围是0到127公里/小时，那么这256个可能值就被挤入一个更小的空间，误差也相应减小了一半。认为量化误差是仅有的测量误差是一个危险的错误，但也是一个常见错误。各类测量设备包括数据采集产品的产品资料和目录中一般关注几个指标：分辨率、测量范围、采样率和带宽，其中分辨率就是用来代表信号实际值的二进制数字的长度，一般从8位到24位，力博它只会影响量化误差。

直流源操作

在主菜单中，按“1”键进入“源操作”界面，在“源操作”界面中按“2”则显示如图7。

在这里，可根据需要对直流源输出进行设置。通过显示器下边和右边的按键根据提示设置直流电压和电流的档位、输出值。

新能源电机的转速越高，相对功率越大，在电机启动时，输出扭矩大，响应更快，加速性能更好，像比亚迪、长安汽车等企业提出新能源汽车车型加速时间5秒以内，加速性能比现有同级别传统汽车普遍偏高。总体看，新能源汽车由电机驱动，加速性能具有先天优势，随着技术水平的提升，新能源电机转速越来越高，未来新能源汽车的加速时间将大幅降低，加速犀利无比。同时，随着新能源电机转速的提升，功率密度提高，效率越来越高，电机区间就越宽泛，如下图。

 交流指示仪表半自动检测

5.4.1.1  在指示仪表校验子菜单（图10）中按“1”后，显示如图11。图的上半部分显示内置标准所测得的各相电压、电流、功率、功率因数和频率值。下半部分用于输入被检表一次值、二次值、计量单位、额定值、上限值和均匀校验点数等信息。

其中半导体器件(包括：半导体分立器件、集成电路等)大多数是辐射敏感器件，辐射环境对这些器件的性能会产生不同程度的影响，甚至使其失效。针对辐射效应，在器件的材料、电路设计、结构设计、工艺制造及封装等各个环节采取加固措施，使其具有一定的抗辐射性能。选择抗辐射加固的器件应用在空间辐射环境中，将能提高航天器的可靠性和使用寿命;应用在战略中，将能提高其效能和突防能力。空间辐射环境对电子器件主要产生电离辐射总剂量(TID)效应和单粒子效应(SEE);核辐射环境尤其是核环境，主要产生瞬时电离辐射总剂量效应、中子辐射效应和电磁脉冲损伤效应。