HN2016智能sf6微水测试仪冷镜式露点仪 SF6综合测试仪 气体定量检漏仪 30年经验

露点	测量范围	－80 ℃～+20 ℃
	测量精度	±1℃（－80℃～＋20℃）
	测量时间 （＋20℃）	<3分钟。
环境温度	－40℃～＋60℃

在ISO882-5_27及ISO882-1_25的道路车辆熔断器国标中，对熔断器的参数定义及测试指标做了详细的说明。完整的丝相关测试包含导通压降测试，熔断时间，级进电流及分段能力测试。本文主要以SF3和SF51为待测对象，重点介绍熔断时间测试。熔断时间实验要求下图摘自ISO882-1_27国标中针对SF3和SF51的熔断测试要求，熔断时间需在过载电流从1.1IR~6.IR范围内测试，当过载电流越大，熔断时间越快。1、连接SF₆设备

将测量管道上螺纹端与开关接头连接好，用扳手拧紧，关闭测量管道上另一端的针型阀；

再把测试管道上的快速接头一端插入仪器上的采样口；

将排气管道连接到出气口。

后将开关接头与SF₆电气设备测量接口连接好，用扳手拧紧；

2、检查电量

本仪器优先使用交流电。

使用直流电时，请查看右上角显示的电池电量，如果电量低于约20％，请关机充电后继续使用。

3、开始测量

打开仪测量管道上的针型阀，然后用面板上的流量阀调节流量，把流量调节到0.5L/M左右，开始测量SF₆露点。

设备测量时间需要5～10分钟，其后每台设备需要3～5分钟。

4、存储数据

设备测量完成后，可以将数据保存在仪器中，按“确定”键调出操作菜单，具体操作方式见下节内容。WLP(WaferLevelPackaging)：晶圆级封装，是一种以BGA为基础经过改进和提高的CSP，直接在晶圆上进行大多数或是的封装测试程序，之后再进行切割制成单颗组件的方式。上述封装方式中，系统级封装和晶圆级封装是当前受到热捧的两种方式。系统级封装因涉及到材料、工艺、电路、器件、半导体、封装及测试等技术，在技术发展的过程中对以上领域都将起到带动作用促进电子制造产业进步。晶圆级封装可分为扇入型和扇出型，IC制造领域巨头台积电能够拿下苹果A10订单，其开发的集成扇出型封装技术功不可没。

5、测量其他设备

一台设备测量后，关闭测量管道上的针型阀和微水仪上的调节阀。将转接头从SF₆电气设备上取下。如果需要继续测量其他设备，按照上面步骤继续测量下一台设备。

6、测量结束

所有设备测量结束后，关闭仪器电源。

一、 菜单操作

在测量状态，通过确定键可以进入功能菜单，如图1。

1、保存数据

在测量状态，通过按“确定”键可以进入功能菜单，按“上”、“下”键选择“保存记录”菜单，按“确定”键，进入保存数据页面，保存数据时，可以根据设备进行编号。

设备编号多为六位，可以通过“上”、“下”键增加数值大小，“左”、“右”键调整数据位数。

输入编号后，按“确定”键，完成保存数据。按“返回”键可以返回上一页，此时不保存数据。

2、查看记录

在测量状态，通过按“确定”键可以进入功能菜单，按“上”、“下”键选择“查看记录”菜单，按“确定”键，进入查看记录页面。

显示时从后一个被保存的数据开始。

可以按“上”、“下”键翻看数据。同时，SPI也没有多主器件协议，必须采用很复杂的软件和外部逻辑来实现多主器件架构。每个从器件需要一个单的从选择信号。总信号数终为n+3个，其中n是总线上从器件的数量。导线的数量将随增加的从器件的数量按比例增长。同样，在SPI总线上添加新的从器件也不方便。对于额外添加的每个从器件，都需要一条新的从器件选择线或逻辑。图2显示了典型的SPI读/写周期。在地址或命令字节后面跟有一个读/写位。数据通过MOSI信号写入从器件，通过MISO信号自从器件中读出。

3、删除记录

在测量状态，通过按“确定”键可以进入功能菜单，按“上”、“下”键选择“删除记录”菜单，按“确定”键，可删除所有数据。

4、修改时间

在测量状态，通过按“确定”键可以进入功能菜单，按“上”、“下”键选择修改时间，按“确定”键，进入修改时间页面。

通过“上”、“下”键可以增加时间数值，“左”、“右”键可以减小时间数值。

输入小时、分钟、秒后，按“确定”键可以转到下一个修改域内。

 也就是说，压痕接触面积愈大，超声硬度计的示值愈低。而非压痕接触大大地增加了压头与被测表面的接触面积，致使硬度计示值偏低于真实值。试验证明，洛氏硬度测量偏差在10HRC左右；布氏硬度测量偏差在20HB左右。解决办法：在测量试样硬度时，我们必须注意被测表面粗糙度是否符合硬度计的检测条件。在正常使用硬度计的条件下，必须保证试样的被测表面粗糙度值小于或等于Ra=0.8μm，若试样的被测表面粗糙度值大于Ra=0.8μm，可以通过机械方法（上磨床）或手工方法，对被测表面进行研磨修整，法国凯茂KIMO使试样的被测表面粗糙度达到检侧条件。