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HN2016智能sf6微水测试仪微水测试仪 SF6气体回收装置 sf6冷镜法露点仪 定制定做
露点 |
测量范围 |
-80 ℃~+20 ℃ |
测量精度 |
±1℃(-80℃~+20℃) |
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测量时间 (+20℃) |
<3分钟。 |
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环境温度 |
-40℃~+60℃ |
在被检测气体温度较低(0℃~650℃),或被测气体较清洁时,适宜采样式检测方式,如制氮机测氧,实验室测氧等。直插检测式氧直插式检测是将氧化锆直接插入高温被测气体,直接检测气体中的氧含量,这种检测方式适宜被检测气体温度在700℃~1150℃时(结构还可以用于1400℃的高温),它利用被测气体的高温使氧化锆达到工作温度,不需另外用加热器。直插式氧的技术关键是陶瓷材料的高温密封和电极问题。由于需要将氧化锆直接插入检测气体中,对氧的长度有较高要求,其有效长度在500mm~1000mm左右,的环境长度可达1500mm。1、连接SF6设备
将测量管道上螺纹端与开关接头连接好,用扳手拧紧,关闭测量管道上另一端的针型阀;
再把测试管道上的快速接头一端插入仪器上的采样口;
将排气管道连接到出气口。
后将开关接头与SF6电气设备测量接口连接好,用扳手拧紧;
2、检查电量
本仪器优先使用交流电。
使用直流电时,请查看右上角显示的电池电量,如果电量低于约20%,请关机充电后继续使用。
3、开始测量
打开仪测量管道上的针型阀,然后用面板上的流量阀调节流量,把流量调节到0.5L/M左右,开始测量SF6露点。
设备测量时间需要5~10分钟,其后每台设备需要3~5分钟。
4、存储数据
设备测量完成后,可以将数据保存在仪器中,按“确定”键调出操作菜单,具体操作方式见下节内容。据故宫博物院院长单霁翔介绍,、希腊同为拥有悠久历史的文明古国,在收藏与研究保护领域多有共通之处。希腊电子结构与激光研究所在激光光学领域享誉欧洲,一直致力于将激光技术应用于文化遗产的研究与保护工作中。特别是他们近与雅典卫城博物馆合作的“大理石表面污染物激光”项目,获得了修护协会颁发的凯克奖,已经成为世界范围内石质激光清洗的代表案例。高科技设备可釉烧温度随着时代发展,科学技术在保护过程中应用日益广泛,为害的诊断、的预防性保护和修复提供了重要的支撑。
5、测量其他设备
一台设备测量后,关闭测量管道上的针型阀和微水仪上的调节阀。将转接头从SF6电气设备上取下。如果需要继续测量其他设备,按照上面步骤继续测量下一台设备。
6、测量结束
所有设备测量结束后,关闭仪器电源。
一、 菜单操作
在测量状态,通过确定键可以进入功能菜单,如图1。
好像在突然之间,电容式传感器就无处不在了。它被安装在汽车座位里以控制气囊配置和**带预紧装置,在洗碗机和干燥机中以校正旋转桶的状态,甚至冰箱也使用其来控制自动去冰过程。但是直到现在,它的潜在应用领域还是触摸开关,触摸开关已越来越多地出现在消费电子产品中。因为混合信号IC工艺得到广泛的采用,电磁流量计这种技术允许芯片设计师优化芯片的模拟和数字子系统,以构建具有的灵敏度和耐用性的电容式传感器,而且成本是机械式开关所不能比拟的。
1、保存数据
在测量状态,通过按“确定”键可以进入功能菜单,按“上”、“下”键选择“保存记录”菜单,按“确定”键,进入保存数据页面,保存数据时,可以根据设备进行编号。
设备编号多为六位,可以通过“上”、“下”键增加数值大小,“左”、“右”键调整数据位数。
输入编号后,按“确定”键,完成保存数据。按“返回”键可以返回上一页,此时不保存数据。
2、查看记录
在测量状态,通过按“确定”键可以进入功能菜单,按“上”、“下”键选择“查看记录”菜单,按“确定”键,进入查看记录页面。
显示时从后一个被保存的数据开始。
可以按“上”、“下”键翻看数据。算法的原理很简单:如果个子帧的某个像素饱和了,算法就会从下一个子帧选择相应的像素。如果该像素符合要求,算法就停止运作,否则它会挑选下一个子帧中合适的像素,以此类推。所有像素值都转换为终的超帧图像的温度或辐射单位。用两幅曝光时间为2毫秒和30微秒的比奇空中霸王双螺旋桨飞机图像展现了超帧技术。这些图像是采用高性能中波红外(MWIR)热像仪系统FLIRSC7000以每秒170帧、640512像素的全帧尺寸拍摄。
3、删除记录
在测量状态,通过按“确定”键可以进入功能菜单,按“上”、“下”键选择“删除记录”菜单,按“确定”键,可删除所有数据。
4、修改时间
在测量状态,通过按“确定”键可以进入功能菜单,按“上”、“下”键选择修改时间,按“确定”键,进入修改时间页面。
通过“上”、“下”键可以增加时间数值,“左”、“右”键可以减小时间数值。
输入小时、分钟、秒后,按“确定”键可以转到下一个修改域内。
PID(PotentianInducedDegradation)是一种电势诱导衰减现象,是指组件长期在高电压下使得玻璃,封装材料之间存在漏电流,大量电荷聚集在电池表面。使得电池表面的钝化效果恶化,导致填充因子(FF),短路电流(Isc),开路电压(Voc)降低,使得组件的性能低于设计标准,发电能力也随之下降。2010年,NREL和Solon证实了无论组件采取何种技术的P型晶硅电池,组件在负偏压下都有PID的风险。