HN2016智能sf6微水测试仪冷镜式露点仪 气体抽真空充放装置 sf6冷镜法露点仪 5年保修

露点	测量范围	－80 ℃～+20 ℃
	测量精度	±1℃（－80℃～＋20℃）
	测量时间 （＋20℃）	<3分钟。
环境温度	－40℃～＋60℃

给各分管路打压，检测哪一路地暖盘管可能漏水自从FLIRONRPRO红外热像仪应运而生，一切都迎刃而解。整个检测过程和要点主要概括为下面几步：步，通过对地暖各分路进行打压，判断存在漏水的管道。在现场我们发现，路管道施加5公斤压力后，在3分钟内只剩下1公斤压力，属于明显的漏水可疑对象，而其他二路并无失压情况。据此，我们初步判断路地暖盘管存在漏水情况。得出结果后，接下来就需要使用FLIRONEPRO红外热像仪查找具体漏水点。1、连接SF₆设备

将测量管道上螺纹端与开关接头连接好，用扳手拧紧，关闭测量管道上另一端的针型阀；

再把测试管道上的快速接头一端插入仪器上的采样口；

将排气管道连接到出气口。

后将开关接头与SF₆电气设备测量接口连接好，用扳手拧紧；

2、检查电量

本仪器优先使用交流电。

使用直流电时，请查看右上角显示的电池电量，如果电量低于约20％，请关机充电后继续使用。

3、开始测量

打开仪测量管道上的针型阀，然后用面板上的流量阀调节流量，把流量调节到0.5L/M左右，开始测量SF₆露点。

设备测量时间需要5～10分钟，其后每台设备需要3～5分钟。

4、存储数据

设备测量完成后，可以将数据保存在仪器中，按“确定”键调出操作菜单，具体操作方式见下节内容。传感器对某一物理量的准确程度取决于传感器的性能指标。为了确定传感器的测量范围、准确性，必须对传感器的性能指标进行测试。对新研制的传感器，必须进行的技术性能的测试和校准，用测试和校准的数据确定其测试范围、准确程度。对于标准型的传感器，用校准数据进行量值传递。这些测试数据，既是衡量传感器好坏的依据，也是改进传感器设计和工艺的依据。传感器经过一段时间储存或使用后，性能指标是会发生变化的，因此对传感器的性能指标要定期进行复测。

5、测量其他设备

一台设备测量后，关闭测量管道上的针型阀和微水仪上的调节阀。将转接头从SF₆电气设备上取下。如果需要继续测量其他设备，按照上面步骤继续测量下一台设备。

6、测量结束

所有设备测量结束后，关闭仪器电源。

一、 菜单操作

在测量状态，通过确定键可以进入功能菜单，如图1。

1、保存数据

在测量状态，通过按“确定”键可以进入功能菜单，按“上”、“下”键选择“保存记录”菜单，按“确定”键，进入保存数据页面，保存数据时，可以根据设备进行编号。

设备编号多为六位，可以通过“上”、“下”键增加数值大小，“左”、“右”键调整数据位数。

输入编号后，按“确定”键，完成保存数据。按“返回”键可以返回上一页，此时不保存数据。

2、查看记录

在测量状态，通过按“确定”键可以进入功能菜单，按“上”、“下”键选择“查看记录”菜单，按“确定”键，进入查看记录页面。

显示时从后一个被保存的数据开始。

可以按“上”、“下”键翻看数据。有必要采用一些其他方法来提高传导EMI的性能。本文主要讨论的是引入输入滤波器来滤除噪声，或增加罩来锁住噪声。EMI滤波器示意简图是一个简化的EMI滤波器，包括共模（CM）滤波器和差模（DM）滤波器。通常，DM滤波器主要用于滤除小于30MHz的噪声（DM噪声），CM滤波器主要用于滤除30MHz至100MHz的噪声（CM噪声）。但其实这两个滤波器对于整个频段的EMI噪声都有一定的作用。显示了一个不带滤波器的输入引线噪声，包括正向噪声和负向噪声，并标注了这些噪声的峰值水平和平均水平。

3、删除记录

在测量状态，通过按“确定”键可以进入功能菜单，按“上”、“下”键选择“删除记录”菜单，按“确定”键，可删除所有数据。

4、修改时间

在测量状态，通过按“确定”键可以进入功能菜单，按“上”、“下”键选择修改时间，按“确定”键，进入修改时间页面。

通过“上”、“下”键可以增加时间数值，“左”、“右”键可以减小时间数值。

输入小时、分钟、秒后，按“确定”键可以转到下一个修改域内。

 半导体生产流程由晶圆制造，晶圆测试，芯片封装和封装后测试组成，晶圆制造和芯片封装讨论较多，而测试环节的相关知识经常被边缘化，下面集中介绍集成电路芯片测试的相关内容，主要集中在WAT，CP和FT三个环节。集成电路设计、制造、封装流程示意图WAT（WaferAcceptanceTest）测试，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），对Wafer划片槽（ScribeLine）测试键（TestKey）的测试，通过电性参数来监控各步工艺是否正常和稳定，CMOS的电容，电阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成制程前，是Wafer从Fab厂出货到封测厂的依据，测试方法是用ProbeCard扎在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT测试机台上，由WATRecipe自动控制测试位置和内容，测完某条TestKey后，ProbeCard会自动移到下一条TestKey，直到整片Wafer测试完成。