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HN2016智能sf6微水测试仪sf6纯度仪 sf6纯度测试仪 sf6气体定量检漏仪 高质量
露点 |
测量范围 |
-80 ℃~+20 ℃ |
测量精度 |
±1℃(-80℃~+20℃) |
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测量时间 (+20℃) |
<3分钟。 |
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环境温度 |
-40℃~+60℃ |
根据空调要求和使用要求,选择空调的运行方式,如制冷、制热、除湿或通风等,空调正常运行后开启空调器,空调器就能按选定的运行方式正常运转。空调开机:开机运行后,根据需要可以通过调节风量开关来调节空调器的制冷(热)量。一般空调器的制冷(热)量的调节均通过改变风量来达到调节目的的(变频式空调器是调节压缩机转速)。窗式空调器一般设置有强冷和弱冷或强热和弱热旋钮,将旋钮定于强冷(热)或弱冷(热),实际是调节风量为高风量或低风量。1、连接SF6设备
将测量管道上螺纹端与开关接头连接好,用扳手拧紧,关闭测量管道上另一端的针型阀;
再把测试管道上的快速接头一端插入仪器上的采样口;
将排气管道连接到出气口。
后将开关接头与SF6电气设备测量接口连接好,用扳手拧紧;
2、检查电量
本仪器优先使用交流电。
使用直流电时,请查看右上角显示的电池电量,如果电量低于约20%,请关机充电后继续使用。
3、开始测量
打开仪测量管道上的针型阀,然后用面板上的流量阀调节流量,把流量调节到0.5L/M左右,开始测量SF6露点。
设备测量时间需要5~10分钟,其后每台设备需要3~5分钟。
4、存储数据
设备测量完成后,可以将数据保存在仪器中,按“确定”键调出操作菜单,具体操作方式见下节内容。封测是封装和测试制程的合称,其中封装是为保护芯片不受环境因素的影响,而将晶圆代工厂商制造好的集成电路装配为芯片的过程,具有连接芯片内部和外部电路沟通的作用;测试环节的目的是检查出芯片。作为半导体核心产业链上重要的一环,封测虽在摩尔定律驱动行业发展的时代地位上不及设计和制造,但随着“超越摩尔时代”概念的提出和到来,先进封装成为了延续摩尔定律的关键,在产业链上的重要性日渐提升。既然先进封装将成为行业未来发展的关键推动力之一,那么我们就有必要对封装产业尤其是国内的封装产业进行一个大致的了解,以便窥探产业未来发展趋势。
5、测量其他设备
一台设备测量后,关闭测量管道上的针型阀和微水仪上的调节阀。将转接头从SF6电气设备上取下。如果需要继续测量其他设备,按照上面步骤继续测量下一台设备。
6、测量结束
所有设备测量结束后,关闭仪器电源。
一、 菜单操作
在测量状态,通过确定键可以进入功能菜单,如图1。
无论是在机械制造、设备,还是在汽车电子、通信技术产业中,我们都可以看见传感器在其中发挥重要作用。随着传感器的发展,很多行业也在积极开发利用传感器,很多新型的传感器都在广泛地被开放利用。地铁成为人类利用地下空间的一种有效形式,充分缓解了城市的地面交通,以其运量大、准时性好、快速**、交通效率高、利于环保等优点,成为现代城市地下空间建设的重点。但地铁在运营过程中,环境控制(简称环控)系统的用电量占了相当的比重,特别是带有空调的环控系统的用电量约占整个地铁耗电量的4%左右。
1、保存数据
在测量状态,通过按“确定”键可以进入功能菜单,按“上”、“下”键选择“保存记录”菜单,按“确定”键,进入保存数据页面,保存数据时,可以根据设备进行编号。
设备编号多为六位,可以通过“上”、“下”键增加数值大小,“左”、“右”键调整数据位数。
输入编号后,按“确定”键,完成保存数据。按“返回”键可以返回上一页,此时不保存数据。
2、查看记录
在测量状态,通过按“确定”键可以进入功能菜单,按“上”、“下”键选择“查看记录”菜单,按“确定”键,进入查看记录页面。
显示时从后一个被保存的数据开始。
可以按“上”、“下”键翻看数据。可燃气体检测仪要检知可燃气体信息,必须使得探测器和检测环境沟通,所以环境中的污染性气体和积尘进入探测器是无法避免的,其对探测器造成的工作条件的损坏是客观的存在,可燃性气体检测仪工作环境较为恶劣,有许多安装在室外,维护保养不善将会导致可燃气体报警器探测出现误差或不探测。因而定期对可燃性气体检测仪进行清洗、保养是防止发生故障的一个重要工作。接地应定期检测,接地达不到标准要求,或根本未接地,也会使化碳仪易受电磁干扰,造成故障。
3、删除记录
在测量状态,通过按“确定”键可以进入功能菜单,按“上”、“下”键选择“删除记录”菜单,按“确定”键,可删除所有数据。
4、修改时间
在测量状态,通过按“确定”键可以进入功能菜单,按“上”、“下”键选择修改时间,按“确定”键,进入修改时间页面。
通过“上”、“下”键可以增加时间数值,“左”、“右”键可以减小时间数值。
输入小时、分钟、秒后,按“确定”键可以转到下一个修改域内。
PID(PotentianInducedDegradation)是一种电势诱导衰减现象,是指组件长期在高电压下使得玻璃,封装材料之间存在漏电流,大量电荷聚集在电池表面。使得电池表面的钝化效果恶化,导致填充因子(FF),短路电流(Isc),开路电压(Voc)降低,使得组件的性能低于设计标准,发电能力也随之下降。2010年,NREL和Solon证实了无论组件采取何种技术的P型晶硅电池,组件在负偏压下都有PID的风险。