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HN2016智能sf6微水测试仪青岛华能供应 HN2016 SF6气体回收装置 高质量 5年保修
露点 |
测量范围 |
-80 ℃~+20 ℃ |
测量精度 |
±1℃(-80℃~+20℃) |
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测量时间 (+20℃) |
<3分钟。 |
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环境温度 |
-40℃~+60℃ |
可以看出实时频谱模式下的数字荧光频谱图能够更加具体的显示出信号的变化趋势和信号动态变化过程。扫频模式下的信号测试图实时频谱模式下的信号测试图2演示信号随时间的变化过程通过数字荧光频谱图和无缝瀑布图的联合可以展示频谱的动态变化过程。展示了使用实时频谱模式对跳频信号进行测试的示意界面,无缝瀑布图中可以看到频率跳变的整个过程,而数字荧光图可以验证跳频信号质量,同时通过打开频率vs时间图,可以观察到时域中的频率跳变过程,配合标记等可以简单测量出跳频速率和跳频带宽等参数。1、连接SF6设备
将测量管道上螺纹端与开关接头连接好,用扳手拧紧,关闭测量管道上另一端的针型阀;
再把测试管道上的快速接头一端插入仪器上的采样口;
将排气管道连接到出气口。
后将开关接头与SF6电气设备测量接口连接好,用扳手拧紧;
2、检查电量
本仪器优先使用交流电。
使用直流电时,请查看右上角显示的电池电量,如果电量低于约20%,请关机充电后继续使用。
3、开始测量
打开仪测量管道上的针型阀,然后用面板上的流量阀调节流量,把流量调节到0.5L/M左右,开始测量SF6露点。
设备测量时间需要5~10分钟,其后每台设备需要3~5分钟。
4、存储数据
设备测量完成后,可以将数据保存在仪器中,按“确定”键调出操作菜单,具体操作方式见下节内容。注意51单片机引脚的拉电流很小,不能直接驱动Q1,否则放电时间会很长。当单片机P15引脚为高电平时,电容充电,当充电到Uc时,比较器翻转,触发单片机外部中断0,通过测得的充电时间和充电电阻的大小可以计算出电容大小。原理图上图中(请参照PDF原理图),Btn1是单片机复位按钮;Btn2是校准按钮,在测量小电容时候可以随时按下清零显示;Btn3是功能切换按钮,用来在测量LCF(频率、小电容、电感)和测量电解电容之间切换。
5、测量其他设备
一台设备测量后,关闭测量管道上的针型阀和微水仪上的调节阀。将转接头从SF6电气设备上取下。如果需要继续测量其他设备,按照上面步骤继续测量下一台设备。
6、测量结束
所有设备测量结束后,关闭仪器电源。
一、 菜单操作
在测量状态,通过确定键可以进入功能菜单,如图1。
但由于受到补偿模块中补偿单位的限制,不能的将每个周期的偏移量完全补偿到实时时钟里去,会留下补偿余数,造成微小的补偿偏差。在单个时钟校准周期中,这种微小的补偿余数对时钟度影响不大,但多个周期累积起来的偏差会对时钟的性造成不能忽视的影响。为了解决现有技术中对RTC模块的补偿方法容易产生的补偿余数累积误差、无法满足高精度的要求等技术问题,本提出一种应用在电能表中RTC模块的补偿校准方法及装置。
1、保存数据
在测量状态,通过按“确定”键可以进入功能菜单,按“上”、“下”键选择“保存记录”菜单,按“确定”键,进入保存数据页面,保存数据时,可以根据设备进行编号。
设备编号多为六位,可以通过“上”、“下”键增加数值大小,“左”、“右”键调整数据位数。
输入编号后,按“确定”键,完成保存数据。按“返回”键可以返回上一页,此时不保存数据。
2、查看记录
在测量状态,通过按“确定”键可以进入功能菜单,按“上”、“下”键选择“查看记录”菜单,按“确定”键,进入查看记录页面。
显示时从后一个被保存的数据开始。
可以按“上”、“下”键翻看数据。红外测距的常用方法和原理时间差法测距原理时间差法测距原理是将红外测距传感器的红外发射端发送信号与接收端接受信号的时间差t写入单片机中,通过光传播距离公式来计算出传播距离L。L=C*t式中c是光的传播速度为3X108m/s。反射能量法测距原理反射能量法是由发射控制电路控制发光元件发出信号(通常为红外线)射向目标物体,经物体反射后传回系统的接收端,通过光电转换器接收的光能量大小进而计算出目标物体的距离L。
3、删除记录
在测量状态,通过按“确定”键可以进入功能菜单,按“上”、“下”键选择“删除记录”菜单,按“确定”键,可删除所有数据。
4、修改时间
在测量状态,通过按“确定”键可以进入功能菜单,按“上”、“下”键选择修改时间,按“确定”键,进入修改时间页面。
通过“上”、“下”键可以增加时间数值,“左”、“右”键可以减小时间数值。
输入小时、分钟、秒后,按“确定”键可以转到下一个修改域内。
无源晶振自身无法震荡,在工作时需要搭配外围电路。在一定条件下,石英晶片会产生压电效应:晶片两端的电场与机械形变会互相转化。当外加交变电压的频率与晶片的固有频率相等时,晶体产生的振动和电场强度,这称为压电谐振,类似与LC回路的谐振。图1石英晶体的电路符号、等效电路、电抗特性及外围电路图由于晶体为无源器件,其对外围电路的参数较为敏感,尤其为负载电容。根据晶体的手册,我们得知测试电路中有电容,此电容对晶体是否起振大有关联:CCg称作匹配电容,是接在晶振的两个脚上的对地电容,其作用就是调节负载电容使其与晶振的要求相一致,需要注意的是CCg串联后的总电容值才是有效的负载电容部分。