
- 联系人 : 车高平 肖吉盛
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HNDL800 JP柜 配电箱温升试验系统 三回路配电箱温升试验装置HNDL 大电流温升试验设备 容量大 定制定做
联系人车高平13608980122/15689901059用于箱变,配电箱额定电流温升试验。温升试验装置技术性能需满足根据GB/T11022、DL/T 593、GB/T 3906、DL/T 404等试验标准对开关柜进行试验的要求。网络覆盖质量严重影响功耗当覆盖较差时,通过多次重发提高通信成功率,但会延长发送时间,从而引起功耗增加,尽量避免长期在覆盖等级2状态下时工作。根据PSM特性优化网络通信协议当覆盖较差时会出现多次重发,如果一直保持连接状态,如果有多组上下行交互数据,则相当一部分功耗浪费在等待,此时可以进入Idle状态等待,以降低功耗。远程阀控PSMeDRX由于不能实现网络唤醒,暂时不能实现实时下行,eDRX的静态功耗较高,PSM频繁重连耗电也较高;必须由终端触发上行后才能间接实现下行,充值时要求用户按下按键。
1.2 技术参数要求
恒流输出电流:AC范围 0到额定电流,连续可调, 且该输出电流为真有效值(指负载被试开关柜及相关标准规定的试验附件, 可输出的电流有效值, 电流稳定输出时间应满足工作时间要求)
输出波形:标准正弦波
输出频率: 50Hz (+5%, -2%)
输出电压:0-6V,且连续可调
工作时间:大电流输出不少于24小时
输出相数:三相 多路
LED日光灯电源发热到一定程度会导致烧坏,关于这个问题,也见到过有人在行业论坛发过贴讨论过。本文将从芯片发热、功率管发热、工作频率降频、电感或者变压器的选择、LED电流大小等方面讨论LED日光灯电源发热烧坏MOS管技术。芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗,简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益,实际I=2cvf,其中c为功率MOS管的cgs电容,v为功率管导通时的gate电压,所以为了降低芯片的功耗,必须想办法降低v和f.如果v和f不能改变,那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件,注意不要引入额外的功耗。
1.3 恒流源配置列表:(按照客户具体需求配置)
序号 |
名称 |
数量 |
1 |
3回路三相0-100A电流调节器 |
1 |
2 |
3回路三相0-400A电流调节器 |
1 |
3 |
3回路三相0-630A电流调节器 |
1 |
4 |
3回路三相0-800A电流调节器 |
1 |
