产品名称：交流大电流发生器 直流试验电源 温升试验系统 定制定做

HNDL系列全自动大电流发生器测试系统交流大电流发生器 直流试验电源 温升试验系统 定制定做

是青岛华能远见有限公司自主研制开发的专业应用于母线槽、频率50Hz开关、电流互感器和其它电器设备的电流负载速断试验及温升试验。则有效的保证了测试数据的准确性。整机测试单元包括：高精度毫秒计、真有效值电流表、电流传感器（进口件）、调压器、大功率升流器、微电脑控制器等部分。自动调压输出电流。反射系数法是通过测量漏兰姆波的频散曲线来确定材料的性质,但测量难度较大。傅里叶变换只能处理线性非平稳的信号。小波变换法虽然在理论上能处理非线性非平稳信号,但是同傅里叶变换、短时傅里叶变换法一样,都受Heisenberg测不准原理制约,即时间窗口与频率窗口的乘积为一个常数,这就意味着如果要提高时间精度就得牺牲频率精度,反之亦然。当兰姆波中不同模态的频率比较接近时,不适用小波变换处理信号。动态光弹法能从Lamb波的应力分布观察到传播和频散,但是在实际检测中对硬件要求较高。

特点

1、 采用10英寸真彩大液晶触摸屏操作；测试无需外接任何辅助设备，全自动控制，式操作，简单方便。

2、 带有自动稳流系统，工控机可实现四遥控能

3、 采用当前电力电子技术，抗干扰能力强，输出精度高，纹波系数小于0.2％，准确度高于0.5%；。

4、 自动试验只需设置好目标电流即可，无需人工监控，仅需设定测试电流，省去手动调压，减小劳动强度，提高工作效率。运行时间可自由设定

5、绝缘耐压 1800/AC  1min,   绝缘等级：B级

 简单地说，示波器的捕获模式用于控制如何从采样点中获取波形点。现在我们使用的数字示波器捕获的是波形的一系列样值，并对样值进行存储，存储限度是判断累计的样值能否绘出波形为止，随后数字示波器重构波形。而由于处理方式的不同，重构的信号波形也会有一定的差别。下面将介绍这四种捕获模式重构波形的异同。标准捕获模式对大多数波形来说，使用标准模式可以产生的显示效果。在一般情况下，如果您对示波器捕获波形的方式没有要求时，捕获模式可以选择为ZDS4054Plus示波器默认的捕获模式：标准捕获模式。

二、技术指标

1.输入 交流50Hz , 380V。

2.可三相平衡的输出0—20000A交流大电流。运行时段可自行设定。

3. 输出开口电压：0-20V.

4.电流精度 ：各电流均可平滑平稳连续可调，精度高于0.5级.电流电压表显示为真有效数值，精度高、稳定度高。

5.电流波形失真   THD 1%  设计标准远远高于国标<<GB14048.2-14>>.

6.保护设置  过流、过压

7.绝缘阻抗  20兆欧

8.绝缘耐压  1800/AC  1MIN

9.可测被测元件的电流动作时间。并可同步记录锁定动作时间。常开、常闭触点自动判别。测时范围：0.01S---99999.99s,精度;0. 01s.容量测量：如下图测试电路，核心是用一个具有恒流输出及电压限制的功率电源作为充电电源。电容两端的充电电压波形可以通过一个数字示波器进行记录。通过示波器的光标，可以很方便地读出电压从1.5V上升到2.5V所用的时间，基本的计算公式如下：i=C（V/t）公式变换为：C=i（t/V）。充电电流设定为1A，电压变化范围V=2.5V-1.5V-1V那么C=t，在这个示例中，超级电容的容量在数字上与电容从1.5V充电到2.5V的时间相等。

三、操作方法

1、仪器接入380V电压，在将仪器后面电流输出端子与被测品接通构成电流回路接线端子要紧固。面板上的常闭触点要接到被测品的辅助常闭触点上。

2、打开仪器侧面空气开关，等待几秒进入试验选择界面如下图：

电流输出线与常闭触点接入后，注急停按钮不要按下，直接按启动按钮，即可通过点击触控屏升降按钮来调节电流输出大小。(每次试验结束后，都要按下面板归零按钮让调压器自动归零位)。

2) 自动升流就选择进入“自动试验”界面如下图：

自动试验时，每次都要先选择“参数设置”来设置输出电流大小。做长时间运行可自由设定运行时间。如下图：复杂系统的调试和验证面临许多测试技术挑战，包括捕获和可视化多个不频繁或间断出现的事件，如串行数据包、激光脉冲和故障信号。为了准确测量和表征这些信号，必须在长时间内高采样率捕获它们。示波器的默认采集模式因为其有限的记录长度会强制在采样率和捕获时间进行妥协。使用更高的采样率可以更快地填充仪器的内存，减少数据采集的时间窗口。相反，捕获长时间的数据通常是以牺牲水平时间分辨率(采样率)为代价的。分段存储架构FastFrameTM分段存储允许将内存分割成多帧。

1.在连接仪器测试线前，应先检查各项调压器是否归零。急停按钮是否关闭。

2.输出电流2500A以上时，电流输出线一定要紧固。试验时间≤300s。由P区引出的电极为阳极，由N区引出的电极为阴极，如下图所示，温度对二极管的性能有较大的影响，这是由于半导体材料的特性所致，温度升高时，二极管的正向压降将减小，每增加1oC，正向压降减小约2mV，可以从下图看出，由半导体理论可以得出，PN结所加端电压u与流过它的电流i的关系为：其中，Is为反向饱和电流，对于硅材料来说，Is约为10pA;q为电子的电量，q=1.6*10-9C；k是玻耳茨曼常数，k=1.38*10-23J/K；T为温度，kT/q可以用UT来代替，则常温下，即T=300K时，UT约为26mV。