产品名称：高压开关特性测试仪 HN11C系列 真空度测试仪 诚信服务

HN11C高压开关综合测试仪高压开关特性测试仪 HN11C系列 真空度测试仪 诚信服务
一、功能特点 

测试指标：可测试国产（进口）真空、六氟化硫、油高压断路器，负荷开关、GIS接地刀闸开关、接触器、继电器、空气开关等。合、分闸时间、同期、弹跳时间、次数、自动重合闸、行程、速度、电流、动作电压等各项数据、波形。

抗扰通道：可抵御550KV变电所现场静电干扰！对于一些重点区域，还在软件上设定了夜间小流量监控报警，每当流量变化大于5立方米/小时，数据栏自动报警提示，以便工作人员及时实地测漏原因。，219年2月，系统报警：大桥家园片区夜间流量有所上升，凌晨流量达8立方米/小时。经过测漏维修后，现该片区夜间流量降至2立方米/小时。仅219年上半年，镇江市利用区域计量、大表远传等数据集成，加强区域水量数据和预警，及时发现和处理了镇江卫校片区、江滨新村、山林苑、长江花园等区域的新增漏损。

位移通道：1路位移信号采集，适配耐用的精密电阻线性位移、角位移传感器。亦可适配用户传统自配的滑线电阻传感器。

同步触发：可响应电压、电流、传感器、断口变化多种同步触发方式。具有无电位接点操作控制模块，无弹跳接点，接点开断容量： 30A，250V（AC/DC）

操作界面：5.7″黑白液晶屏，菜单式操作，并在面板上增加了快捷设置按键。配备高精度激光传感器，传感器安装迅速、快捷、简单；同时也可配置滑线电阻传感器和角度传感器；并配备齐全相关传感器、断路器的测试支架；LED日光灯电源发热到一定程度会导致烧坏，关于这个问题，也见到过有人在行业论坛发过贴讨论过。本文将从芯片发热、功率管发热、工作频率降频、电感或者变压器的选择、LED电流大小等方面讨论LED日光灯电源发热烧坏MOS管技术。芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为I=cvf（考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低v和f.如果v和f不能改变，那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗。

速度定义：提供了常用的开关速度定义库和可编辑速度定义库两种模式可供用户自行选择。

录波功能：12路普通金属触头通断、线圈电流；行程、时间波形。具有断路器型号库功能，测试时可直接调用数据库断路器型号，无需特别设置

U盘存储：可将数据及波形文件快速存储到U盘，直接用上位机软件打开。

在线帮助：仪器内置丰富的接线、安装、测试操作帮助。无说明书就能简单使用。数字荧光频谱图在一个二维图谱上显示三维数，横轴代表频率，纵轴代表幅度，像素点的色彩是个维度代表密度，即统计次数。数字荧光频谱视图示意图实时频谱凭借数字荧光频谱图与无缝瀑布图等图的优势，能够发现瞬态信号、查找大信号下的小信号并且能够查看信号随时间变化的过程。现信号1.1发现强信号下的弱信号RF信号的多样化和普遍性增加了系统和信号相互干扰的可能性。RF环境的复杂化使得系统极易受到其他信号的干扰或自身产生难以察觉到的干扰信号，利用传统扫频式频谱仪器很难在工作环境中识别到干扰信号及其来源。