产品名称：地下电缆故障测试仪 HN300系列 电缆路径信号产生器5年保修

HN9001地下管线探测仪

仪器特点

1) 便携轻巧，使用方便，充电电池供电，一人即可操作，四项测试一次完成。

2) 数字化设计，软件控制，性能稳定、可靠。        

3）大屏液晶界面，中文显示，一看就懂，易学、易会。

4）所测信息以数字大小、光栅长短、声音缓急三种方式提供给操作者，使测试过程轻松自如。

加热器组件可在血液和透析液重新输入到患者体内之前，将其加热到的温度。而这一过程中，加热控制器能够控制透析液的温度；电路板安装型压力传感器则能测量流体离开和进入患者体内的流速，在不妨碍流体流动的前提下，获得透析液和静脉压力读数。为了实现温度传感器与温度调节装置结合使用，加热器组件在设计时需要考虑到适合不同透析设备设计需求的多种加热技术和材料。这些透析机的设计常常因对加热器组件不同尺寸和不同温度范围的要求，需要考虑不同类型的加热技术。

2.2 仪器组成

2.2.1 标准配置：发射机、接收机、充电器、直连线、地钎

2.2.2 选    件：大耦合钳

但是晶体的振荡频率受到温度影响，其振荡频率会有一定的偏移，造成分频后的时钟失准，在应用中需要根据晶体的温度漂移特性对RTC模块输出时钟信号进行校准。为了使RTC模块的输出时钟达到实时时钟的要求，现有技术的很多方法都采用对分频时钟频率补偿的方式提高RTC模块输出时钟的度。其中，为广泛采用的是，在每次补偿周期都测量晶体的温度，然后根据晶体振荡的温度漂移特性将振荡的偏移量，即补偿参数补偿到RTC模块输出时钟里。2.3 仪器参数

2.3.1 发射机

1）输出信号：输出四种频率的正弦交流信号，分别是低频、中频、高频、射频。

2）输出功率：恒功率输出，低、中、高三档（不小于6瓦）。

3）输出模式：直连法、耦合法、感应法。

4）阻抗显示：99999欧以内。

5）负载匹配：1—10000欧。

6）显示界面：大屏液晶中文、图形显示，自带背光。

7）电    源：标准1号1.2V充电电池6节，充放电500次。

8）待机时间：大于8小时，电量提示。

本文讲述运放的参数和选择方面的知识，希望对有需要的读者有帮助。偏置电压和输入偏置电流在精密电路设计中，偏置电压是一个关键因素。对于那些经常被忽视的参数，诸如随温度而变化的偏置电压漂移和电压噪声等，也必须测定。的放大器要求偏置电压的漂移小于200μV和输入电压噪声低于6nV/√Hz。随温度变化的偏置电压漂移要求小于1μV/℃。低偏置电压的指标在高增益电路设计中很重要，因为偏置电压经过放大可能引起大电压输出，并会占据输出摆幅的一大部分。

2.3.2 接收机

1）接收频率：接收五种不同频率的正弦交流信号，分别是低频、中频、高频、射频、50HZ.

2）接收模式：波峰法（水平线圈）、 波谷法（竖直线圈）、 外接设备法（耦合钳）。

3）信号界面：数字大小、光栅长短、声音缓急三种界面同时提示信号强弱

4）显示界面：大屏液晶中文、图形显示，自带背光。

5）增益控制：手动调节，动态范围000——100db。

6) 探测长度：直连电缆时，长15KM。.

             耦合电缆时，一次耦合可测3Km，多次耦合无限远。

             感应电缆时，一次感应可测300m，多次感应无限远。

7）深度测量：直读探测深度，范围 000—250cm。

             80%法测深度，范围 000—250cm（感应）\500cm（直连）

8）电流测量：直读电流，范围000—999mA.

9) 探测精度：埋深的5%MOSI-主设备数据输出，从设备数据输入;MISO–主设备数据输入，从设备数据输出;SCLK–时钟信号，由主设备产生;SS–从设备使能信号，有主设备控制;SPI标准通讯接口SPI通讯接口的优点是传输数据快，能达到几兆到几十兆，并且没有系统开销。SPI总线的缺点也比较明显，主要是没有的流控制，也没有应答机制确认是否接收到数据。单线SPI接口还有一种另类的SPI通讯接口方式。

2.4 工作原理    

    本仪器是以电磁感应原理为基础、以跨步电压理论为依据，结合数字滤波 、无线接收、软件控制而设计的高科技产品。

    电磁感应：其基本工作原理是：由发射机产生电、磁波并通过不同的发射连接方式将发送信号传送到地下被探测金属管线上，地下金属管线感应到电磁波后，在地下金属管线表面产生感应电流，感应电流就会沿着金属管线向远处传播，在电流的传播过程中，又会通过该地下金属管线向地面辐射出电磁波，这样当地下管线探测仪接收机在地面探测时，就会在地下金属管线正上方的地面接收到电磁波信号，通过接收到的信号强弱变化就能判别地下金属管线的位置和走向。

此原理实现的条件：，要有能发出足够电能的信号源，在具备传输电能的线路中形成电流，电流在流动过程中又在该线周围产生磁场；其次，要有能接收这一特定磁场的电路，把磁场的变化过程以电信号形式显示出来。由P区引出的电极为阳极，由N区引出的电极为阴极，如下图所示，温度对二极管的性能有较大的影响，这是由于半导体材料的特性所致，温度升高时，二极管的正向压降将减小，每增加1oC，正向压降减小约2mV，可以从下图看出，由半导体理论可以得出，PN结所加端电压u与流过它的电流i的关系为：其中，Is为反向饱和电流，对于硅材料来说，Is约为10pA;q为电子的电量，q=1.6*10-9C；k是玻耳茨曼常数，k=1.38*10-23J/K；T为温度，kT/q可以用UT来代替，则常温下，即T=300K时，UT约为26mV。