产品名称：二次脉冲电缆故障测试仪 HN300系列 管线探测仪现货供应

HN300电缆故障测试仪 二次脉冲电缆故障测试仪 HN300系列 管线探测仪现货供应

 用于35kV及以下不同等级、不同截面、不同介质及材质的电力电缆的各类故障，包括：开路、短路、低阻、高阻泄漏、高阻闪络性故障。可配合高压设备实现传统电缆故障测试的低压脉冲法、冲击闪络法、速度测量法。 全中文操作软件和使用界面，子菜单方式和文字提示实现人机互动。工业级10.4寸彩色触摸液晶屏显示，全中文操作软件和使用界面，子菜单方式和文字提示实现人机互动。在电源行业，示波器是通用的测试仪器，但许多特色需求，比如电源测试要求通道隔离，有时通道数量需要8个以上，以及CAN通讯等，这些需求示波器都无法满足。对示波记录仪来讲，这些需求都不是问题。隔离测试隔离测试是电源产品非常重要的诉求，一般示波器均是不隔离，若示波器地与非隔离电源的地直接相连，可能会造成电源烧毁，示波器炸机的情况。基于此问题，目前衍生出的解决方法大致有以下两类。剪除示波器供电插头地脚示波器不隔离的核心后果是造成测试时，输入输出共地造成短路，所以，若能剪除示波器供电电源插头的地脚，从而切断示波器与地的连接，就不会造成短路。

技术参数

1. 采样方法：低压脉冲法、冲击闪络法、速度测量法

2. 采样速率：200 MHz、100 MHz、80 MHz、40 MHz、20MHz、10 MHz

3. 脉冲宽度：0.05μs、0.1μs、0.2μs、0.5μs、1μs、2μs、8μs

4. 波速设置：交联、聚氯、油浸纸、不滴油和未知类型自设定

5. 冲击高压：35kV及以下

6. 测试距离：＜60km，盲区≤1m

7. 分 辨 率：1m

8. 测试精度：1m

9. 显示方式：工业级10.4寸彩色触摸液晶屏

回答这两个问题将帮助您缩小选择范围，获得您需求的红外热像仪和探测器类型。温度范围：温度范围即测量物体会有多冷或多热。这也可能就是您可以测得的或温度值。，您在拍摄停在跑道上的飞机的引擎。飞机机身的温度可能为25°C左右，而引擎的温度大约为500°C。所以您的温度范围大概是25°C到500°C，那么您就要选择能够一次拍摄到整个温度范围的热像仪系统。温度分辨率：温度分辨率是您需要测量的温度差，通常被称为红外热像仪的热灵敏度。

 四、工作原理

       本产品采用的是时域反射（TDR）原理，即对电缆发射一电脉冲，电脉冲将在电缆中匀速传输，当遇到电缆阻抗发生变化的地方（故障点），电脉冲将产生反射。测距主机将电脉冲的发射和反射的变化以时域形式通过液晶屏显示出来，通过屏幕上的波形可直接判读故障距离。

① 开关按键：按下自锁接通电源，再按解锁断开电源。开机2分钟无任何操作时，屏幕将变暗进入屏保节能状态。数字或矢量调制可以提供更高的频谱效率、更高的数据**性、更高质量的通信。但其代价是系统的复杂性增加，进而导致测试困难度提高。将矢量信号(VSA)添加到示波器，可以减少必需的测试仪器，并通过在单个仪器中整合来简化测试过程。本文将介绍矢量信号和有效测量这种信号所需的工具。矢量状态测量矢量或正交信号的产生通过在每一符号发送过程中发送多个位码，从而实现高频谱密度。考虑用每个发送符号对两个数字位进行编码的正交相移键控(QPSK)。

② 充电端口：用于连接充电器，给电池充电。

③ 中值旋钮：顺时针旋动中值向上走动；逆时针旋动中值向下走动。（需采样刷新才有变化）大；逆时针旋动幅度减小。（需采样刷新才有变化）

⑤ 采样端口：四芯座，用于连接采样线。对于红外探测器的工作原理你了解多少呢？本文将为大家解析非制冷红外焦平面探测器技术原理及机芯介绍。非制冷红外技术原理非制冷红外探测器利用红外辐射的热效应，由红外吸收材料将红外辐射能转换成热能，引起敏感元件温度上升。敏感元件的某个物理参数随之发生变化，再通过所设计的某种转换机制转换为电信号或可见光信号，以实现对物体的探测。非制冷红外焦平面探测器分类非制冷红外焦平面探测器是热成像系统的核心部件。以下介绍了非制冷红外焦平面探测器的工作原理及微测辐射热计、读出电路、真空封装三大技术模块，了影响其性能的关键参数。

⑥ 触摸式彩色液晶屏：详见“工作界面介绍”。

按“       ”键，弹出采样方式选择子菜单。子菜单中包括：“低压脉冲”、“闪络方法”和“速度测量”。仪器开机默认“低压脉冲”，根据测试需要，可选择相应的采样方式，再按“采样方式”键退出。

按“       ”键，弹出脉冲宽度选择子菜单。子菜单中包括7个选项，分别为：0.05μs、0.1μs、0.2μs、0.5μs、1μs、2μs、8μs。根据测试距离选择合适的脉宽，按对应的子菜单键可以对脉冲宽度进行选择，仪器开机默认0.2μs，再按“脉宽”键退出此项功能。注意：在高压闪络法测试中此项不做选择。

另外，晶体管也可能产生相似的爆裂噪声和闪烁噪声，其产生机理与电阻中微粒的不连续性相近，也与晶体管的掺杂程度有关。半导体器件产生的散粒噪声由于半导体PN结两端势垒区电压的变化引起累积在此区域的电荷数量改变，从而显现出电容效应。当外加正向电压升高时，N区的电子和P区的空穴向耗尽区运动，相当于对电容充电。当正向电压减小时，它又使电子和空穴远离耗尽区，相当于电容放电。当外加反向电压时，耗尽区的变化相反。当电流流经势垒区时，这种变化会引起流过势垒区的电生微小波动，从而产生电流噪声。