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HN300电缆故障测试仪 八次脉冲电缆故障测试仪 HN300系列 电缆外护套故障仪生产厂家
用于35kV及以下不同等级、不同截面、不同介质及材质的电力电缆的各类故障,包括:开路、短路、低阻、高阻泄漏、高阻闪络性故障。可配合高压设备实现传统电缆故障测试的低压脉冲法、冲击闪络法、速度测量法。 全中文操作软件和使用界面,子菜单方式和文字提示实现人机互动。工业级10.4寸彩色触摸液晶屏显示,全中文操作软件和使用界面,子菜单方式和文字提示实现人机互动。拿我们熟知的1G以下的无线收发模块来看,大部分使用的平台都是基于TI(德州仪器),SILABS(芯科),SEMTECH(升特)等,此外还有AMICCOM(笙科),AXSEM,NORDIC(北欧),MICREL(麦瑞),ADI(亚德诺),MAXIM(美信),ST(意法半导体),FSL(飞思卡尔),ATMEL(爱特梅尔),MICROCHIP(微芯),INFINEON(英飞凌)和个别本土厂商等诸多产品可供选择。

技术参数
1. 采样方法:低压脉冲法、冲击闪络法、速度测量法
2. 采样速率:200 MHz、100 MHz、80 MHz、40 MHz、20MHz、10 MHz
3. 脉冲宽度:0.05μs、0.1μs、0.2μs、0.5μs、1μs、2μs、8μs
4. 波速设置:交联、聚氯、油浸纸、不滴油和未知类型自设定
5. 冲击高压:35kV及以下
6. 测试距离:<60km,盲区≤1m
7. 分 辨 率:1m
8. 测试精度:1m
9. 显示方式:工业级10.4寸彩色触摸液晶屏
因为探测器口的位置及挡板的设置是固定的,而不同的反射分布直接表现为信号起伏。在普通的测量系统中,不同的正向发散角的LE同一LED不同的放置方向、同一方向不同位置等差异,即使光通量是一致,表现出来的测量值也表现出的差。根据客户的验证结果,普通LED测量系统LED的放置方向对光通量测量结果的影响往往超过50%(这一点尤其在国产设备上表现特别明显)。在测量不同LED不同发光角度时,由于在积分球内表面的分布差异使得直接反射的分布对探测器的影响也不同,从而直接影响到两者测量的准确性的差异。
四、工作原理
本产品采用的是时域反射(TDR)原理,即对电缆发射一电脉冲,电脉冲将在电缆中匀速传输,当遇到电缆阻抗发生变化的地方(故障点),电脉冲将产生反射。测距主机将电脉冲的发射和反射的变化以时域形式通过液晶屏显示出来,通过屏幕上的波形可直接判读故障距离。
① 开关按键:按下自锁接通电源,再按解锁断开电源。开机2分钟无任何操作时,屏幕将变暗进入屏保节能状态。传统电源需要两台直流源分别提供相反方向的电流配合控制两台电源分别输出的控制回路来满足实验要求。解决方案IT6432双极性可编程电源可以实现正负电压输出,从而实现电流方向周期性改变。用一台it6432即可以完成该实验。操作方法利用list功能编辑3V/.5A1s和-3V/.5A5s两工步,客户该实验需要1~2周时间,设定好循环次数(65535次),既可以提供周期性改变电流方向的电流脉冲信号,轻松的完成该实验目的。
② 充电端口:用于连接充电器,给电池充电。
③ 中值旋钮:顺时针旋动中值向上走动;逆时针旋动中值向下走动。(需采样刷新才有变化)大;逆时针旋动幅度减小。(需采样刷新才有变化)
⑤ 采样端口:四芯座,用于连接采样线。我们再以万用表为例。如果表示位数为6,则其动态范围应为120dB(或6×20dB/十倍频程)。但要注意的是,后两位仍在摆动。真实动态范围只有80dB。这就是说,如果设计人员要测量1μV(或0.000001V)的电压,则该测量值的误差可能高达100μV,因为实际器件的精度仅为100μV(或0.0001V或0.0001XXV,其中,XX表示在摆动的后两位)。实际上,描述任何系统的整体精度的方法有两种:直流和交流。
⑥ 触摸式彩色液晶屏:详见“工作界面介绍”。
按“ ”键,弹出采样方式选择子菜单。子菜单中包括:“低压脉冲”、“闪络方法”和“速度测量”。仪器开机默认“低压脉冲”,根据测试需要,可选择相应的采样方式,再按“采样方式”键退出。
按“ ”键,弹出脉冲宽度选择子菜单。子菜单中包括7个选项,分别为:0.05μs、0.1μs、0.2μs、0.5μs、1μs、2μs、8μs。根据测试距离选择合适的脉宽,按对应的子菜单键可以对脉冲宽度进行选择,仪器开机默认0.2μs,再按“脉宽”键退出此项功能。注意:在高压闪络法测试中此项不做选择。
20世纪80年始,非制冷红外焦平面阵列探测器在美国支持下发展起来的,在1992年研发完成后才对布。初期技术路线包括德州仪器研制的BST热释电探测器和霍尼韦尔研制的氧化钒(VOx)微测辐射热计探测器。后来由于热释电技术本身的一些局限性,微测辐射热计探测器逐渐胜出。2009年,L-3公司终宣布停止继续生产热释电探测器。之后,法国的CEA/LETI以及德州仪器公司又分别研制了非晶硅(a-Si)微测辐射热计探测器。