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HN300电缆故障测试仪 二次脉冲电缆故障测试仪 HN300系列 电缆故障定点仪5年保修
用于35kV及以下不同等级、不同截面、不同介质及材质的电力电缆的各类故障,包括:开路、短路、低阻、高阻泄漏、高阻闪络性故障。可配合高压设备实现传统电缆故障测试的低压脉冲法、冲击闪络法、速度测量法。 全中文操作软件和使用界面,子菜单方式和文字提示实现人机互动。工业级10.4寸彩色触摸液晶屏显示,全中文操作软件和使用界面,子菜单方式和文字提示实现人机互动。为了开拓光纤传感器的应用领域,本文综述了光纤传感器在地球物理测井领域的研究与进展,希望其研究能够对进一步提高石油开发的水平作出贡献。储层参数监测压力监测由于开发方案的需要,对油藏压力的管理需要特别谨慎,这样做的目的是减少因在低于泡点压力的状态下开采所造成的原油损失,减少在注气过程中因油藏超压将原油挤入含水层所造成的原油损失。传统的井下压力监测采用的传感器主要有应变压力计和石英晶体压力计,应变式压力计受温度影响和滞后影响,而石英压力计会受到温度和压力急剧变化的影响。

技术参数
1. 采样方法:低压脉冲法、冲击闪络法、速度测量法
2. 采样速率:200 MHz、100 MHz、80 MHz、40 MHz、20MHz、10 MHz
3. 脉冲宽度:0.05μs、0.1μs、0.2μs、0.5μs、1μs、2μs、8μs
4. 波速设置:交联、聚氯、油浸纸、不滴油和未知类型自设定
5. 冲击高压:35kV及以下
6. 测试距离:<60km,盲区≤1m
7. 分 辨 率:1m
8. 测试精度:1m
9. 显示方式:工业级10.4寸彩色触摸液晶屏
其控制技术由初的分立元器件的模拟电路控制,逐步发展为基于微处理器、微控制器和数字信号处理器(DSP)等全数字控制系统。不同的功率变换器,实质是将系统输入电气参数变换为用户所需要的输出电气参数。基本的电气参数有电压、电流、频率、相数、波形、功率等6项。基于电磁感应原理而问世的变压器,实现了交流电压和交流电流的自如变换,实现了高压交流输电和低压配电到用户,使电能的方便使用成为现实;而由于电力电子技术的进步,诞生了整流器、斩波器、逆变器、变频器等功率变换器,完成了频率、相位、相数的受控变换,使电能的产生、输送、分配和应用实现了优化,使以电能为核心的能量的转换,使电参数的控制和改变,上升到率和高功率因数的新阶段。
四、工作原理
本产品采用的是时域反射(TDR)原理,即对电缆发射一电脉冲,电脉冲将在电缆中匀速传输,当遇到电缆阻抗发生变化的地方(故障点),电脉冲将产生反射。测距主机将电脉冲的发射和反射的变化以时域形式通过液晶屏显示出来,通过屏幕上的波形可直接判读故障距离。
① 开关按键:按下自锁接通电源,再按解锁断开电源。开机2分钟无任何操作时,屏幕将变暗进入屏保节能状态。电池充放电过程中,电池容量越大,对应电池开路电压越高,电池内阻越低;反之,当容量下降,电池开路电压随之下降,内阻随之上升。电池容量、开路电压与电池内阻之间的关系可有下图表示:测试实例IT6431(±15V,±1A,15W)的simulator功能,主要适用于模拟电池的电压和容量,用IT6431来代替实体的电池,提供一个电压信号,同时也需要可以驱动开机。这样检测到了电压用适配器才能给充电。
② 充电端口:用于连接充电器,给电池充电。
③ 中值旋钮:顺时针旋动中值向上走动;逆时针旋动中值向下走动。(需采样刷新才有变化)大;逆时针旋动幅度减小。(需采样刷新才有变化)
⑤ 采样端口:四芯座,用于连接采样线。同时,还须注意传感器的安装方法,支撑结构的设置,如何克服横向力等问题。作为一次仪表的传感器通常由敏感元件与转换元件组成。转换元件就是精密的电桥。测力秤重用电阻应变式传感器主要由弹性体、应变片、粘帖胶及补偿电阻构成。他的稳定性也必然是由这些元件的内、外因的综合作用所决定。本文就此问题进行探讨,谈些粗浅看法,与同行商榷。是弹性元件。弹性元件一般是由合金钢材及有色金属铝、铍青铜等加工成型,影响弹性体稳定性,主要是它经处理后的金相组织及残余应力。
⑥ 触摸式彩色液晶屏:详见“工作界面介绍”。
按“ ”键,弹出采样方式选择子菜单。子菜单中包括:“低压脉冲”、“闪络方法”和“速度测量”。仪器开机默认“低压脉冲”,根据测试需要,可选择相应的采样方式,再按“采样方式”键退出。
按“ ”键,弹出脉冲宽度选择子菜单。子菜单中包括7个选项,分别为:0.05μs、0.1μs、0.2μs、0.5μs、1μs、2μs、8μs。根据测试距离选择合适的脉宽,按对应的子菜单键可以对脉冲宽度进行选择,仪器开机默认0.2μs,再按“脉宽”键退出此项功能。注意:在高压闪络法测试中此项不做选择。
兰色段开始变弯曲,斜率逐渐变小。红色段就几乎变成水平了,这就是“饱和”。实际上,饱和是一个渐变的过程,兰色段也可以认为是初始进入饱和的区段。在实际工作中,常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。在图中就是假想绿色段继续向上延伸,与Ic=50MA的水平线相交,交点对应的Ib值就是临界饱和的Ib值。图中可见该值约为0.25mA。由图可见,根据Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶体管进入了初始饱和状态,实际上应该取该值的数倍以上,才能达到真正的饱和;倍数越大,饱和程度就越深。